• Author / Uploaded
• eduardo jesus

• Categories
• Almacenamiento de datos de la computadora
• Memoria dinámica de acceso aleatorio
• Poco
• Hardware de la computadora
• Áreas de informática

Citation preview

UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN ANTONIO ABAD DEL CUSCO ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

SISTEMAS DIGITALES II TRABAJO ENCARGADO MEMORIA RAM 4X4 INFORME FINAL DOCENTE:

ING. PALOMINO LOPEZ ALEXANDER

ALUMNOS:

CANDIA VILLAFUERTE EDUARDO JESUS

SEMESTRE:

2019-I

Cusco – Perú 2019

103183

INDICE

1. MARCO TEORICO 2. SIMULACION 3. MATERIALES 4. ARMADO DEL CIRCUITO

1. MARCO TEORICO LA MEMORIA La memoria es un dispositivo electrónico el cual puede almacenar bits de información permanentemente o transitoriamente; dicha información puede estar conformada por datos a ser procesados o instrucciones de programas. En el caso de las memorias RAM (random acces memory) estas son llamadas memorias volátiles porque debe ser abastecida de energía. Si la energía es interrumpida se pierden los datos. Las memorias RAM se dividen en estaticas (SRAM) y dinámicas (DRAM). Las SRAM almacenan los bits utilizando flip-flops, tienen la propiedad de retener su contenido mientras estén conectadas a la fuente de alimentación. Las DRAM se compone de celdas que almacenan datos utilizando capacitores. La presencia o ausencia de carga en el capacitor se interpreta como un 1 o un 0 binario. Debido a la tendencia a descargarse de los capacitores, las memorias DRAM requieren refrescarse para evitar la pérdida de datos.

*estructura general de una memoria RAM

En el esquema simplificado de la figura anterior se muestran tres elementos, la memoria en sí, el decodificador y el registro de dirección. La memoria está formada básicamente por 2n registros apilados. Para indicar cada uno de los registros, utilizaremos lo que llamaremos dirección de memoria, un número que identifica la localidad del registro dentro de la memoria. Cada uno de estos registros se denomina palabra, y puede tener un tamaño que en las computadoras de hoy en día

varía comúnmente de 4 a 64 bits. Para indicar el tamaño de la memoria, se usa el termino de capacidad, que es el número de bits que almacena. Normalmente la capacidad se indica en Bytes (1 byte = 8 bits). Una manera de expresar el tamaño de la memoria es el mostrado en la figura, donde la capacidad es 2n x m. El primer número (2n) indica el número de palabras y el segundo (m) el número de bits de cada palabra. Todo sistema de memoria requiere diferentes tipos de líneas de entrada y salida para desempeñar sus funciones básicas de escritura y lectura. Así tendremos líneas de entradas de direccionamiento, líneas de entrada de datos, una línea de entrada para el control de escritura o lectura, una línea de entrada para seleccionar la memoria y las líneas de salida de datos. Las líneas de direccionamiento sirven para tener acceso a una de las localidades de memoria, bien sea para escribir en ella o para leer su contenido. Estas líneas son las salidas del decodificador de direcciones. Un decodificador posee n entradas y 2n salidas. Todas las salidas estarán en cero menos la correspondiente a la combinación de entrada. Así sí que queremos efectuar una operación en la dirección 101, por ejemplo, el número correspondiente a esta dirección estará almacenado en binario en el registro de dirección. Las salidas del registro de dirección son las entradas del decodificador, lo que activará la salida correspondiente del decodificador, y esta habilitará para escritura o lectura la dirección de la palabra correspondiente en la memoria. Las líneas de entradas son para ingresar datos a una dirección determinada de la memoria. La entrada estará disponible en todas las palabras de la memoria, y solo se guardará en la dirección seleccionada. Las líneas de salida permitirán que la palabra seleccionada propague su contenido hacia la salida. La línea de control LECTURA/ESCRITURA permitirá guardar el dato de la línea de entrada en la dirección seleccionada o leer en las líneas de salida el dato contenido en la dirección seleccionada. La línea de SELECCION permite seleccionar una porción de la memoria. (Una memoria está formada por varios chips de memoria, cada uno de esos chips posee una línea de selección que lo activa cuando está en uso.) Para entender mejor el funcionamiento de una memoria consideremos la figura que se muestra a continuación:

La figura anterior muestra un segmento de la memoria. Se observan solamente las palabras i-1, i, i+1 de las 2ndirecciones y solamente los primeros 3 bits de cada dirección. Las líneas i-1, i, i+1 son las salidas del decodificador (de las 2n líneas posibles). Solamente estará en 1 la línea correspondiente a la dirección almacenada en el registro de memoria, y que será la dirección de memoria en la cual queremos guardar un dato o desde la cual queremos leer un dato. El contenido de una dirección pasara por la compuerta AND a la salida del flip-flop de esa dirección. Esta será la dirección correspondiente a la almacenada en el registro de dirección. El contenido del registro direccionado se propagará a través de la cadena de OR hacia la salida de datos. Los datos de entrada están disponibles en la entrada de todas las direcciones de la memora. Un pulso en la línea de ESCRIBIR pasará solamente a través de uno de las 2n compuertas AND a las cuales está conectado y que corresponde a la dirección almacenada en el registro de dirección Para leer una palabra desde la memoria: 1. La línea de ESCRITURA debe estar en cero 2. La dirección de la palabra desde la cual se quiere leer un dato se coloca en el registro de dirección 3. El contenido de la dirección seleccionada se lee en la salida de datos.

Para escribir una palabra en la memoria: 1. La dirección en la cual queremos escribir un dato se coloca en el registro de dirección. 2. El dato que queremos guardar se coloca en la entrada de datos.

3. Se aplica un pulso en la línea de ESCRITURA( seleccionada guarda el dato.

2. SIMULACION Circuito memoria 3x3:

*vista general de la simulación

) con lo que la dirección

*Esquema y configuración del multiplexor 3:8 74138

*datos de entrada

*circuito de memoria 3x3

*Circuito de salida

Circuito memoria 4x4:

*Vista general de la simulación

*circuito de seleccionador (74138)

*circuito para datos de entrada

*Circuito de memoria 4x4

*circuito de salida 3. MATERIALES PARA LA MEMORIA 3X3:

PARA LA MEMORIA 4X4:

5. MONTANJE DEL CIRCUITO