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• Edgard Leonard Larico Infa

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TECNOLOGÍAS DE MEMORIAS La división entre primario, secundario, terciario, fuera de línea se basa en la jerarquía de memoria o distancia desde la unidad central de proceso. Hay otras formas de caracterizar a los distintos tipos de memoria: 1) VOLATILIDAD DE LA INFORMACIÓN   

La memoria volátil requiere energía constante para mantener la información almacenada. La memoria volátil se suele usar sólo en memorias primarias. La memoria no volátil retendrá la información almacenada incluso si no recibe corriente eléctrica constantemente. Se usa para almacenamientos a largo plazo y, por tanto, se usa en memorias secundarias, terciarias y fuera de línea. Memoria dinámica es una memoria volátil que además requiere que periódicamente se refresque la información almacenada, o leída y reescrita sin modificaciones.

2) HABILIDAD PARA ACCEDER A INFORMACIÓN NO CONTIGUA  

Acceso aleatorio significa que se puede acceder a cualquier localización de la memoria en cualquier momento en el mismo intervalo de tiempo, normalmente pequeño. Acceso secuencial significa que acceder a una unidad de información tomará un intervalo de tiempo variable, dependiendo de la unidad de información que fue leída anteriormente. El dispositivo puede necesitar buscar (posicionar correctamente el cabezal de lectura/escritura de un disco), o dar vueltas (esperando a que la posición adecuada aparezca debajo del cabezal de lectura/escritura en un medio que gira continuamente).

3) HABILIDAD PARA CAMBIAR LA INFORMACIÓN 

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Las memorias de lectura/escritura o memorias cambiables permiten que la información se reescriba en cualquier momento. Una computadora sin algo de memoria de lectura/escritura como memoria principal sería inútil para muchas tareas. Las computadoras modernas también usan habitualmente memorias de lectura/escritura como memoria secundaria. Las memorias de sólo lectura retienen la información almacenada en el momento de fabricarse y la memoria de escritura única (WORM) permite que la información se escriba una sola vez en algún momento tras la fabricación. También están las memorias inmutables, que se utilizan en memorias terciarias y fuera de línea. Un ejemplo son los CD-ROMs. Las memorias de escritura lenta y lectura rápida son memorias de lectura/escritura que permite que la información se reescriba múltiples veces pero con una velocidad de escritura mucho menor que la de lectura. Un ejemplo son los CD-RW.

4) DIRECCIONAMIENTO DE LA INFORMACIÓN 

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En la memoria de localización direccionable, cada unidad de información accesible individualmente en la memoria se selecciona con su dirección de memoria numérica. En las computadoras modernas, la memoria de localización direccionable se suele limitar a memorias primarias, que se leen internamente por programas de computadora ya que la localización direccionable es muy eficiente, pero difícil de usar para los humanos. En las memorias de sistema de archivos, la información se divide en Archivos informáticos de longitud variable y un fichero concreto se localiza en directorios y nombres de archivos "legible por humanos". El dispositivo subyacente sigue siendo de localización direccionable, pero el sistema operativo de la computadora proporciona la abstracción del sistema de archivos para que la operación sea más entendible. En las computadoras modernas, las memorias secundarias, terciarias y fuera de línea usan sistemas de archivos.

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En las memorias de contenido direccionable (content-addressable memory), cada unidad de información legible individualmente se selecciona con un valor hash o un identificador corto sin relación con la dirección de memoria en la que se almacena la información. La memoria de contenido direccionable pueden construirse usando software o hardware; la opción hardware es la opción más rápida y cara.

5) CAPACIDAD DE MEMORIA Memorias de mayor capacidad son el resultado de la rápida evolución en tecnología de materiales semiconductores. Los primeros programas de ajedrez funcionaban en máquinas que utilizaban memorias de base magnética. A inicios de 1970 aparecen las memorias realizadas por semiconductores, como las utilizadas en la serie de computadoras IBM 370. La velocidad de los computadores se incrementó, multiplicada por 100.000 aproximadamente y la capacidad de memoria creció en una proporción similar. Este hecho es particularmente importante para los programas que utilizan tablas de transposición: a medida que aumenta la velocidad de la computadora se necesitan memorias de capacidad proporcionalmente mayor para mantener la cantidad extra de posiciones que el programa está buscando. Se espera que la capacidad de procesadores siga aumentando en los próximos años; no es un abuso pensar que la capacidad de memoria continuará creciendo de manera impresionante. Memorias de mayor capacidad podrán ser utilizadas por programas con tablas de Hash de mayor envergadura, las cuales mantendrán la información en forma permanente.

