• Author / Uploaded
• Erik Romero C

Citation preview

INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA

INGENIERIA EN COMUNICACIONES Y ELECTRONICA

Microprocesadores

Practica 2 6CM1  ROMERO CARRILLO ERIK URIEL

Bravo León José Luis

Marco Teórico: Las dos principales categorías de memorias semiconductoras son las memorias RAM y ROM. La memoria RAM (Random-Access Memory, memoria de acceso aleatorio) es un tipo de memoria en la que se tarda lo mismo en acceder a cualquier dirección de memoria y éstas se pueden seleccionar en cualquier orden, tanto en una operación de lectura como de escritura. Todas las RAM poseen la capacidad de lectura y escritura. Debido a que las memorias RAM pierden los datos almacenados cuando se desconecta la alimentación, reciben el nombre de memorias volátiles. La memoria ROM (Read-Only Memory, memoria de sólo lectura) es un tipo de memoria en la que los datos se almacenan de forma permanente o semipermanente. Los datos se pueden leer de una ROM, pero no existe la operación de escritura como en las RAM. La ROM, al igual que la RAM, es una memoria de acceso aleatorio pero, tradicionalmente, el término RAM se reserva para las memorias de acceso aleatorio de lectura Las RAM son memorias de lectura-escritura en las que los datos se pueden escribir o leer en cualquier dirección seleccionada en cualquier secuencia. Cuando se escriben los datos en una determinada dirección de la RAM, los datos almacenados previamente son reemplazados por la nueva unidad de datos. Cuando una unidad de datos se lee de una determinada dirección de la RAM, los datos de esa dirección permanecen almacenados y no son borrados por la operación de lectura. Esta operación no destructiva de lectura se puede entender como una copia del contenido de una dirección, dejando dicho contenido intacto. La RAM se utiliza habitualmente para almacenamiento de datos a corto plazo, ya que no puede conservar los datos almacenados cuando se desconecta la alimentación. Dichos tipos son la DRAM con modo página rápido (Fast Page Mode, FPM DRAM), la DRAM con salida de datos extendida (Extended Data Output, EDO DRAM), la DRAM con salida de datos extendida en ráfaga (Burst Extended Data Output, BEDO DRAM) y la DRAM síncrona (Synchronous DRAM, SDRAM)

Desarrollo: Comenzamos por hacer el diagrama del punto uno en una protoboard, para probarlo tenemos A0 y A1 que cada una de ellas va a ser la selección de memoria que queremos activar, para cada una de las memorias tenemos 4 selecciones, para poder mostrarlo en el display. Por ejemplo al tener dos selectores, tenemos 4 combinaciones: 00, 01,11,10. Una vez comprobadas las 4 memorias pasamos el asegundo paso

Segunda parte: Para esta segunda parte de la practica y una vez comprobada la primera seccion, buscamos una pareja con el fin de que a la salida se pudieran conectar los 2 displats, o sea que fuera de 8 bits, conectando mutuamente nuestrs selectores y programando la memoria como nos lo indica el cuadro.

Tercera parte. Para esta seccion lo que hicimos fue ocupar una compuerta logica Not. Conectamos nuestras 4 salidas juntos, y programamos nuestras memorias como lo indica la tabla, ahora lo que hicimos fue conectar nuestro C.E. a la compuerta para que actuara como el tercer bit de selesccion, asi la selección 000 correspondia a una memoria, y 100 correspondia a la del compañero.

Conclusión: Con esta practica pudimos interactuar físicamente y darnos cuenta como se comportan las memorias, como seleccionamos cada una de ellas y como se pueden juntar y hacer mas grandes los bits. Como conectar el chip enable, para que sea el tercer bit de selección y direccionar una u otra memoria, dependiendo que es lo que queramos. Reforzamos los conocimientos vistos en teoría y los comprobamos físicamente. Bibliografía Fundamentos de sistemas digitales. Tomas L. Floyd, 9na Edicion, Pearson.