Preparatorio6 Iza Valdivieso

Escuela Politécnica Nacional, Iza Evelyn, David Valdivieso, Practica 6 1 ANALISIS AC Y DC DE UN TRANSISTOR BIPOLAR DE

Views 75 Downloads 0 File size 2MB

Report DMCA / Copyright

DOWNLOAD FILE

Recommend stories

Citation preview

Escuela Politécnica Nacional, Iza Evelyn, David Valdivieso, Practica 6

1

ANALISIS AC Y DC DE UN TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA EN CONFIGURACION EMISOR COMUN, BASE COMUN, COLECTOR COMUN Valdivieso, David E. Faculta de Eléctrica y Electrónica Escuela Politécnica Nacional [email protected]

Iza, Evelyn A. Faculta de Eléctrica y Electrónica Escuela Politécnica Nacional [email protected] Resumen—Este documento presenta un preparatorio de un análisis AC y DC de un transistor bipolar de juntura en configuración emisor común, base común y colector común, donde se contestan preguntas necesarias para realizar la práctica de laboratorio. Índice de Términos— TBJ, Emisor Común. Base Común, Colector Común

I. INTRODUCCIÓN En el estudio de los dispositivos eléctricos el transistor considerado la base la electrónica analogía y digital, ya que a través de este elemento se puede crear un lenguaje binario. Se responderán preguntas para conocer acerca del comportamiento TBJ en configuración Emisor Común, Base Común y Colector Común, además identificar los parámetros de operación en base a los resultados obtenidos en la medición de voltaje y corrientes. II. 1.

CUESTIONARIO

Dibujar la curva de trabajo del transistor en papel milimetrado.

Un transistor en corte tiene una corriente de colector (Ic) mínima y un voltaje colector emisor VCE máximo. Un transistor en saturación tiene una corriente de colector (Ic) máxima y un voltaje colector emisor (VCE) casi nulo (cero voltios). Para lograr que el transistor entre en corte, el valor de la corriente de base debe ser bajo o mejor aún, cero. Para lograr que el transistor entre en saturación, el valor de la corriente de base debe calcularse dependiendo de la carga que se esté operando entre encendido y apagado (funcionamiento de interruptor) Si se conoce cuál es la corriente que necesita la carga para activarse (se supone un bombillo o foco), se tiene el valor de corriente que habrá de conducir el transistor cuando este en saturación y con el valor de la fuente de alimentación del circuito, se puede obtener la recta de carga. Esta recta de carga confirma que para que el transistor funcione en saturación, Ic debe ser máximo y VCE mínimo y para que esté en corte, Ic debe ser el mínimo y VCE el máximo. [1] 3.

2.

Fig.1 Curva de trabajo de transistor Consultar el funcionamiento y cálculos necesarios para que un TBJ funcione como un switch.

Para que un transistor sea utiliza switch, la corriente de base debe tener un valor para lograr que el transistor entre en corte y otro para que entre en saturación. Preparatorio-Practica 3

Simular el circuito del literal 3.2 en Proteus y QUCS.

Fig.2 Transistor como interruptor

Escuela Politécnica Nacional, Iza Evelyn, David Valdivieso, Practica 6

2 Base Común

Fig.6 .Circuito Base Común “r” Fig.3 Transistor como interruptor - Proteus

4. 5.

Consultar sobre el datasheet del transistor 3904 y 3906 Ver Anexo Representar el circuito Emisor común, Base común y Colector Común mediante el modelo de parámetros “r” “π”. Emisor Común Fig.7 .Circuito base Común “π” Colector Común

Fig.4 .Circuito Emisor Común “r”

Fig.8 .Circuito Colector Común “r”

Fig.5 .Circuito Emisor Común “π”

Fig.9 .Circuito Colector Común “π” Preparatorio-Practica 3

Escuela Politécnica Nacional, Iza Evelyn, David Valdivieso, Practica 6

6.

3

Partiendo del modelo anterior, deducir las ecuaciones de ganancia de voltaje, ganancia de corriente, impedancia de entrada e impedancia de salida. Emisor común

7.

Para los circuitos de la Figura 1, Figura 2, Figura 3, Figura 4 determinar los siguientes puntos: -a) Voltajes y corrientes de polarización (Divisor de tensión y Thevenin) -b) Ganancia de voltaje, ganancia de corriente, impedancia de entrada e impedancia de salida. Figura 1 a)

Base común

Colector común

Preparatorio-Practica 3

Escuela Politécnica Nacional, Iza Evelyn, David Valdivieso, Practica 6

4

b)

Figura 4 a)

Figura 3 a)

b)

b)

Preparatorio-Practica 3

Escuela Politécnica Nacional, Iza Evelyn, David Valdivieso, Practica 6

8.

5

Simular tanto en Proteus como QUCS los cuatro circuitos. Circuito 1

Fig.13. Circuito 2 Simulación Osciloscopio Circuito 3

Fig.10 .Circuito 1 Simulación

Fig.14 .Circuito 3 Simulación

Fig.11 .Circuito 1 Simulación Osciloscopio

Circuito 2

Fig.15. Circuito 3 Simulación Osciloscopio Circuito 4

Fig.12. Circuito 2 Simulación.

Fig.16. Circuito 4 Simulación Preparatorio-Practica 3

Escuela Politécnica Nacional, Iza Evelyn, David Valdivieso, Practica 6

Fig.17. Circuito 4 Simulación Osciloscopio III.  

Podemos analizar amplificadores con TBJ tanto en Emisor común, Base común, Colector común. El equivalente con parámetros “π” y “r” son muy útiles para el análisis del circuito

IV.

  

CONCLUSIONES

RECOMENDACIONES

Realizar las simulaciones en la última versión de los programas de simulación dados ya que algunas versiones anteriores tiene algunos defectos Consultar los datos del datasheet actualizado. Al simular usar generador de ondas para simular con los mismos instrumentos del laboratorio

V.

REFERENCIAS

[1] Anonimo, «Transistor como interruptor o switch,» 2016. [En línea]. Available: https://unicrom.com/diseno-de-interruptor-con-transistor/. [Último acceso: 20 Mayo 2018]. [2] T. Sánchez, Electronica: Dispositivos y Aplicaciones, Quito , 2013. [3] Anonimo, «Datasheet- 2N3906,» [En línea]. Available: http://www.kodenshi.co.jp/products/pdf/group/transistor/2N3906.pdf. [Último acceso: 5 Mayo 2018]. [4] Anonimo, «Datasheet- 2N3904,» [En línea]. Available: http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/auk/2N3904.pdf. [Último acceso: 5 Mayo 2018].

Preparatorio-Practica 3

6

Escuela Politécnica Nacional, Iza Evelyn, David Valdivieso, Practica 6

ANEXO DATASHEET DEL TRANSISTOR 3906 [3]

DATASHEET DEL TRANSISTOR 3904[4]

Preparatorio-Practica 3

7

Escuela Politécnica Nacional, Iza Evelyn, David Valdivieso, Practica 6

Preparatorio-Practica 3

8