Clasificación general de memorias

Las memorias se pueden clasificar de tres maneras: por su Funcionamiento, por su Tipo de Conexión y por ultimo por su Tecnología de de Fabricación de Memorias

I)

POR LA TECNOLOGÍA DE FABRICACIÓN a) Memoria de Tambor

Es una pila de discos de material ferromagnético con una fila de lectores a su lado, las pequeñas agujas se encontraban a la pequeñísima distancia de .001 pulgadas por lo cual si se movían de una forma indebida o por el simple hecho de la expansión de los materiales por el calor esta separación ya no era la misma por lo que este dispositivo era inservible. b) Memoria de núcleo de ferrita

Se basaba en las características del Lazo de Histéresis para poder representar el bit encendido o apagado. En la imagen se muestra solo un núcleo, ya que se hacían arreglos de estos núcleos para representar la memoria, por cada núcleo pasaba un "cable" de corriente y un sensor el cual detectaba si el núcleo tenía un campo magnético o no; esto debido a la corriente. c) Memoria Bipolar

Basado en los transistores los mismos que son materiales semiconductores (solo bajo ciertas condiciones deja fluir una corriente eléctrica), que pueden ser PNP o NPN y configurados de cierta forma (multiemisor). La memoria bipolar es aquella que cada bit por almacenar es definido por un transistor en el que por su configuración es capaz de almacenar un valor ya sea un 1 o un 0 según dependa la información a guardar en la memoria, las sección x, y del dibujo son el análogo a los cables de corriente del la memoria de núcleo de ferrita las secciones 0 y 1 nos indica que valor se encuentra almacenado. d) Memoria MOSFET

Parecida a la memoria bipolar solo que utiliza un MOSFET (Transistor de Efecto de Campo de Metal-Oxido de Silicio), Debido a configuración y a sus componentes brinda un acceso de datos más rápido y ocupa un espacio mucho menor.

Según que el elemento utilizado para almacenar los bits sea un biestable o un condensador, se clasifican en estáticas (SRAM) y en dinámicas (DRAM) respectivamente. De acuerdo con la tecnología de fabricación que se emplee, se pueden dividir en bipolares y MOS. Las Tecnologías para fabricar memorias se caracterizan por: • Coste.

• Tiempo de acceso. • Capacidad de almacenamiento. La Optimización se consigue con una gran capacidad de almacenamiento, un tiempo de acceso muy corto y un costo pequeño.

II. POR SU FUNCIONAMIENTO MEMORIA ROM ROM read-only memory, memoria de sólo lectura una memoria de semiconductor destinada a ser leída y no destructible. Se programa durante el proceso de fabricación. Se fabrica con tecnología bipolar como de tecnología MOS. Es una memoria no volátil. Utilizada mayormente para almacenar la configuración del sistema o el programa de arranque de la computadora además de ser utilizadas como medio de almacenamiento de datos. Su uso principal reside en la distribución de programas que están estrechamente ligados al soporte físico de la computadora, y que seguramente no necesitarán actualización.

Una razón de que todavía se utilice la memoria ROM para almacenar datos es la velocidad ya que los discos son más lentos. Aún más importante, no se puede leer un programa que es necesario para ejecutar un disco desde el propio disco. La BIOS o el sistema de arranque oportuno de la computadora normalmente se encuentran en una memoria ROM. 1) MEMORIA PROM PROM Programmable Read-Only Memory es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible, que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada una sola vez a través de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos. Pequeñas PROM han venido utilizándose como generadores de funciones, normalmente en conjunción con un multiplexor.

