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FORMULARIO DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS DIODOS RECTIFICADORES Voltaje Medio: 𝑉𝐷𝐶 =

𝑇

1

∫0 𝑉𝑚 𝑆𝑒𝑛 (𝜔𝑡) 𝑑𝜔𝑡

𝑇

1

Voltaje Eficaz: 𝑉𝑅𝑀𝑆 2 =

𝑇

𝑇

∫0 𝑉𝑚2 𝑆𝑒𝑛2 (𝜔𝑡) 𝑑𝜔𝑡

𝑉

Factor de rizado : 𝛾 = 𝑉𝐴𝐶 100%

𝛾 = √(

𝐷𝐶

Potencia en la carga: 𝑃𝑅𝐿 =

𝑉𝑅𝑀𝑆 2 𝑉𝐷𝐶

) − 1 𝑥 100%

𝑉𝑅𝑀𝑆 2 𝑅𝐿

RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA Donde T=2𝜋 Voltaje de salida medio Voltaje de salida eficaz

𝑉𝑜𝐷𝐶 =

𝑉𝑚 𝜋

𝑉𝑜𝐷𝐶 = 2

𝑉𝑜𝑅𝑀𝑆 =

𝑉𝑚 2

𝑉𝑜𝑅𝑀𝑆 =

DIODOS REGULADORES DE VOLTAJE

𝑅𝑠 ) 𝑅𝐿

𝑉𝑖𝑛𝑚á𝑥 = (𝐼𝑚á𝑥 × 𝑅𝑠 ) + 𝑉𝑧

Vin fija y RL variable 𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 =

𝑉𝑍 × 𝑅𝑆 𝑉𝑖𝑛 − 𝑉𝑍

𝑅𝐿𝑚á𝑥 =

𝑉𝑍 𝐼 − 𝐼𝑧 𝑚á𝑥

𝑉𝑚 𝜋 𝑉𝑚 √2

TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

RL fija y Vin variable 𝑉𝑖𝑛𝑚𝑖𝑛 = 𝑉𝑍 (1 +

RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA Donde T=𝜋

𝐼

•

𝛽 = 𝐼𝐶

• • •

𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 𝑉𝐵𝐸 = 0,7 𝑣 TBJ NPN 𝑉𝐸𝐵 = 0,7 𝑣 TBJ PNP

𝐵

Región Activa o Normal- Condiciones de polarización • •

𝑉𝐶 > 𝑉𝐵 > 𝑉𝐸 TBJ NPN 𝑉𝐶 < 𝑉𝐵 < 𝑉𝐸 TBJ PNP

𝐴𝑣 =

𝑉𝑜 𝑉𝑖

AMPLIFICADOR TBJ EMISOR COMÚN

𝐴𝑖 =

𝑖𝑜 𝑖𝑖

𝑟𝐸 =

26 𝑚𝑣 𝐼𝐸

FÓRMULAS 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 𝐴𝑣 = − 𝑟𝐸 𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐵1 ∥ 𝑅𝐵2 ∥ 𝑍𝑖𝑛−𝑇 𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐵1 ∥ 𝑅𝐵2 ∥ 𝛽 𝑟𝐸 𝑍𝑜 = 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿

EMISOR COMÚN CON RESITENCIA EN EMISOR

𝐴𝑣 = −

𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 𝑟𝐸 + 𝑅𝐸1

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐵1 ∥ 𝑅𝐵2 ∥ 𝑍𝑖𝑛−𝑇 𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐵1 ∥ 𝑅𝐵2 ∥ 𝛽(𝑟𝐸 + 𝑅𝐸1) 𝑍𝑜 = 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 COLECTOR COMÚN

𝐴𝑣 =

𝑅𝐸 ∥ 𝑅𝐿 (𝑅𝐸 ∥ 𝑅𝐿 ) + 𝑟𝐸

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐵1 ∥ 𝑅𝐵2 ∥ 𝛽(𝑟𝐸 + 𝑅𝐸 ∥ 𝑅𝐿 ) 𝑍𝑜 = 𝑅𝐸 ∥ 𝑅𝐿 ∥ 𝑟𝐸

BASE COMÚN

𝐴𝑣 =

𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 𝑟𝐸

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐸 ∥ 𝑟𝐸 𝑍𝑜 = 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿

𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 −

𝑉𝐺𝑆 2 ) 𝑉𝑃

Drenador común:

AMPLIFICADORES OPERACIONALES

Amplificador Inversor:

Amplificador No Inversor: AMPLIFICADORES JFET Surtidor común:

Surtidor común con divisor de voltaje:

Compuerta común:

MOSFET

Amplificador Sumador:

Amplificador Restador:

Amplificador Integrador:

Comparador de Smith:

Clase B:

RESPUESTA DE FRECUENCIA

CONTROL DE POTENCIA Comparador de Smith con desplazamiento de lazo de histéresis:

Rectificador de media onda controlado:

AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Clase A: Rectificador de onda completa controlado:

Amplificadores TBJ con acoplamiento RC:

Baja frecuencia:

Alta frecuencia: