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• Sleyter Villafuerte

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SOLUCIONARIO DE LA PRIMERA PRÁCTICA CALIFICADA 2018-1 DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS (EE411-M) PROFESOR: Ing. Juan Tisza. 1.- a) ¿Calcular la resistividad del silicio intrínseco a 300K ? 𝝆=

𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 = = = −𝟏𝟗 𝝈 𝒆(𝒏𝝁𝒏 + 𝒑𝝁𝒉 ) 𝒆𝒏𝒊 (𝝁𝒏 + 𝝁𝒉 ) 𝟏, 𝟔. 𝟏𝟎 . 𝟏, 𝟓𝟒. 𝟏𝟎𝟏𝟎 (𝟏𝟑𝟓𝟎 + 𝟒𝟕𝟓)

𝝆=

𝟏 = 𝟐𝟐𝟐𝟑𝟖𝟎 Ω − 𝒄𝒎 𝟏, 𝟔. 𝟏𝟎−𝟏𝟗 . 𝟏, 𝟓𝟒. 𝟏𝟎𝟏𝟎 (𝟏𝟑𝟓𝟎 + 𝟒𝟕𝟓)

b)¿Si se añade una impureza donadora en una proporción de un atomos por 𝟏𝟎𝟖 atomos de silicio hallar la resistividad en ohmios-cm?

Sabemos por tablas que la densidad atómica o molecular del silicio es 5.𝟏𝟎𝟐𝟐 1/𝒄𝒎𝟑 Luego: 𝑵𝑫 =

𝟓.𝟏𝟎𝟐𝟐 𝟏𝟎𝟖

= 𝟓. 𝟏𝟎𝟏𝟒

𝑵𝑨 ≅ 𝟎

𝑵𝑫 ≫ 𝟐𝒏𝒊 Entonces: n =𝑵𝑫 = 𝟓. 𝟏𝟎𝟏𝟒 𝝆=

𝟏 𝟏 𝟏 = = = 𝟐𝟔, 𝟑𝟏𝟓𝟖 Ω − 𝒄𝒎 −𝟏𝟗 𝝈 𝒆𝒏𝝁𝒏 𝟏, 𝟔. 𝟏𝟎 . 𝟓. 𝟏𝟎𝟏𝟒 . 𝟒𝟕𝟓

2.Consideramos una muestra de AsGa cuya geometria es un cilindro de 50 um de largo , con un radio de 5um. b)Calcular la resistencia (en funcion de la temperatura ) entre los extremos del cilindro .Dibujar la respuesta .

𝑹=𝝆 𝑹=

𝑳 𝝅𝒓𝟐

=𝝆

𝟓.𝟏𝟎−𝟑 𝝅(𝟓.𝟏𝟎−𝟒 )𝟐

= 𝝆. 𝟔𝟑𝟔𝟔, 𝟐 =

𝟔𝟑𝟔𝟔,𝟐 𝝈

𝟔𝟑𝟔𝟔, 𝟐 𝟔𝟑𝟔𝟔, 𝟐 𝟔𝟑𝟔𝟔, 𝟐 = = 𝝈 𝟏, 𝟔. 𝟏𝟎−𝟏𝟗 . (𝟖𝟓𝟎𝟎 + 𝟒𝟎𝟎). 𝒏𝒊 𝒆𝒏𝒊 (𝝁𝒏 + 𝝁𝒉 )

𝑹=

𝟒, 𝟒𝟕. 𝟏𝟎𝟏𝟖 𝒏𝒊

=

𝟒, 𝟒𝟕. 𝟏𝟎𝟏𝟖 𝑨𝒐

𝑹=

𝟑 𝑬𝒈 𝑻𝟐 𝒆𝟐𝑲𝑻

𝟏𝟎𝟓𝟏𝟕. 𝟔 𝟑 𝟖𝟑𝟓𝟐.𝟔𝟕 𝑻𝟐 𝒆 𝑻

=

𝟒, 𝟒𝟕. 𝟏𝟎𝟏𝟖 𝟏.𝟒𝟒 𝟑 𝟏𝟒 𝟐 𝟐.𝟖,𝟔𝟐.𝟏𝟎−𝟓 .𝑻 𝟒, 𝟐𝟓. 𝟏𝟎 𝑻 𝒆