Preparatorio 3

ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS Pr

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ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

Preparatorio #3

Tema: Aplicaciones del diodo (Circuitos conformadores de onda) Estudiante: Uribe Herrera Jorge Alexander Paralelo: GR6 Fecha: 17/05/2017

Aplicaciones del diodo (Circuitos conformadores de onda) Jorge Alexander Uribe Herrera [email protected]

Laboratorio de Dispositivos Electrónicos, Departamento Electrónica, Telecomunicaciones y Redes de Información, Escuela Politécnica Nacional Quito, Ecuador Objetivos: 

Analizar circuitos formados por elementos pasivos y diodos, y que dan como resultado formas de onda modificadas respecto a la señal original.

2.

Analizar y diseñar los circuitos que generen las ondas de voltaje de salida (Vo) a partir de las ondas de voltaje de entrada (Vin), como se observa en las Figura 1 y Figura 2.

PREPARATORIO 1.

Consultar en manual adecuado de las características más importantes del diodo a utilizarse en la práctica (1n4007).

Especificaciones máximas del diodo 1N4007 Especificación

Símbolo

Valor

Unid.

Tensión inversa pico repetitivo Tensión inversa pico operativo Tensión de bloqueo en cc

VRRM VRWM VR

1000

V

Tensión inversa pico no repetitivo (media onda, una sola fase,60 Hz)

VRSM

1200

V

Tensión inversa ms

VR(RSM)

700

V

Corriente promedio rectificador en polarización directa. (una fase, carga resistiva, 60 Hz, Ta=75°C)

IO

1,0

A

Oleada de repetitiva

IFSM

30 (para 1 ciclo)

A

TJ,Tstg

-65a+175

°C

corriente

pico

no

Intervalo de temperatura de operación y de almacenamiento de la unión.

Fig.1 recortador a dos niveles. Vin=8Sen(ῳt).

Fig. 2. Circuito Sujetador. Vin es una señal cuadrada variante entre±7v.

Características Eléctricas del diodo 1N4007 Características y condiciones

Símbolo

Típico

Max.

Unid.

Máxima caída instantánea en directa

VF

0,93

1,1

V

VF(AV)

____

0,8

V

IR

0.05 1.0

10 50

µA

IR(AV)

_____

30

µA

de tensión polarización

Máxima caída de tensión promedio de ciclo completo en polarización directa Corriente inversa máx. (voltaje especifico en cd) TJ=25 °C TJ=100 °C Máxima corriente inversa promedio de ciclo completo

Fig. 3 Circuito de respuesta para la figura 1

Fig. 4 Circuito de repuesta para la figura 2

3.

Utilizar los simuladores y realizar la simulación de los circuitos diseñados.

Fig.5 Simulación del circuito de la figura 3.

Fig.6 Simulación del circuito de la figura 4.

4.

Analizar el circuito de la Figura 7 y obtener la forma de onda esperada en la salida.

Fig.7 Circuito recortador

Fig. 8 Forma de onda a la salida del circuito.

REFERENCIAS [1]

DETRI –

Escuela Politécnica Nacional [Online]. Available:

http://detri.epn.edu.ec/wpcontent/uploads/2017/05/Practica3Dispo.pdf [2]

Hoja Técnica de la familia 1N4001-1N4007] [Online]. Available: http://www.esquibel.es/Universidad/Publicaciones/Libros/Compl ementos%20de%20electronica/apendices/apendice5OK.pdf