• Author / Uploaded
• Julieta A. Tobón

Citation preview

Instituto Politécnico Nacional Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica

Materia: Dispositivos

Practica 2

Integrantes: Arellano Tobón Julieta Yolanda Flores Bernal Teresa Lizbeth Tagle López Oscar Alberto

Profesor:

Grupo: 5cm6

Objetivo: Obtener y comparar las curvas características (V & I) de un diodo rectificador de Si y uno de Ge, determinar el valor del voltaje umbral y calcular la resistencia estática y dinámica en la región de conducción, para un punto de operación Q arbitrario.

Equipo:   

Osciloscopio de doble trazo Generador de señales Multímetro digital y/o análogo

Material:         

2 diodos de silicio 1n4004 o equivalente 1 diodo de germanio oa81 o equivalente 1 encendedor 1 lupa 1 pinza de corte 2 resistores de 1k a 0.5w 6 caimán - caimán o caimán - banana 1 tablilla de conexiones (protoboard) 4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminación bnc y en el otro caiman

Procedimiento: 1. Obtener y comparar las curvas características (V&I), de un diodo rectificador de Si y uno de Ge. En cada casa, determinar el valor del voltaje de umbral y calcular la resistencia estática y dinámica en la región directa de conducción, para un punto de operación Q arbitrario.

2. Utilizando el mismo circuito, acercar un cerillo encendido (por tiempo no mayor a 5 seg) al diodo bajo prueba y reportar en la misma grafica lo que observa

3. Para el diodo de Si aumenta la temperatura ambiente acercando el cerillo o encendedor, el tiempo que sea necesario para que observe como la curva característica del dispositivo se modifica al grado de que el diodo se comporta como una resistencia de algunos cuantos ohms (al aumentar la temperatura el voltaje de umbral disminuye y la corriente de saturación inversa crece, si este aumento de temperatura es considerable puede hacer al diodo que se comporte casi como un corto circuito). Después de observar de esto retire el cerillo o encendedor y espere que el diodo recupere su características “normales”, puede que el diodo ya no se recupere, esto significa que ha quedado dañado definitivamente, en el caso de que si se recupere, es preferible ya no utilizarlo. Con el diodo que ha quedado dañado o alterado, usando unas pinzas de corto con cuidado, rompa su encapsulado y observe usando una lupa como esta construido internamente.

Resultados: 1. Grafica de la Curva Característica V – I, Diodo de Silicio (In4001)

Grafica de la Curva Característica V-I, Diodo de Germanio (OA81)

Diodo bajo prueba IN4001 OA81 2.

3.

Voltaje máximo Voltaje de umbral medido en la curva 720 mV 3.51 V 400 mV 3.2 V

Corriente máxima medida en la curva 3.5 mA 3.2 mA

Conclusiones: Arellano Tobón Julieta Yolanda En la práctica se comprobó las diferentes características que tienen el diodo de Silicio y el diodo de Germanio, como se mencionó en teoría se comprobó que sus voltajes de umbral varían, siendo el de Silicio de 0.72 y el de Germanio 0.4 (según lo obtenido en la práctica), otro aspecto importante fue la sensibilidad por el aumento en la temperatura y aunque su comportamiento de ambos llegaba a ser como el de una resistencia, el de Germanio llegaba más pronto a este estado que el de Silicio, es decir, el diodo de Germanio es más vulnerable a los cambios de temperatura.

Bibliografía/Cibergrafia