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• Cristhian Alcocer Polanco

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UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DE CANCUN Organismo Público Descentralizado del Gobierno del Estado de Quintana Roo

Ingeniería y Tecnología: TSU en Mantenimiento Industrial Electrónica 3er Cuatrimestre Mtro. Juan Carlos Sandoval Práctica: 2 Rectificador De media onda y onda completa Integrantes del equipo:

Cancún, Q. Roo a 21 mayo 2016

Electrónica, Diodo semiconductor, mayo 16.

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Asignatura: Tema: Práctica:

Electrónica Grupo: Semiconductor Subtema: Rectificador de media onda y onda completa

Valor de la practica

MI32 Diodo Laboratorio de: Fecha: Electrónica 16 mayo 13 Calificación:

Práctica: Rectificador de media onda y onda completa I. Objetivo  Describir la operación Rectificador de media onda y onda completa.  Implementa un rectificador de media onda y onda completa . Introducción El nivel de Voltaje de cd obtenido en un rectificador de media onda, se puede mejorar en un 100% mediante la utilización de un rectificador de onda completa. Se utilizan cuatro diodos en configuración como un puente.

Rectificador de media onda El análisis del diodo en corriente alterna se establece en conducción de acuerdo a la polaridad del mismo y solo conduce en la primera mitad de la señal. 1N1183

VF1

-

+

+

R 1k

Vi

El valor promedio de voltaje en la salida es Vcd Vcd = 0.318 Vm

Vo

Donde: Vcd es el voltajde corriente directa a la salida del circuito Vm: es el voltaje máximo en la cresa de la onda, El proceso de eliminación de un medio de la señal de entrada para establecer un nivel de cd, tiene el nombre de rectificador de media onda. Al considerar el voltaje de disparo del diodo de silicio, se tiene el voltaje de cd; Vcd = 0.318(Vm – Vt) Donde Vt es el voltaje de disparo del diodo. 1N1183

VI

Vt = 0.7v

-

R 1k

+

+

Electrónica, Diodo semiconductor, mayo 16.

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Rectificador de onda completa El nivel de Vcd se puede mejorar mediante la utilización de un puente rectificador de onda completa que se integra de cuatro diodos en una configuración de puente.

+ 1N1183 Vi

-

+

R1 1k

+

Vo

-

Como el área en el primer cuadrante ahora es el doble, su voltaje de corriente directa “Vcd” es: Vcd = 0.636 Vm Para mayor precisión, podemos utilizar: Vcd = 0.636 (Vm – 2 Vt) Si se aplican diodos de silicio, la ley de voltajes de kirchhoff queda de la siguiente forma:

PARA EL VALOR PICO SE EXPRESA COMO:

2. Material

1 2 3

No

Cantidad 4 diodos 1 1

4

1

Material 1N4001 Resistencia 1000 Ohms Protoboard Transformador de 120v a 12v 0.5A

Electrónica, Diodo semiconductor, mayo 16.

Equipo Multímetro Fuente de voltaje Generador de funciones

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3. Desarrollo Describe la operación del siguiente circuito calcula la corriente del diodo, voltaje del diodo y voltaje de la resistencia.

R1 1 k

D11N1183

V1 8

Teórico Medición ID VD VR

Paso 1 Describe la operación del siguiente circuito calcula la corriente del diodo, voltaje del diodo y voltaje de la resistencia. Dibuje la salida Vo. Teórico Medición

D11N1183

+

R2 2 k

VD V cd Vo

VG1

Vi=14v ca Vcd = 0.318(Vm – Vt)

Descripción de operación:______________________________________________________ _______________________________________________________________ _______________________________________________________________ _______________________________________________________________ _______________________________________________________________ _______________________________________________________________ Paso 2 Implemente el siguiente circuito y determine: el valor de Vo y dibuje la forma de onda de entrada y de salida

GR11N1183 +

Teórico Medición R1 1 k

VG1

Vo Vcd VR IR

Electrónica, Diodo semiconductor, mayo 16.

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Vi=14 v ca Si se aplican diodos de silicio, la ley de voltajes de kirchhoff queda de la siguiente forma:

PARA EL VALOR PICO SE EXPRESA COMO:

Descripción de operación: _______________________________________________________________ _______________________________________________________________ _______________________________________________________________ _______________________________________________________________ _______________________________________________________________ 5. Conclusiones _____________________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________________

6. Bibliografía

Electrónica, Diodo semiconductor, mayo 16.

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