Tarea 2 Circuitos Jorge Rodas

DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS SOPORTE Y MANTENIMIENTO DE EQUIPOS DE COMPUTACIÓN Semestre IV TAREA 2 1. Utiliz

Views 62 Downloads 2 File size 442KB

Report DMCA / Copyright

DOWNLOAD FILE

Recommend stories

Citation preview

DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

SOPORTE Y MANTENIMIENTO DE EQUIPOS DE COMPUTACIÓN

Semestre IV

TAREA 2 1. Utiliza Herramientas de simulación para el análisis de circuitos con transmisores.

A.- Interruptor cerrado: Con el interruptor cerrado, la resistencia es 0, por tanto, la intensidad que pasa por la 𝑅𝐵 𝑑𝑒 100𝑘, 300µA va toda a masa a través del interruptor cerrado. La intensidad de la base 𝐼𝐵 = 0, 𝐼𝑐 = 0 por tanto el transistor está en corte.

a) Interruptor abierto:

malla de colector: 𝑽𝑻 = 𝑰𝑪𝑹𝑪 + 𝑽𝑪𝑬 (𝒅𝒆𝒔𝒑𝒆𝒋𝒂𝒎𝒐𝒔 𝑰𝑪) 𝑰𝑪 =

𝑽𝑻 − 𝑽𝑪𝑬

𝟑𝟎 − 𝟎, 𝟕 =

𝑹𝒄 malla de base :

𝟐 = 𝟏𝟒, 𝟔𝟓 𝒎𝑨

𝑽𝑻 = 𝑰𝑩𝑹𝑩 + 𝑽𝑩𝑬(𝒅𝒆𝒔𝒑𝒆𝒋𝒂𝒎𝒐𝒔 𝑰𝑩) 𝑰𝑩 =

𝑽𝑻 − 𝑽𝑩𝑬

𝟑𝟎 − 𝟎, 𝟐 =

𝑹𝑩

= 𝟎, 𝟐𝟗𝟖 𝒎𝑨 𝟏𝟎𝟎

𝑮 . 𝑰𝑩 = 𝟔𝟎 . 𝟎, 𝟐𝟗𝟖𝒎𝑨 = 𝟏𝟕, 𝟗𝟖𝒎𝑨 𝑰𝑩 ≤ 𝑮. 𝑰𝑩 𝒑𝒐𝒓 𝒕𝒂𝒏𝒕𝒐 𝒆𝒍 𝒕𝒓𝒂𝒏𝒔𝒊𝒔𝒕𝒐𝒓 𝒆𝒔𝒕á 𝒆𝒏 𝒔𝒂𝒕𝒖𝒓𝒂𝒄𝒊ó𝒏

malla de colector: 𝑽𝑻 = 𝑰𝑪𝑹𝑪 + 𝑽𝑪𝑬(𝒅𝒆𝒔𝒑𝒆𝒋𝒂𝒎𝒐𝒔 𝑰𝑪) 𝑰𝑪 =

𝑽𝑻 − 𝑽𝑪𝑬

𝟏𝟎 − 𝟎, 𝟕 =

= 𝟒, 𝟐𝟑𝒎𝑨 𝟐.

𝑹𝑪

malla de base: 𝑽𝑻 = 𝑰𝑩𝑹𝑩 + 𝑽𝑩𝑬(𝒅𝒆𝒔𝒑𝒆𝒋𝒂𝒎𝒐𝒔 𝑰𝑩) 𝑰𝑩 =

𝑽𝑻 − 𝑽𝑩𝑬 𝑹𝑩

𝟓 − 𝟎, 𝟐 =

= 𝟎, 𝟏𝟐𝒎𝑨 𝟒𝟎

𝑮 . 𝑰𝑩 = 𝟏𝟎𝟎 . 𝟎, 𝟏𝟐𝒎𝑨 = 𝟏𝟐𝒎𝑨 𝑰𝑪 ≤ 𝑮 . 𝑰𝑩 𝒑𝒐𝒓 𝒕𝒂𝒏𝒕𝒐 𝒆𝒍 𝒕𝒓𝒂𝒏𝒔𝒊𝒕𝒐𝒓 𝒆𝒔𝒕á 𝒆𝒏 𝒔𝒂𝒕𝒖𝒓𝒂𝒄𝒊ó𝒏

malla de colector: 𝑽𝑻 = 𝑰𝑪𝑹𝑪

𝑰𝑪 =

+ 𝑽𝑪𝑬(𝒅𝒆𝒔𝒑𝒆𝒋𝒂𝒎𝒐𝒔 𝑰𝑪)

𝟏𝟎 − 𝟕, 𝟓𝟗 𝑽𝑻 − 𝑽𝑪𝑬 = 𝑹𝑪 𝟐. 𝟐 = 𝟏, 𝟎𝟗𝒎𝑨

Para que esté en activa 𝑰𝑪 = 𝑮 . 𝑰𝑩 por tanto 𝑰𝑪 𝟏,𝟎𝟗 𝒎𝑨 𝑰 = = 𝟎, 𝟎𝟏𝟎𝟗𝒎𝑨 = 𝑩

𝑮

𝟏𝟎𝟎

𝟏𝟎, 𝟗𝝁𝑨 malla de base: 𝑽𝑻 = 𝑰𝑩𝑹𝑩 + 𝑽𝑩𝑬(𝒅𝒆𝒔𝒑𝒆𝒋𝒂𝒎𝒐𝒔 𝑹𝑩) 𝑹𝑩 =

𝟓 − 𝟎, 𝟔𝟐𝟓 𝑽𝑻 − 𝑽𝑩𝑬 = = 𝟒𝟎𝟏𝑲 𝑰𝑩 𝟎, 𝟎𝟏𝟎𝟗