Memoria PROM con tecnología Bipolar

2) MEMORIA EPROM EPROM Erasable Programmable Read-Only Memory es un tipo de chip de memoria ROM no volátil. Se graban electivamente, está formada por celdas de FAMOS Floating Gate Avalanche-Injection MetalOxide Semiconductor o transistores de puerta flotante, cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 0 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como 00 en todas sus celdas). Se programan mediante un dispositivo electrónico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 1. Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposición a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROMs se reconocen fácilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a través de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado. Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte años, y se puede leer un número ilimitado de veces. Para evitar el borrado accidental por la luz del sol, la ventana de borrado debe permanecer cubierta. Los antiguos BIOS de los ordenadores personales eran frecuentemente EPROMs y la ventana de borrado estaba habitualmente cubierta por una etiqueta que contenía el nombre del productor del BIOS, su revisión y una advertencia de copyright. 3) MEMORIA EEPROM EEPROM Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante rayos ultravioleta. Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un millón de veces. Se utiliza también para sean integrados dentro de chips como microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez. 4) MEMORIA FLASH Es una forma desarrollada de la memoria EEPROM que permite que múltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operación de programación mediante impulsos eléctricos. La memoria flash permite funcionar a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura en diferentes puntos de esta memoria al mismo tiempo. MEMORIA RAM La memoria de acceso aleatorio, o memoria RAM, se compone de uno o más chips y se utiliza como memoria de trabajo para programas y datos. Es un tipo de memoria temporal que pierde sus datos cuando se queda sin energía, por lo cual es una memoria volátil. Estas memorias están en un zócalo de la placa base, ya que hasta el tipo de computadoras de 8086 los chips de memoria RAM estaban soldados directamente a la placa base. Recién con las computadoras del 80386 aparecen las memorias en módulos que son placas donde están soldadas el chip de memoria, y estos estarían a la vez conectados a la placa base mediante zócalos, que son denominados bancos de memoria. Estos bancos de memoria surgieron para poder ampliar la capacidad de almacenamiento. Estas memorias se dividen en estáticas y dinámicas: LA MEMORIA RAM ESTATICA Esta memoria mantiene su contenido inalterado mientras esta alimentada por energía. Las celdas de almacenamiento son registros Flip-Flop

-La memoria RAM dinámica: Esta memoria pierde la información al ser leído el dato contenido en la celda de esta memoria, para evitar esto se restaura la información contenida en sus celdas, a estas operaciones se denomina refresco de memoria. Las celdas de almacenamiento son constituidas por compuertas MOSFET donde se almacenan las cargas.

Características Físicas

Estas memorias tienen una capacidad muy reducida de 0-1024 KB aproximadamente en comparación con la memoria SDRAM del sistema, pero permiten aumentar significativamente el rendimiento del sistema global debido a la jerarquía de memoria. Están formadas por cuatro transistores bipolares que forman un flip-flop; esta célula de almacenaje tiene dos estados flip-flop los cuales se utilizan para denotar 0 ó 1. Dos compuertas adicionales sirven para controlar el acceso a la célula de almacenaje durante las operaciones de lectura o escritura. Una célula de SRAM tiene tres estados distintos en los que puede estar: -Reposo: Cuando no realiza tareas de acceso al circuito. -Lectura: Cuando se solicita información. -Escritura: Cuando se actualizan los contenidos. La memoria RAM estática puede almacenar datos mientras se aplica energía al circuito. Las RAM estáticas (SRAM) se encuentran disponibles en tecnología bipolar y MOS, aunque la mayoría de las aplicaciones hacen uso de RAM NMOS o CMOS. Es la alternativa a la DRAM. No necesita tanta electricidad para su refresco y reemplazo de las direcciones y funciona más rápido porque no está reemplazando constantemente las instrucciones y los valores almacenados en ella. La desventaja es su altísimo coste comparado con la DRAM las cuales son dinámicas. Temporización de la RAM estática.- Los CI de la RAM son los que más frecuentemente se utilizan como la memoria interna de una computadora. Los circuitos de memoria que se conectan con la CPU tienen que ser lo suficientemente rápidos para responder a los comandos de lectura y escritura de la CPU. Ciclo de lectura.- El ciclo de lectura comienza en el tiempo t0. Las entradas de direcciones tendrán la que se encuentre sobre el canal de direcciones, la cual corresponde a la de la operación previa. Dado que

la entrada de selección de Cl de la RAM no está activa, ésta no responderá a la “anterior” dirección. En t0 la CPU envía una nueva dirección a las entradas de la RAM; ésta es la dirección de la localidad donde se realizará la operación se estabilicen, se activa la línea CS. Ciclo de escritura.- En t1, durante el intervalo de tiempo de escritura, la CPU envía sobre el canal de datos el dato válido que va a escribirse en la RAM. Los datos tienen que mantenerse en la entrada RAM por lo menos por un intervalo de tiempo tDS previo a, y por lo menos un intervalo tDH después de, la desactivación de las señales. El intervalo tDS recibe el nombre de tiempo de establecimiento del dato mientras que tDH se denomina tiempo de retención del dato. El ciclo de escritura completo termina cuando la CPU cambia el estado de las líneas de direcciones para colocar ellas una nueva dirección. Circuito real SDRAM.- Un ejemplo de un CI real SDRAM es la CMOS 6264 que es una memoria de 8K x 8 con ciclos de lectura y escritura de 100 ns y un consumo de potencia 0.1 mW en el estado de espera. Ciclo de lectura y escritura es una SRAM

