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• César Augusto

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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS (Universidad del Perú, Decana De América)

Alumnos : CARHUATANTA COTOS, WENDY 17190251 KEVIN JOSUE QUISPE MUÑOZ 18190023 RENZO PLASENCIA CELESTINO 18190155

Tema

: LABORATORIO 03 – EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP CARACTERISTICAS BASICAS

Tipo de informe : PREVIO Y FINAL Fecha

: 02/05/2019

Curso

: DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRONICOS

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP CARACTERISTICAS BASICAS I.

OBJETIVOS 

II.

EQUIPOS Y MATERIALES          

III.

Comprobar las características de funcionamiento de un transistor bipolar PNP

Fuente de poder DC Multímetro Microamperimetro Voltímetro DC Transistor 2N3906 Resistores: Re = 330Ω, Rc = 1KΩ, R1 = 56KΩ y R2 = 22KΩ Condensadores: Cb = 0.1uF, Cc = 0.1uF y Ce = 3.3uF Osciloscopio Potenciómetro Cables y conectores INFORME PREVIO

1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un transistor bipolar

En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. Todos los portadores que llegan son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.

Características transistor NPN

Es el transistor bipolar más común. Puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo compartida. Una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados

térmicamente y el campo eléctrico repelente se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Dichos electrones circulan a través de la base, desde la región de alta concentración próxima al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector. Estos electrones en la base son portadores minoritarios debido a que la base está dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base. La región de la base en un transistor debe ser delgada, para que los portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del portador minoritario del semiconductor. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusión de los electrones.

Control de la corriente La corriente colector-emisor puede ser controlada por la corriente base-emisor o por la tensión base-emisor. Esto es debido a la relación tensión-corriente de la unión baseemisor, la cual es la curva tensión-corriente exponencial usual de una unión PN; diodo. El control de corriente en un circuito analógico es utilizado debido a que es lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente β veces la corriente de la

base. Algunos circuitos pueden ser diseñados asumiendo que la tensión base-emisor es constante, y que la corriente de colector es β veces la corriente de la base. No obstante, para diseñar circuitos utilizando BJT con precisión, se requieren modelos matemáticos del transistor; Ebers-Moll. 2. De los manuales, obtener los datos del transistor bipolar 2N3906 3. Determinar el punto de operación del circuito del experimento

IV.

PROCEDIMIENTO 1. Verificar el estado operativo del transistor usando un ohmímetro. Llenar la tabla 1 Tabla 1 Base – Emisor Base – Colector Colector - Emisor

Rdirecta

Rindirecta

4.52M 2.04M 5.08M

0 0 0

2. Implementar el circuito de la figura 3.1

Figura 1 a. Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib). Obtener B (P1 = 0) b. Medir las tensiones entre el colector – emisor y entre emisor – tierra c. Colocar los datos obtenidos en la tabla 2 d. Cambiar R1 a 68KΩ. Repetir los pasos a y b. Anote los resultados obtenidos en la tabla 3 e. Aumentar el valor de resistencia de P1 a 100KΩ, 250K, 500K y 1M. Observar lo que sucede con las corrientes Ic e Ib así como con la tensión Vcc (usar Re= 0). Llene la tabla 5 3. Ajustar el generador de señales a 50mVpp, 1KHz, onda sinusoidal. Observar la salida Vo con el osciloscopio. Anote sus resultados en la tabla 4.

Valores (R1 = 56KΩ) Medidos

Ic(mA) 0.04

Tabla 2 Ib(uA) VCE(V) 0.3

8.41

VBE(V)

VE(V)

7.76

0.84

Valores (R1 = 68KΩ) Medidos

Ic(mA)

Tabla 3.2 3.3

Vi(mVpp)

0.03

P1 Ic (mA) Ib (uA) Vcc (V) V.

Q3 100KΩ 0.01 1.273 0.98

Tabla 3 Ib(uA) VCE(V) 1.3

7.94

Tabla 4 Vo (Vpp) AV

Tabla 5 Q4 250KΩ 0.08 8.45 0.92

VBE(V)

VE(V)

7.29

0.92

Vo(Sin Ce)

Q5 500KΩ 0.09 83.6 0.912

AV(Sin Ce)

Q6 1MΩ 0.01 833 0.915

CUESTIONARIO

1. Explicar el comportamiento del transistor al realizar su verificación de operatividad con el ohmímetro. 2. Representar la recta de carga en un gráfico Ic vs Vce del circuito del experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 2, 3 y 5 3. ¿En qué regiones de trabajo se encuentran los puntos de la tabla 2 y 3? 4. ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambiamos R1 a 120KΩ? 5. Exponer sus conclusiones acerca del experimento