Preparatorio 4 Dispositivos Electronicos Epn

ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS Pr

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ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

Preparatorio #4

Tema: Rectificación de media onda y onda completa Estudiante: Bonilla Lema Cristian A., Uribe Herrera Jorge Alexander Paralelo: GR6 Fecha: 31/05/2017

Rectificación de media onda y onda completa Bonilla Lema Cristian A. Uribe Herrera Jorge Alexander Laboratorio de Dispositivos Electrónicos, Departamento Electrónica, Telecomunicaciones y Redes de Información, Escuela Politécnica Nacional Quito, Ecuador [email protected] [email protected]

Resistencia térmica típica

Objetivos: 

Familiarizar al estudiante con el proceso de rectificación, que aprenda a reconocer y considerar los factores que en ella intervienen.

PREPARATORIO I.

CONSULTAR LAS CARACTERÍSTICAS DE UN PUENTE RECTIFICADOR INTEGRADO (1A, 200VPI)

Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento

40

°C/W

-65 a +150

°C

II. ANALIZAR LOS CIRCUITOS RECTIFICADORES DE MEDIA ONDA, ONDA COMPLETA CON TAP CENTRAL Y ONDA COMPLETA TIPO PUENTE. CALCULAR LOS VALORES AC Y DC DE VOLTAJE Y CORRIENTE. UTILIZAR UNA FUENTE DE 12VRMS Y COMO CARGA UNA RESISTENCIA DE 1.2 KΩ. 1.

Análisis para rectificador de media onda.

Fig.2

𝑉𝑖𝑛 = 12√2𝑠𝑒𝑛(𝜔𝑡) 𝐴𝑠𝑢𝑚𝑖𝑒𝑛𝑑𝑜 𝑢𝑛𝑎 𝑓𝑟𝑒𝑐𝑢𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 60𝐻𝑧

Fig.1 Puente rectificador integrado DB103 Tabla de valores característicos del integrado DB103 Valor

Unidad

Voltaje inverso máximo recurrente

200

[V]

Voltaje RMS máximo de entrada

140

[V]

Voltaje de bloqueo DC máximo

200

[V]

1

[A]

50

[A]

por

1.1

[V]

Corriente inversa máxima DC Ta=25°C I2t evaluación de fusión (t