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• Jheyson Carbajal Reque

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05 de Junio del 2018

JFET – UNIDAD INTRODUCTORIA Y RESOLUCION

Preguntas de Unidad 13: JFET 1. Un JFET _________________________________________________________________________ 2. Un transistor unipolar utiliza _________________________________________________________________________ 3. La impedancia de entrada de un JFET _________________________________________________________________________ 4. La puerta controla _________________________________________________________________________ 5. El diodo puerta – fuente de un JFET tiene que _________________________________________________________________________ 6. Comparado con un transistor de unión bipolar, el JFET tiene una mayor _________________________________________________________________________ 7. La tensión de estrangulamiento tiene el mismo módulo que la _________________________________________________________________________ 8. Cuando la corriente de saturación de drenador es menor que IDSS, un JFET se comporta como _________________________________________________________________________ 9. RDS es igual a la tensión de estrangulamiento divida entre _________________________________________________________________________ 10. La curva de transconductancia es _________________________________________________________________________ 11. La transconductancia aumenta cuando la corriente de drenador se aproxima a _________________________________________________________________________ 12. Un amplificador en fuente común tiene una ganancia de tensión igual a _________________________________________________________________________ 13. Un seguidor de fuente tiene una ganancia de tensión igual a SENATI |

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_________________________________________________________________________ 14. Cuando la señal de entrada es grande, un seguidor de fuente tiene _________________________________________________________________________ 15. La señal de entrada utilizada con un conmutador analógico JFET tiene que ser _________________________________________________________________________ 16. Un amplificador cascodo presenta la ventaja de tener _________________________________________________________________________ 17. VHF cubre frecuencia desde _________________________________________________________________________ 18. Cuando un JFET está cortado, las zonas de deplexión _________________________________________________________________________ 19. Cuando la tensión de puerta se hace más negativa en un JFET de canal n, el canal entre las zonas de deplexión _________________________________________________________________________ 20. Si un JFET tiene IDSS= 8 mA y Vp= 4 V, entonces Rds es igual a _________________________________________________________________________ 21. La forma más fácil de polarizar un JFET en la región óhmica es con _________________________________________________________________________ 22. La autopolarización produce _________________________________________________________________________ 23. Para obtener una tensión puerta – fuente negativa en un circuito JFET autopolarizado, hay que tener _________________________________________________________________________ 24. La transconductancia se mide en _________________________________________________________________________ 25. La transconductancia teórica indica como de efectivamente la tensión de entrada controla _________________________________________________________________________ SENATI |

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Problemas 1. Ideas Básicas 1.1. Un 2N5458 tiene una corriente de puerta de 1nA cuando la tensión inversa es -15 V. ¿Cuál es la resistencia de entrada de la puerta?

1.2. Un 2N5640 tiene una corriente de puerta de 1uA cuando la tensión inversa es -20 V y La temperatura ambiente es 100°C. ¿Cuál es la resistencia de entrada de la puerta?

2. Curvas de drenador 2.1. Un JFET tiene IDSS= 20 mA y Vp= 4 V. ¿Cuál es la corriente máxima de drenador? ¿Y la tensión de corte puerta – fuente? ¿Y el valor Rds?

2.2. Un 2N5555 tiene IDSS= 16 mA y Vgs(off)= -2 V. ¿Cuál es la tensión de estrangulamiento de este JFET? ¿Cuál es la resistencia de drenador – fuente (Rds)?

2.3. Un 2N5457 tiene IDSS= 1 a 5 mA y Vgs(off)= -0.5 a -6 V. ¿ Cuáles son los valores máximos y mínimo de la resistencia de drenador – fuente (Rds)?

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