Sync SRAM (Synchronous Static Random Access Memory) Es también un tipo de memoria caché. Es una memoria síncrona y con un tiempo de acceso entre 12 y 8,5 nanosegundos. Utilizada en sistemas a 66 MHz de bus. La RAM sincronizada a ráfagas ofrece datos de modo sincronizado con lo que no hay retraso en los ciclos de lectura a ráfagas, con tiempo 2-1-1-1 ciclos de reloj. El problema está en velocidades de reloj superiores a los 66 MHz, puesto que los ciclos de reloj pasan a ser de 3-2-2-2 lo que es significativamente más lento que la memoria PB SRAM la cual tiene un tiempo de acceso de 3-1-1-1 ciclos. Estos módulos están en desuso porque su precio es realmente elevado y sus prestaciones frente a la PB SRAM no son buenas por lo que se fabrican en pocas cantidades.

PB SRAM (Pipeline Burst Static Random Access Memory )

Es una memoria síncrona con tiempos de acceso entre 8 y 4,5 nanosegundos. Tarda más que la anterior en cargar los datos, pero una vez cargados, accede a ellos con mayor rapidez. Esta memoria estática, pero que funciona a ráfagas mediante el uso de registros de entrada y salida, lo que permite solapar los accesos de lectura a memoria. Es usada como caché al igual que la SRAM, y la más rápida de la actualidad con soporte para buses de 75 MHz ó superiores. Su velocidad de acceso suele ser de 4 a 8 nanosegundos. Async SRAM: Es una memoria asíncrona y con tiempos de acceso entre 20 y 12 nanosegundos, utilizada como memoria caché de los antiguos i386, i486 y primeros Pentium.

LA MEMORIA RAM DINAMICAS DRAM La memoria dinámica es un espacio de almacenamiento que se solicita en tiempo de ejecución. Datos dinámicos El tamaño y forma de estos datos son variables durante la ejecución de un programa, entonces para que estos datos puedan ser ejecutados se crean y destruyen en tiempo de ejecución. Esto permite dimensionar la estructura de datos de una forma precisa y se va asignando memoria en tiempo de ejecución según se necesite en ese tiempo. Los tipos de memorias dinámicas son: -Memoria DRAM -Memoria FPM-RAM o Fast Page Mode RAM -Memoria EDO-RAM II o Extended Data Output RAM -Memoria BEDO-RAM o Burst Extended Data Output RAM -Memoria SDR SDRAM o Single Data Rate Synchronous Dynamic RAM -Memoria DDR SDRAM o Double Data Rate SDRAM -Memoria DDR2 SDRAM -Memoria DDR3 SDRAM -Memoria RDRAM o Rambus DRAM -Memoria ESDRAM o Enhanced SDRAM

1) MEMORIA DRAM Esta memoria es denominada también memoria principal. Esta memoria es más lenta que la memoria SRAM Es capaz de almacenar un bit de información mediante una carga eléctrica en los condensadores de la cual está constituida. Pero debido a este almacenamiento estas memorias tienden a perder la información contenida en ellas por lo que se necesita un refresco de la información ya que estos condensadores sufren fugas de energía eléctrica. El refresco de la memoria DRAM consiste en recargar los condensadores que tienen almacenado una carga eléctrica, para de esta manera no perder la información contenida en la memoria Esta memoria se utilizo en los primeros IBM-PC con módulos de SIMM o DIMM las cuales tenían un tiempo de refresco

