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• Alejandra Lenis

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1. La mayor parte de los electrones libres en la base de un transistor NPN no se recombinan debido a? R// Debido a que la base controla el paso de los electrones de emisor hacia colector, busca que la mayor parte de electrones lleguen a destino y el colector recibe los electrones libres de base-

2. Un transistor con emisor común y polarización de base tiene una IE=10mA y una IC=9.95mA, cual es el valor de la corriente de Base? R//

IE=IC+ IB

IB=IE−IC

IB=10 mA−9.95mA =50 uA

3. Si un transistor BJT tiene un β=220, cual es el valor de α? R//

α=

β 1∓ β

α=

220 =0.9954 1+ 220

4. En un circuito con polarización por divisor de tensión, si el voltaje en RE disminuye, ¿qué le sucede al voltaje de Colector? R//En cuanto al voltaje del colector no le sucede nada ya que dicho voltaje no depende de RE

VC =( V CC −I C RC ) Si el voltaje en el emisor disminuye entonces el voltaje en el colector-emisor aumenta ya que el voltaje colector emisor esta determinado por la siguiente ecuación:

V CE =( V CC −I C RC ) −( I E R E ) 5. Se necesita ubicar el punto Q en las coordenadas (4.5V, 15mA). a.) Calcule el valor de las resistencias para ubicar el punto Q en dichas coordenadas. b.) Indique los valores reales de las corrientes (No Aproximados) de base, colector y emisor. c.) Cambiando únicamente el valor de R1 (calculado en el punto anterior), garantice una saturación fuerte e indique las nuevas coordenadas del punto Q.

R// Teniendo en cuenta las coordenadas del punto Q sabemos que:

IC=15 mA

Q=(4.5 V , 15 mA)

VCE=4.5V

Ahora lo primero que hacemos es hallar la beta:

β=

α 1−α

β=

0.996 =249 1−0.996

Como ya tenemos el valor de Beta y los valores que nos da el punto Q en el enunciado podemos determinar la corriente de base, así que:

β=

IC IB

IB=

IC β

IB=

15 mA =60.24 uA 249

Como ya tenemos la corriente de base podemos determinar la ecuación de la malla de entrada para lograr hallar el valor de R1, entonces:

−VBB + IB∗R 1+0.7 V =0 R 1=

12V −0.7 V =187.58 K Ω 60.24 uA

R 1=

VBB−VBE IB

Ahora pasamos a determinar la malla de salida para lograr hallar el valor de R2 teniendo en cuenta el valor de la corriente del colector:

−V CC + I C∗R 2+VC =0

VCE=VC−VE

VE=0V

El voltaje en el emisor es 0V ya que no hay resistencia en el emisor, entonces la ecuación queda así:

R 2=

−VCC + IC∗R 2+VC E=0 R 2=

VCC−VCE IC

9 V −4.5 V =300 Ω 15 mA

Como ya hallamos el valor la corriente de colector y la corriente de base solo nos hace falta determinar la de emisor, entonces:

IE=IC+ IB

IE=15 mA +60.24 uA=15.06 mA

Para la ultima parte hallamos la corriente de saturación y el voltaje en corte: Corte

Saturación

VCE=9 V

VCE=0 V

IC=O mA

IC=

9V =30 mA 300 Ω

Como ya sabemos cuál es la corriente de saturación y en el enunciado nos piden que garanticemos una fuerte saturación entonces asumimos la corriente de colector IC=40 mA y procedemos a calcular la corriente de base, entonces:

β=

IC IB

IB=

IC β

IB=

40 mA =160.64 uA 249

Como ya tenemos la corriente de base podemos determinar la ecuación de la malla de entrada para lograr hallar el valor de R1, entonces:

−VBB + IB∗R 1+0.7 V =0 R 1=

R 1=

VBB−VBE IB

12V −0.7 V =70.34 K Ω 160.64 uA

Ahora para determinar las nuevas coordenadas del punto Q solo hace falta hallar el VCE y para esto utilizamos la ecuación de malla de salida, así que:

VCC + IC∗R 2+VC =0

VCE=VC−VE

VE=0V

El voltaje en el emisor es 0V ya que no hay resistencia en el emisor, entonces la ecuación queda así:

−VCC + IC∗R 2+VCE=0 VCE=12 V −( 300 Ω∗40 mA )=0V Entonces las coordenadas del punto Q:

Q=(0 V , 40 mA )

Simulación:

Valores de resistencias hallados

VCE=VCC−(R 2∗IC )

Transistor fuertemente saturado