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Subsecretaría de Educación Superior Dirección General de Educación Superior Tecnológica Instituto Tecnológico de Pachuca

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE PACHUCA

PRACTICA DE LA MEMORIA RAM

ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS

PROFESOR ING: ERIC LEÓN OLIVARES

PRESENTAN: ESCOBAR TÉLLEZ GIRÓN JOAQUIN HERNÁNDEZ JARILLO ALBERTO RAMÍREZ PREYRA DANIEL ENRIQUE

17 DE MARZO DEL 2015

INTRODUCCIÓN El circuito integrado 7489 implementa un sumador binario completo de 2 números de 4 Bits RAM más pequeña es la 7489/189/289. 

Es de 64bit (24 x 4) y es de tecnología TTL.



Esta memoria puede almacenar hasta 16 palabras de 4 bits.



Es bastante rápida, su t=33ns.



Por su poca capacidad de almacenamiento no tiene mucha utilidad actualmente y su fabricación se está descontinuando.

Las operaciones básicas son:  Operación de lectura (read): Se habilitan las entradas CS y OE.  Operación de escritura (write): Se habilitan las entradas CS y WE.  Cada

bit de la memoria SRAM llamado

celda SRAM tiene

mismo comportamiento funcional que el siguiente circuito:

el

DESARROLLO La memoria RAM 7489 está organizada en 16 palabras de 4 bits. Por tanto, se necesitarán 4 bits para definir las direcciones de las posiciones de memoria. Para ello pueden usarse cuatro conmutadores manuales o bien un contador, y para observar la dirección escogida se usarán cuatro leds. Debe tenerse en cuenta que la RAM 7489 es de colector abierto y por consiguiente al conectar los leds de visualización debe usarse una resistencia de apoyo a la fuente. Modo de escritura: Una vez fijada la dirección se coloca el conmutador de lectura/escritura en la posición W. Seguidamente se elige un dato cualquiera de entrada y se introduce a través de D0, D1, D2 y D3. Se repite el proceso para cada una de las posiciones de memoria tomando nota de los datos que se han grabado para la posterior comprobación en el modo de lectura. Modo de lectura: Colocando el conmutador R/W en R, se observan en leds conectados a las salidas Q0, Q1, Q2 y Q3 los datos almacenados en la dirección de memoria elegida, el método de direccionamiento es, lógicamente, el explicado anteriormente.

MATERIAL Y EQUIPO: 

1 Multímetro



1 Fuente de poder con salida de 12 a 5 volts de corriente continúa



1 Protoboard



1 Circuito 7489



6 leds



2 DIP switch de 4 interruptores



8 resistencias de 220 ohm



8 resistencias de 10 k

PROCESO La memoria de acceso aleatorio (RAM) se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayoría del software. Es allí donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cómputo. Se denominan de acceso aleatorio porque se puede leer o escribir en una posición de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posición, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la información de la manera más rápida posible.

DIAGRAMA LÓGICO

Esta práctica consiste en comprender el funcionamiento de una memoria RAM y sus operaciones de lectura y escritura, para esto utilizamos el circuito 74s289 que tiene la función de dar a conocer cómo funciona dicha memoria. Este tipo de circuito integrado cuenta con 4 direcciones para almacenar datos y 4 de salidas para que sean mostrados los datos que se introducen, por medio del DIP switch le indicamos la dirección y los datos que se quieren guardar. Para poder leer se tiene que habilitar el modo “READ” y por medio de la entrada de direcciones le indicamos que posición queremos que sea mostrada.

Si vamos a guardar un dato en la memoria las entradas “CS” y “WE” deberán decir una entrada baja o un 0 o estar conectada a tierra. El circuito 74s289 está constituido internamente de la siguiente manera (DATA SHEET).

Para poder realizar el funcionamiento de la memoria RAM por medio del circuito 74s289 utilizamos el programa PROTEUS versión 7 el cual es un paquete de software para el diseño de circuitos electrónicos que incluye captura (composición) de los esquemas, simulación analógica y digital combinadas y diseño de circuitos impresos. Se utilizó una fuente de poder de 5 volts, para los DIP switch de dirección y de datos colocamos resistencias de 10 k debido a que estas están conectadas en paralelo y por consiguiente la resistencia disminuye, nuestro bus de dirección fue colocada en las entradas A0, A1, A2, A3 porque así está configurado el circuito siguiendo el Data sheet, y el bus de datos a las entradas D1, D2, D3, D4, en las salidas Q1, Q2, Q3, Q4 son conectados los leds que son los que indicaran los datos que se mandan, aquí se conectaron resistencias para cada uno de ellos de 220 ohm además estos serán conectados a corriente ya que el circuito es de tipo de colector abierto. Para lectura y escritura de datos la memoria cuenta con 2 entradas una llamada CS y otra WE para habilitar el modo escritura ambas entradas tienen que estar a tierra, de ese modo estarán recibiendo L, L o 0,0 respectivamente. Ya que terminamos de ingresar datos en las diversas direcciones procedemos a leerlos, para eso la entrada CS debe estar conectada a corriente y WE debe estar a Tierra. De ese modo la memoria estará enviando los datos guardados de las direcciones que indiquemos.

A continuación se muestra el diagrama de conexión el cual representa el funcionamiento de nuestro circuito:

Después de simular en PROTEUS versión 7 el diagrama de conexión y comprobar su funcionamiento iniciamos la construcción del circuito como se indica anteriormente e hicimos distintas pruebas en modo lectura/escritura y comprobamos su funcionamiento.

PRUEBAS Para la elaboración del circuito nos basamos en el diagrama lógico mostrado anteriormente. Comenzamos ensamblando cada una de los componentes sobre la protoboard, tratando de conservar una buena presentación para el mismo.

CONCLUSIÓN: La memoria 74S289

es un circuito en paralelo, es una conexión donde los

puertos de entrada de todos los dispositivos conectados coincidan entre sí, al mismo modo que sus terminales de salida. De mismo modo comprendimos con mayor precisión el funcionamiento de una memoria RAM y como es que los busses del sistema, llevan los datos hasta esta, guardándolos de manera temporal, y posteriormente como es que los busses llevan a la lectura de datos. Opinamos que para poder realizar un buen trabajo y que los resultados sean satisfactorios requiere leer y entender

la teoría y posteriormente llevarlo a

práctica.

BIBLIOGRAFIA: http://pdf.datasheetarchive.com/datasheetsmain/Datasheets-10/DSA-187829.pdf http://www.buenastareas.com/ensayos/Memoria-Ram7489/1558512.html http://books.google.com.mx/books?id=9HWEodKxTCYC&pg=PA118&dq=memoria +7489&hl=es419&sa=X&ei=p1RLUqKEGoaG9QSzjoHAAg&ved=0CC0Q6AEwAA #v=onepage&q=memoria%207489&f=false