INFORME PREVIO

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS (Universidad del Perú, Decana de América) Facultad : Curso : Laboratorio d

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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS (Universidad del Perú, Decana de América)

Facultad

:

Curso

:

Laboratorio de Microelectrónica

Profesor

:

Ing. Alarcon Matutti Ruben

Trabajo

: Informe Previo N01

Tema :

Alumno

Ingeniería Electrónica

Laboratorio 1

:

Julio César Alcalde Felix

Ciudad Universitaria, abril del 2013

INFORME PREVIO Resolver las preguntas planteadas (1-4) y que serán presentadas en el Informe Final. 1) Presentar en el laboratorio el LAYOUT realizado del inversor (inv.msk). Considerar para el layout el esquema de la Fig. A y la Fig. B del diagrama de barras (STICK). Tratar de conseguir un layout de dimensiones mínimas.

Diagrama Stick

Corte 2D

Vista 3D

Caracteristicas del Cmos

2) Para el LAYOUT del inversor, hallar las dimensiones (W/L) de los transistores, la frecuencia máxima de operación y dar respuesta escrita a todas las interrogantes de la guía que están arriba planteadas. En el laboratorio pide responder dichas preguntas.

Las dimensiones (W/L) son: W= 0.75µm (6 lambda); L= 0.25 µm (2 lambda) Estas medidas son iguales para ambos transistores.

Para hallar la frecuencia máxima, simularemos el layout y activamos la opción de frecuencia.

La frecuencia maxima es 0.476 GHz

3) Extraer la descripción CIR (Spice) y la descripción CIF (CaltechIntermediateForm) del inversor. En cada caso establecer las reglas principales de sintaxis y describir sus contenidos. Buscar en internet la información necesaria.

Los archivos CIF (Caltech Intermediate Form) proporcionan información sobre los componentes del diseño que gráficamente se realizan en base a figuras geométricas como polígonos y líneas de los cuales se definen las coordenadas de cada uno de sus vértices. Las reglas establecen que: 

La línea que contiene DS muestra si hay una escala a tener en cuenta, esto permite procesar dimensiones inferiores a las micras.



Siempre que se haya especificado muestra el tpocell.



Los polígonos (P) deben tener al menos tres puntos. Un polígono cualquiera de más puntos es aceptado.



Las líneas (L) deben tener al menos un punto.



Pueden introducirse comentarios, pero son ignorados.



La letra final E indica el final del archivo.

DESCRIPCION CIF

( File : "C:\Users\Rapahel\Desktop\PREVIO 1 micro\layouts previo 1\INVERSOR.CIF") ( Conversion from Microwind 2b - 17.01.2000 to CIF) ( Version 15/04/2013,17:46:07)

DS 1 1 1; 9 topcell; L 1; P -12500,26625 -8875,26625 -8875,28875 -12500,28875; L 19; P -10150,27600 -9850,27600 -9850,27900 -10150,27900; P -6400,27600 -6100,27600 -6100,27900 -6400,27900; P -12275,26850 -11975,26850 -11975,27150 -12275,27150; P -11400,27600 -11100,27600 -11100,27900 -11400,27900; P -7650,27600 -7350,27600 -7350,27900 -7650,27900; L 13; P -7000,26125 -6750,26125 -6750,28500 -7000,28500; P -10750,26125 -10500,26125 -10500,28500 -10750,28500; P -10750,25875 -6750,25875 -6750,26125 -10750,26125; P -8750,25625 -8500,25625 -8500,25875 -8750,25875; L 23; P -11625,27375 -10875,27375 -10875,28125 -11625,28125; P -12500,26625 -11750,26625 -11750,27375 -12500,27375; P -7875,28000 -7125,28000 -7125,28125 -7875,28125; P -10375,27500 -7125,27500 -7125,28000 -10375,28000; P -10375,27375 -9625,27375 -9625,27500 -10375,27500; P -6625,27375 -5875,27375 -5875,28125 -6625,28125; P -10375,28000 -9625,28000 -9625,28125 -10375,28125; P -6375,28125 -5875,28125 -5875,29375 -6375,29375; P -8875,28000 -8375,28000 -8375,28500 -8875,28500; P -7875,27375 -7125,27375 -7125,27500 -7875,27500; P -11625,28125 -11125,28125 -11125,29375 -11625,29375; L 2; P -7875,27375 -7000,27375 -7000,28125 -7875,28125; P -12500,26625 -11750,26625 -11750,27375 -12500,27375; P -7000,27375 -6750,27375 -6750,28125 -7000,28125; P -6750,27375 -5875,27375 -5875,28125 -6750,28125; P -10500,27375 -9625,27375 -9625,28125 -10500,28125; P -11625,27375 -10750,27375 -10750,28125 -11625,28125; P -10750,27375 -10500,27375 -10500,28125 -10750,28125; L 16; P -8125,27125 -6750,27125 -6750,28375 -8125,28375; P -12750,26375 -11500,26375 -11500,27625 -12750,27625; P -7250,27125 -6500,27125 -6500,28375 -7250,28375;