de 70 o 80 nanosegundos. La más rápida es la de 70 nanosegundos . En la forma SIMM son de 30 contactos 2) MEMORIA FPM-RAM o Fast Page Mode RAM Es una memoria asíncrona más rápida que la memoria DRAM, con tiempos de acceso de 70 ó 60 ns. Esta memoria incorpora un sistema paginado que sirve para poder acceder al dato de la misma columna que se tomo para acceder a un anterior dato y de esta manera ganar tiempo en el acceso de información. Dividen su espacio total en direcciones pequeñas de 2Kb ya que el próximo dato a acceder se considera como el próximo dato de la misma fila. Es decir se deja activada la fila para ganar tiempo cuando se acceda a otro dato. Estas transferencias de datos desde las memorias se realizan en paquetes de 4 datos llamados Burst. Esta es la razón por la que el rendimiento de un tipo de memoria se expresa por 4 números separados en guiones que son los ciclos de reloj que la memoria necesita para responder. Cuando es 1-1-1-1 significa que en cada ciclo de reloj se transfiere un dato. Se encuentran en los 386, 486 y los primeros Pentium.

Estas memorias se encuentran en los SIMM de 30 contactos y 72 pines.

3) MEMORIA EDO-RAM II o Extended Data Output RAM

Es una memoria asíncrona, esta memoria accede a los datos en bloques enteros, con tiempos de acceso de hasta 45nanosegundos. Una EDO mejorada direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo. La EDO radica en que una serie de flip flop del tipo D que se colocan a la salida de la memoria para almacenar los datos en ellos hasta que el bus de datos queda libre y pueden trasladarse a la cpu, lo cual hace que los sistemas sean más rápidos. Los datos en la memoria EDO fluyen con más rapidez porque el tiempo de transición de la señal CAS puede condensarse dando un mayor flujo de datos por unidad de tiempo. Se encuentran en SIMM de 72 contactos y en los primeros DIMM de 168 contactos, funcionando a 5 y 3,3 voltios.

4) MEMORIA BEDO-RAM o Burst Extended Data Output RAM Esta memoria lee los datos en ráfagas, es decir que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos,

reduciendo los tiempos de espera del procesador. Estas memorias así como la EDO-RAM poseen una limitación ya que no pueden funcionar por encimas de los 66 MHz.

5) MEMORIA SDR SDRAM o Single Data Rate Synchronous Dynamic RAM Es una memoria síncrona, con módulos DIMM de 168 contactos o pines, además de tener tiempos de acceso de entre 25 y 10 nanosegundos.Utilizadas en el Pentium II, el Pentium III, AMD K6, K7 AMD Athlon. Esta memoria es capaz de soportar las velocidades del bus a 100 y 133 MHz. Según su frecuencia de trabajo se divide en: -PC66: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporización de 15 ns, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 533 MB/s. -PC100: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 100 MHz, temporización de 8 ns, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 800 MB/s. -PC133: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporización de 7,5 ns, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 1066 MB/s. Se encuentran en los PENTIUM III.

6) MEMORIA DDR SDRAM o Double Data Rate SDRAM Es también una memoria síncrona que envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj, de tal manera que trabaja a doble velocidad que el bus del sistema sin necesidad de aumentar la frecuencia del reloj. La DDR utiliza los flancos de subida y bajada del reloj para duplicar su frecuencia efectiva hasta los DR400 con un bus de datos de 64 bits. Fue soportada por ciertos chipset Socket 7. Según su frecuencia de trabajo se divide en: -PC1600 ó DDR200: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 100 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 1,6 GiB/s (de ahí el nombre PC1600). Este tipo de memoria la utilizaron los Athlon XP de AMD, y los primeros Pentium 4. -PC2100 ó DDR266: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 133 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 2,1 GiB/s (de ahí el nombre PC2100). -PC2700 ó DDR333: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 166 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 2,7 GiB/s (de ahí el nombre PC2700). -PC3200 ó DDR400: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 200 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 3,2 GiB/s (de ahí el nombre PC3200).

7) MEMORIA DDR2 SDRAM Estas memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR ya que permiten que los búferes de E/S trabajen al doble de la frecuencia del núcleo, de esta manera permiten que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. Cuentan con 240 contactos. Según su frecuencia de trabajo se divide en: -PC2-4200 ó DDR2-533: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 266 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 4,26 GiB/s (de ahí el nombre PC2-4200). -PC2-4800 ó DDR2-600: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 300 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 4,8 GiB/s (de ahí el nombre PC2-4800). -PC2-5300 ó DDR2-667: Cuando la velocidad de bus de memoria es de333 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 5,3 GiB/s (de ahí el nombre PC2-5300). -PC2-6400 ó DDR2-800: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 400 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 6,4 GiB/s (de ahí el nombre PC2-6400).

