DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS SOPORTE Y MANTENIMIENTO DE EQUIPOS DE COMPUTACIÓN Semestre IV TAREA 2 1. Utiliz
Views 62 Downloads 2 File size 442KB
DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
SOPORTE Y MANTENIMIENTO DE EQUIPOS DE COMPUTACIÓN
Semestre IV
TAREA 2 1. Utiliza Herramientas de simulación para el análisis de circuitos con transmisores.
A.- Interruptor cerrado: Con el interruptor cerrado, la resistencia es 0, por tanto, la intensidad que pasa por la 𝑅𝐵 𝑑𝑒 100𝑘, 300µA va toda a masa a través del interruptor cerrado. La intensidad de la base 𝐼𝐵 = 0, 𝐼𝑐 = 0 por tanto el transistor está en corte.
a) Interruptor abierto:
malla de colector: 𝑽𝑻 = 𝑰𝑪𝑹𝑪 + 𝑽𝑪𝑬 (𝒅𝒆𝒔𝒑𝒆𝒋𝒂𝒎𝒐𝒔 𝑰𝑪) 𝑰𝑪 =
𝑽𝑻 − 𝑽𝑪𝑬
𝟑𝟎 − 𝟎, 𝟕 =
𝑹𝒄 malla de base :
𝟐 = 𝟏𝟒, 𝟔𝟓 𝒎𝑨
𝑽𝑻 = 𝑰𝑩𝑹𝑩 + 𝑽𝑩𝑬(𝒅𝒆𝒔𝒑𝒆𝒋𝒂𝒎𝒐𝒔 𝑰𝑩) 𝑰𝑩 =
𝑽𝑻 − 𝑽𝑩𝑬
𝟑𝟎 − 𝟎, 𝟐 =
𝑹𝑩
= 𝟎, 𝟐𝟗𝟖 𝒎𝑨 𝟏𝟎𝟎
𝑮 . 𝑰𝑩 = 𝟔𝟎 . 𝟎, 𝟐𝟗𝟖𝒎𝑨 = 𝟏𝟕, 𝟗𝟖𝒎𝑨 𝑰𝑩 ≤ 𝑮. 𝑰𝑩 𝒑𝒐𝒓 𝒕𝒂𝒏𝒕𝒐 𝒆𝒍 𝒕𝒓𝒂𝒏𝒔𝒊𝒔𝒕𝒐𝒓 𝒆𝒔𝒕á 𝒆𝒏 𝒔𝒂𝒕𝒖𝒓𝒂𝒄𝒊ó𝒏
malla de colector: 𝑽𝑻 = 𝑰𝑪𝑹𝑪 + 𝑽𝑪𝑬(𝒅𝒆𝒔𝒑𝒆𝒋𝒂𝒎𝒐𝒔 𝑰𝑪) 𝑰𝑪 =
𝑽𝑻 − 𝑽𝑪𝑬
𝟏𝟎 − 𝟎, 𝟕 =
= 𝟒, 𝟐𝟑𝒎𝑨 𝟐.
𝑹𝑪
malla de base: 𝑽𝑻 = 𝑰𝑩𝑹𝑩 + 𝑽𝑩𝑬(𝒅𝒆𝒔𝒑𝒆𝒋𝒂𝒎𝒐𝒔 𝑰𝑩) 𝑰𝑩 =
𝑽𝑻 − 𝑽𝑩𝑬 𝑹𝑩
𝟓 − 𝟎, 𝟐 =
= 𝟎, 𝟏𝟐𝒎𝑨 𝟒𝟎
𝑮 . 𝑰𝑩 = 𝟏𝟎𝟎 . 𝟎, 𝟏𝟐𝒎𝑨 = 𝟏𝟐𝒎𝑨 𝑰𝑪 ≤ 𝑮 . 𝑰𝑩 𝒑𝒐𝒓 𝒕𝒂𝒏𝒕𝒐 𝒆𝒍 𝒕𝒓𝒂𝒏𝒔𝒊𝒕𝒐𝒓 𝒆𝒔𝒕á 𝒆𝒏 𝒔𝒂𝒕𝒖𝒓𝒂𝒄𝒊ó𝒏
malla de colector: 𝑽𝑻 = 𝑰𝑪𝑹𝑪
𝑰𝑪 =
+ 𝑽𝑪𝑬(𝒅𝒆𝒔𝒑𝒆𝒋𝒂𝒎𝒐𝒔 𝑰𝑪)
𝟏𝟎 − 𝟕, 𝟓𝟗 𝑽𝑻 − 𝑽𝑪𝑬 = 𝑹𝑪 𝟐. 𝟐 = 𝟏, 𝟎𝟗𝒎𝑨
Para que esté en activa 𝑰𝑪 = 𝑮 . 𝑰𝑩 por tanto 𝑰𝑪 𝟏,𝟎𝟗 𝒎𝑨 𝑰 = = 𝟎, 𝟎𝟏𝟎𝟗𝒎𝑨 = 𝑩
𝑮
𝟏𝟎𝟎
𝟏𝟎, 𝟗𝝁𝑨 malla de base: 𝑽𝑻 = 𝑰𝑩𝑹𝑩 + 𝑽𝑩𝑬(𝒅𝒆𝒔𝒑𝒆𝒋𝒂𝒎𝒐𝒔 𝑹𝑩) 𝑹𝑩 =
𝟓 − 𝟎, 𝟔𝟐𝟓 𝑽𝑻 − 𝑽𝑩𝑬 = = 𝟒𝟎𝟏𝑲 𝑰𝑩 𝟎, 𝟎𝟏𝟎𝟗