P -7000,27125 -5625,27125 -5625,28375 -7000,28375; L 17; P -10750,27125 -9375,27125 -9375,28375 -10750,28375; P -11875,27125 -10500,27125 -10500,28375 -11875,28375; P -11000,27125 -10250,27125 -10250,28375 -11000,28375; L 60; 94 Vdd -12125,27000; 94 Vdd -11375,29125; 94 Vss -6125,29250; 94 Vout -8625,28250; 94 Vin -8625,25750; DF; C 1; E

DESCRIPCION CIR

CIRCUIT C:\Users\Rapahel\Desktop\PREVIO 1\INVERSOR.MSK * * IC Technology: ST 0.25µm - 6 Metal * VDD 1 0 DC 2.50

1

micro\layouts

previo

VVin 6 0 PULSE(0.00 2.50 1.00N 0.05N 0.05N 1.00N 2.10N) * * List of nodes * "Vout" corresponds to n°3 * "Vin" corresponds to n°6 * * MOS devices MN1 3 6 0 0 TN W= 0.75U L= 0.25U MP1 1 6 3 1 TP W= 0.75U L= 0.25U * C2 1 0 1.954fF C3 3 0 1.368fF C4 1 0 0.600fF C6 6 0 0.180fF * * n-MOS Model 3 : * .MODEL TN NMOS LEVEL=3 VTO=0.45 KP=300.000E-6 +LD =0.020U THETA=0.300 GAMMA=0.400 +PHI=0.200 KAPPA=0.010 VMAX=130.00K +CGSO= 0.0p CGDO= 0.0p * * p-MOS Model 3: * .MODEL TP PMOS LEVEL=3 VTO=-0.45 KP=120.000E-6 +LD =0.020U THETA=0.300 GAMMA=0.400 +PHI=0.200 KAPPA=0.010 VMAX=100.00K +CGSO= 0.0p CGDO= 0.0p * * Transient analysis * .TEMP 27.0 .TRAN 0.80PS 10.00N .PROBE

.END

4) Para circuitos digitales CMOS mostrados en las Figuras 1,2,3. Analizar y hallar la función lógica de salida de los circuitos. Presentar el LAYOUT como mínimo de UNO de ellos y corroborar su función lógica mediante simulación. Medir el AREA del layout y hallar la frecuencia MÁXIMA de operación. Para poder hallar su función lógica se procederá a hacer una tabla de estados con las tres entradas S, ln1, ln2 y la salida “F”. Para la Figura 1: S ln1 ln2 F 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 0 Su ecuación la cual se halla por Karnaugh es: F = (/In1)*S + (/In2)*(/S)

Simulación del circuito.

El área es aproximadamente (70lambda) x (70lambda) A=76.5625 (µm) 2 Frecuencia máxima de operación es 582MHz

Para la Figura 2:

Simulación del circuito

El área es aproximadamente (155lambda) x (113lambda) A=273.67 (µm) 2 Frecuencia máxima de operación es 250MHz

Para la Figura 3:

A 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1

Y=D.C+ D.B+B.C

B 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1

C 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1

D 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1

X 1 1 1 0 1 1 1 0 1 0 0 0 1 0 0 0

Y 1 1 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 0 0

X=D.C+A.D+ C.A

Simulación del circuito.

El área es aproximadamente (185lambda) x (100lambda) A=289.06(µm) 2

Frecuencia máxima de operación es 500MHz