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EJERCICIOS ANALISIS EN DC DEL TRANSISTOR BJT EJERCICIOS DEL TALLER 3 Y 4

DOCENTE: ANDREA MARIN

MICHAELL IBBAN GARCIA PERDOMO

UNIVERSIDAD ANTONIO NARIÑO, SEDE BUGANVILES PROGRAMA DE INGENIERÍA ELECTRONICA NEIVA, HUILA OCTUBRE 2018

3

DATOS: IE: 4mA

IB: 20µA

VCE: 7.2V

𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐵

𝛽=

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵

𝐼𝐶 𝐼𝐵

FORMULAS:

𝑉𝐶𝐸 = −𝑅𝐶(𝐼𝐶) + 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶(𝐼𝐶) + 𝑉𝐶𝐸

HALLAR: 𝐼𝐶=? 𝑉𝐶𝐶=?

𝛽=? 𝑅𝐵=?

𝐼𝐶 = 4𝑚𝐴 − 20µ𝐴

𝑉𝐶𝐶 = 2.2𝐾(3.98𝑚𝐴) + 7.2𝑉

𝐼𝐶 = 3.98𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐶 = 15.956𝑉 𝐴𝑃𝑅𝑂𝑋 16𝑉

𝛽=

3.98𝑚𝐴 20µ𝐴

𝛽 = 199

−𝑉𝐵𝐵 + 𝑅𝐵(𝐼𝐵) + 0.7𝑉 = 0 −16 + 𝑅𝐵(20µ𝐴) + 0.7𝑉 = 0 𝑅𝐵 =

𝑅𝐵 = 765𝐾Ω

16𝑉 − 0.7𝑉 20µ𝐴

4

DATOS: VCC: 20V

RC: 2.4KΩ

RB: 510KΩ

RE: 1.5KΩ

β=100

ICQ=?

VCEQ=?

VC=?

VB=?

HALLAR: IBQ=?

−20𝑉 + 510𝐾Ω(𝐼𝐵) + 0.7𝑉 + 1.5𝐾Ω(𝐵 + 1)𝐼𝐵 = 0

510𝐾Ω(𝐼𝐵) + 1.5𝐾Ω(101)𝐼𝐵 = 20𝑉 − 0.7𝑉 661.5𝐾Ω(𝐼𝐵) = 20𝑉 − 0.7𝑉 𝐼𝐵 =

20𝑉 − 0.7𝑉 661.5𝐾Ω

𝐼𝐵 = 29.17µ𝐴

VE=?

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵

𝐼𝐶 = 100(29.17µ𝐴) 𝐼𝐶 = 2.92𝑚𝐴 −20𝑉 + 2.2𝐾Ω(𝐼𝐶) + 𝑉𝐶𝐸 + 1.5𝐾Ω(𝐵 + 1)𝐼𝐵 = 0 −20𝑉 + 2.2𝐾Ω(2.92𝑚𝐴) + 𝑉𝐶𝐸 + 1.5𝐾Ω(101)𝐼𝐵 = 0 −20𝑉 + 2.2𝐾Ω(2.92𝑚𝐴) + 𝑉𝐶𝐸 + 1.5𝐾Ω((101)(29.17µ𝐴)) = 0 𝑉𝐶𝐸 = 20 − 10.84

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸

𝑉𝐶𝐸 = 9.15𝑉

𝑉𝐶 = 13.56𝑉

𝑉𝐵 = 0.7 + 𝑉𝐸 = 5.11

𝑉𝐸 = 1.5𝐾Ω(2.94𝑚𝐴)=4.41V