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Instituto Técnico Honduras Informe Sobre Los Tipos De Polarización Del FET

Nombre del alumno: Cristian Chamale

Nombre del profesor: Luis Ernesto García

Clase: Electrónica II

Curso: v

Secsion:4 Fecha de entrega: 16/07/ 2013

Introducción:

El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo electrónico. En este tema se Introducen las principales características básicas del transistor bipolar y FET y se estudian los modelos básicos de Estos dispositivos y su utilización en el análisis los circuitos de polarización. Polarizar un transistor es una Condición previa a muchas aplicaciones lineales y no-lineales ya que establece las corrientes y tensiones en Continua que van a circular por el dispositivo.

Polarización Del Transistor De Efecto De Campo El FET Teoría previa: El transistor de efecto de campo el FET tiene las siguientes ventajas y desventajas con respecto del transistor bipolar

Ventajas: -Su impedancia a de entrada es extremadamente alta -Su tamaño físico es aproximadamente un 20 0 30% del espacio que ocupa un BJT -Su consumo de potencia es mucho mas pequeña que la del BJT -Su velocidad de conmutación es mucho mas mayor que la del BJT -Es afectado en menor grado por la temperatura

Desventajas: -Su ganancia del voltaje es mejor que la del BJT -Es susceptible al daño en si manejo sobre todo el MOSFET -Su ancho de banda en frecuencia es menor que el BJT

Construcción del FET

Polarización del FET

Algunas de las formas típicas de polarización del FET son las siguientes: -Polarización de compuerta -Auto polarización -Polarización por división de voltaje

Polarización fija o de compuerta

Al igual que el BJT la malla de entrada es la que polariza al FET en este caso la malla de compuerta, cabe mencionar que para este dispositivo la corriente de reposos es fijada por el voltaje de la compuerta.

ANALICIS: EL voltaje en la compuerta siempre sera negativo al respecto ala terminal se source en un FET de canal N Vgs=Vg(+)-Vs(-)

Análisis de malla de compuerta

Ley de Voltajes de kirchoff en malla de compuerta +VGG+VRG+VGS=0 Como se supone que la unión compuerta fuente esta polarizada inversamente, entonces significa que no existe corriente y por lo tanto VRG=0 Esta recta se muestra en la figura siguiente la cual queda representada por una recta vertical o lado izquierdo del eje de la corriente

De la figura se observa la gran inestabilidad que puede experimentar el punto de operación para el caso de los posibles cambios de los parámetros que se pueden presentar en un FET aun cuando tratándose del mismo tipo ya que las técnicas de fabricación no son tan perfectas como que para los IDss y Vgs sean constantes de un dispositivo a otro. Este tipo de polarización es la peor forma de polarizar un FET ya que el punto de operación (IDSQ,VDSQ) es bastante inestable.

Auto polarización de un FET

A esta ecuación delo conoce como la ecuación de la recta de polarización. Esta recta tiene pendiente negativa y pasa por el origen, como se observa en la figura

La recta número (1) representa un Rs y proporciona un elevado valor de g ideal para una buena ganancia de corriente. La recta número (2) ofrece las mejores condiciones tales que no compromete inestabilidad y los valores de transconductancia es decir no se sacrifican una u otra La recta numero (3) produce buena estabilidad del punto de operación si embargo produce valores de g que se traduce a una baja ganancia de corriente General mente muchos diseñadores optan por el tipo de polarización dado por la recta #2 Este tipo de polarización es mejor que la polarización fija ya que el punto de operación es más estable.

Polarización por divisor de voltaje

Para simplificar el análisis en la malla de compuerta encontraremos el circuito equivalente de Thevenin para facilitar.

Esta ecuación representa la ecuación de la recta de polarización esta ecuación puede escribirse como:

Es una recta con pendiente negativa y con la ordenada en el origen a Vgg/Rs como se observa en la figura.

Donde en la figura se observa que este tipo de polarización es mejor que las 2 anteriores debido a que IdsQ es menor sin envargo para conseguir esto es necesario aplicar los valores elevados para que el VGG sea lo mas elevado posible i asi el punto de operación sea más estable.

Conclusiones:

Los circuitos de polarización fija , auto polarización o ya sea por divisor de voltaje del JFET pueden ser analizados o diseñados mediante el planteamiento de la malla de entrada y salida, en conjunto con las ecuaciones , la cual requiere como datos la corriente de saturación IDSS y el voltaje de estrangulamiento Vp.

Biografías

http://www.ing.unp.edu.ar/asignaturas/eeb/Apuntes/Transistores/Mat.%20adicional/Tema1.pdf (05:45pm 15/07/13)

http://www.itescam.edu.mx/principal/sylabus/fpdb/recursos/r64991.PDF (06:18pm 15/07/13)