• Author / Uploaded
• luis

• Categories
• Ingeniería Informática
• Electromagnetismo
• Ingenieria Eléctrica
• Ingeniería Electrónica
• Componentes eléctricos

Citation preview

uNtvERstDAD MAyoR DE sAN nNonÉs FAcULTAD DE INGENIenfR

rlecmó¡llcn ,- éÉsfioN rt t zo12 ETN -s03 (LABORATORTO N"2) TIEMPO DE DESARROLLO DEL EXAMETVi'OO MINUTOS rNcENlen[R

t

l.- Para el circuito de la figurá Calcular la ganancia d y la impedancia de entrada. Sí Rs=100Q, Re=S O,Rz=50 k O., R1=J0O f ii, Rc='S k A, n.=1 ¡ 92, I Vcc=15 V, Vss=0,7 V y F=100. 2.- Hallar la ir¡pedancia de entrada, la ganancia de tensión, y la impedancia de salida del amplificador de la fígura 2.' 3.- Para el circuito de la figura 3. a) calcular los puntos de trabajo lco,Vceo y graficar la recta de carga. b) Calcular los factores de estabilidad Sr.ro y Sur.. 4.'Para el ciicuito de la figura 3. Calcular la impeOancia de entrada, la ganancia de tensión, y la impedancia de salida.

K-l

ur.{/V:

YP: zv

Fig.2.

8c

10te +

É= i00 Vgs =0,? \,¡

I %'

X¡

5tO

fi¡t 100f¡

'ft.¡s'r

800f)

Fie.3. ETN-s03

Página

I

L

UNIVERSIDAD MAYOR

DE SAN

ANDRÉS

FACULTAD DE INGENIERíA INGENIERíA ELECTRÓNICA _ GESTIÓN II / 2011 ETN .503 (LABORATORTO No1 ) TIEMPO DE DESARROLLO DEL EXAMEN:45 MINUTOS

1.- Se dispone de un transformador con una salida en el secundario Vr=5cos(314t). Diseñar un circuito para alimentar un grabador de microcontrolador que necesita un voltaje de entrada de 12lVl

Y

Ir-rur=20OmA.

2.- Par el circuito de la figura 1. Dibujar el voltaje*de salida.

Figura 1 3.- Diseñe un circuito utilizand.o diodos zener y diodos de unión pn y resistores tal que, al aplicar la señal de entrada Vi entregue una salida Vo como se muestra en la figura 2.

Figura 2 4.- Determinar un circuito para obtener una aproximación lineal le la función que se muestra en la figura 3.

(-

I.

--16-é

f¡.: qJ -F

\_ l¡ +^*-u ru \nr

\¡- ^¿v .l_

t_ r--_ ¿ Y-

Yl

Y

t

\s

2

-¡-*o

-;- ?V

- Z*J- , -

rr'-

I

: -

\

-\ t

=\-

R,,. t1¡//{3

)

,I

ll

\-t-*,:"! h-

i \

L

u*

]

I :oo R,-_ .O

r

- (oo,,--

z*. *i

Y1

?(>

Fn

-

F"r

ETN-503 P¡

Pt¡ I *,

UNIVERSIDAD MAYOR

DE SAN

ANDRÉS

FACULTAD DE INGENIERÍA INGENIERÍA ELECTRÓNICA - GESTIÓN II/ 2012 ETN .503 (LABORATORto N"1) TIEMPO DE DESARROLLO DEL EXAMEN: 90 MTNUTOS

1.- El circuito de la figura tiene una tensión Vi=O,1coitw"tl a) Hallar Ia tensión de reposo del diodo y la corriente del diodo (Diodo de silicio). b) Determinar la resistencía dinámica del diodo. c) Calcular Vo

2.- ) Determinar VL, IL,Iz e IR para la red mostrada. Si RL=180ohm b) repita el inciso a) si Rl:470ohm c) Determine e1 valor de R.L que establecerá 1as condiciones de potencia máxim

Zener.

a para el diodo

Rs

+

RL

VL

Fzntax=4flünrW

3.' se dispone de un transformador con salida en el secundario v,=gcos(3141). Diseñar una fuente de alimentación para alimentar una carga que necesita un voltaje de entrada de 7[Vj en el cual la corriente de carga puede variar entre 12[mA] y 100[mA]. 4.- Determinar un circuito para obtener una aproximacién lineal le la función que se muestra en la figura

i(tXmAl

vlvl

ETN-503

Página 1

UNIVERSIDAD MAYOR

DE SAN

ANDRÉS

FACULTAD DE INGENIERíA INGENIERIA ELECTRÓNICA - GESTIÓN II / 2011 ETN .503 (LABORAToRIO No2) TIEMPO DE DESARROLLO DEL EXAMEN:45 MINUTOS

1.- Realizar un análisis sobre las curvas características de salida para los transistores BIPOLARES y UNIPOLARES, en los unipolares considere un JFET, MOSFET DEL TIPO DECREMENTAL y UN MOSFET DEL TIPO INCREMENTAL. Describa diferencias y características entre todos estos.