8) MEMORIA DDR3 SDRAM Los DIMMS DDR3 tienen 240 contactos es físicamente incompatible con la memoria de DDR2 ya que tiene una ubicación diferente de la muesca. Proporcionara mejor rendimiento en cuanto la utilización de bajo voltaje. Según su frecuencia de trabajo se divide en: -PC3-6400 ó DDR3-800: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 400 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 6,4 GiB/s (de ahí el nombre PC3-6400). -PC3-8500 ó DDR3-1066: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 533 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 8,5 GiB/s (de ahí el nombre PC3-8500). -PC3-10600 ó DDR3-1333: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 667 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 10,6 GiB/s (de ahí el nombre PC3-10600). -PC3-12800 ó DDR3-1600: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 800 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 12,8 GiB/s (de ahí el nombre PC3-12800). 9) MEMORIA RDRAM o Rambus DRAM Esta memoria fue lanzada al mercado por Intel en 1998. Estas memorias están protegidas por un protocolo de la empresa Rambus que hace que su uso tenga un costo. Utilizado por el PlayStation 2. Es un tipo de memoria de 64 bits que alcanza ráfagas de 2 ns y funcionan a velocidades de hasta 800 MHz. Es ideal para las tarjetas gráficas AGP, evitando los cuellos de botella entre la tarjeta gráfica y la memoria principal durante el acceso directo a memoria para el manejo de las texturas gráficas. Se clasifica en: -Rambus PC600: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 266 MHz. Se caracteriza por utilizar dos canales en vez de uno, ofreciendo tasas de transferencia de 2,12 GiB/s, a 1,06 GIB/s por canal.

-Rambus PC700: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 356 MHz, ofreciendo tasas de transferencia de 2,84 GiB/s a 1,42 GiB/s por canal. -Rambus PC800: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 400 MHz, ofreciendo tasas de transferencia de 3,2 GiB/s a 1,6 GiB/s por canal.

10) MEMORIA ESDRAM o Enhanced SDRAM Basada en los principios de la memoria cache. Esta memoria incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM para que los accesos a información sean más rápidos. TIPOS DE MODULOS DE MEMORIA RAM 1) SIMM o Single In-line Memory Module Es la más antigua, donde su tiempo de acceso es de 45 a 80 ns.Esta memoria es de 32Bits. Pero los procesadores más modernos trabajan con datos de 64Bits por lo que se instalan dos bloques de memoria de 16Mg. Es un tipo de encapsulado que consiste en un circuito impreso que almacena chips de memorias. Estas memorias se insertan en la placa base, en un zócalo del mismo nombre o en la placa de memoria.Es llamado también módulo de memoria de una sola línea. El SIMM de 30 pines son un conjunto de chips, generalmente DIPs integrados a una tarjeta electrónica. Normalmente trabaja con una capacidad para el almacenamiento y lectura de datos de 8 bits.

El SIMM de 72 pines normalmente trabaja con una capacidad para el almacenamiento y lectura de datos de 32 bits.

2) DIMM o Dual in Line Memory Module Es también llamado módulo de memoria de doble línea. Este módulo generalmente trabaja con una capacidad para el almacenamiento y lectura de datos de 64 bits.

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DIMMs - 168 contactos, con las memorias SDR SDRAM: PC66, PC100, PC133

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DIMMs -184 contactos, con las memorias DDR SDRAM: DDR-200, DDR-266, DDR-333, DDR400, DDR-466, DDR-533, DDR-600

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DIMMs 4 x módulos 184 contactos: DDR400, DDR333, DDR266 , DDR SDRAM

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DIMMs -240 contactos DDR2 SDRAM: DDR 2-400, DDR 2-466, DDR 2-533, DDR 2-600, DDR 2-667, DDR 2-800, DDR 2-1.000, DDR 2-1.066, DDR 2-1.150, DDR 2-1.200

3) RIMM de 184 pines con tecnología RDRAM Este tipo de módulo de memoria trabaja con chips de memoria RDRAM, por lo que deben instalarse siempre de dos en dos y en módulos específicos. Suelen tener una protección metálica que favorece la disipación térmica. La arquitectura de esta basada en un bus de alta velocidad que opera a 400MHz, permitiendo la transferencia de Datos a una velocidad de 800MHz. El canal de dos bytes de ancho es usado para transferir los datos a 1,6Gb por segundo, esto es para mantener la alta integridad de la señal.