2.-

Para el circuito de la figura 1. Calcular lco y Vceo para el transistor de silicio. Si: a) V*r=2¡y1 b) Vaa=1OVI 3.- Para el circuito de la figura 2. Calcular lco, Vceo y graficar la recta de carga.

d=

50

VcEsar=O.1 V

Fisura

1

Fisura 2

4.- En el circuito de la figura 3, se tiene un FET de canal n. Determinat lpq y Ve5q. 5.- Determinar V65 y Vps para el transistor E-MOSFET de Ia figura 4.

Fisura 3 ETN.5O3

Fieura 4 Página

1"

ler Examen Frevio

PARALELO: I NOTA:

A

ETN - 5S3

1,fr NOMBRE Y APELLIDOS:

ila.,,td

Calcin.r

c kan,.\

i

6Algacs

PREG{JNTA 1: lEncierre en un circula Ia resnuesta correcta rectificadores con filtrado de condensador, se obtiene mejor factor de ondulación cuando: d) Ninguna c) La capacidad del filtro y la b) La capacidad delfiltro es La capacidadlé1 filtro y la y son resistencia de carga alta la resistencia de carga resistencia.{y'carga son L.1-) En los

bajas

es baja

L.2 ) En los rectificadores de onda completa con transformador (el de dos diodos y el de puente de diodos), tomando la misma tensión en el primario del transformador, la corriente que atraviesa los diodos isuponer diodos ideales): a) Es el doble en el puente de diodos 1.3) En un circuito regulador por Zener sin carga

a)disminuye

d) Ninguna

@ Es el doble en e,l, y' rectificador con dffi iodos

(RL)=),

si la resistencia en serie d

inuye, la corriente zener: d) es igual alvoltaje dividido entre las dos resistencia

b) se mantiene constante

1.4) El voltaje de la carga en un regulador zener es aproximadamente constante cuando el diodo zener está: sin po!a+í:ar e)^epe+a+:*1e--enJ+-. €Éien d€--.

ruptura

PREGUNTA 2: Construir un circuito lineal por tramos, como lCa a relación I ImAl vs. V lVolt

se muestra en

la FIGURA 1, en base

a

"q u,/

para obtener una

NT ft!

Vz=l-0V P¿nr¿x=40OnrW FIGURA I

F U) n

ITIGtJItA 2

PREGUNTA 3: En el circuito mostrado en la Figura 2: a) Determinar Vr, Ir, Iz e In para la red mostrada. Si IL:170 [O] b) Dctcrminar Vr.. Il., 17 c I¡1para la red mostrada. Si &.:480 [()] c) Determine el valor de RL que establecerá las condiciones de potencia máxima para el diodo Zener.

VL

UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRÉS FACULTAD DE INGENIERÍA TNGENIERÍA ELEcTRóNrcA _ éEaiidN n / 2012 -s03 (LABORAToRtO N"6) __ llry TIEMPO DE DESARROLLO DEL EXAMEN:'OO Nr¡lUros

1.- Calcule la potencia de entrada,lapotenciadesalidaylaeficien"iáffi figura 1, para un voltaje de entrada que produce una corriente de 1OmA. calcule tamnién ra potencia disipada por el transistor.

2) Para el circuito de la figura 2 Rr=6¡¿. Si los valores de los componentes de circuito producen una

corriente de base cd de 6mA y la señal de entrada(V¡) procluce una excursión de corriente de base de 4mA. Calcular la eficiencia del amplificador y la potencía disipada por el transistor.

3) Para cl circuito clo la figura 3. a) Calcrrlar el rendimierrto y la potencia disipada por cada transistor para una entrada de .l2Vrms. b) Si la señal de entrada se incrementa para brindar ta máxima salida sirr distorsión. Calcule el rendirniento y la potencia disipacla por cada transistor.

ri'r'N-503.*-€

Págirra

1

UNIVEI]SIDAD MAYOR DE SAN ANDRÉS FACULTAD DE INGENIERIA INGENIERIA ELECTRÓNICA - GESTIÓN II/ 2012 ETN -503 (LABORATORTO N"7 y LABORATOR¡O NoB) TIEMPO.DE DESARROLLO DEL EXAMEN:60 MTNUTOS

1.- Analizar ol circuito dc la Figura 1. Hallar la expresión

de i,

2.- Si Vi(t)= l0nrcos(100n) graficar la fornra de onda del voltaje cle salida Vo.(Figura 2)

tlr A

r-\AA-t

r-----14^,

ó

1D>-I--i

L-.-aft

I'a

I:

(,,

to

1t Cugr

F : I;igura

I

I'-igura 2

3.- Analizar el circuito de la Figura 3. Hallar la expresión de

i,

i\b¡o.'

Figura

Á-1

R.r

-R:

Rr

3

ETN-503

Página

t.

1