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Nombre: Marcelo Andrés Espinosa Alvarado

Nivel: Cuarto Paralelo: “A” Tema: Transistores MOSFET Fecha: 09 – 07 – 2013 Periodo: Marzo – Agosto 2013

OBJETIVOS: Objetivo general: 

Conocer que son los transistores MOSFET

Objetivos específicos: 

Analizar el funcionamiento de los transistores MOSFET



Determinar las diferentes configuraciones de los transistores MOSFET

DESARROLLO Transistores Mosfet El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (Metal-oxidesemiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET. El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente está conectado internamente a la terminal del surtidor.

Existen dos tipos de MOSFET:  

Aquellos en los que existe canal en ausencia de polarización se les denomina MOSFET de deflexión (decremental). Aquellos en los que no existe el canal si no se polariza, se les llama MOSFET de acumulación. (Incrementales).

Modo de empobrecimiento: 

El transistor MOSFET efectúa el proceso anterior; VDD conduce los electrones del surtidor al drenador a la izquierda del sustrato tipo P.



La tensión del graduador puede regular la corriente que pasa por el canal.

Polarización de mosfet del tipo de empobrecimiento: Se establece un punto Q en Vgs=0, por lo tanto, una señal de CA que entra por el graduador produce variaciones arriba y abajo del punto Q. Es una ventaja cuando Vgs=0 porque así se puede polarizar y se puede utilizar este circuito en donde el graduador y el surtidor no necesitan voltaje. Ventajas y aplicaciones:    

Amplificar señales pequeñas casi igual como los transistores JFET. Un transistor MOSFET es un amplificador separador casi ideal porque el graduador aislado significa que la resistencia de entrada se aproxima a infinito. Si la impedancia de entrada de un JFET no es suficientemente alta se puede utilizar un MOSFET. Excelentes propiedades de bajo ruido.

Mosfet de enriquecimiento  

Este tipo de MOSFET se usa en microprocesadores y memorias de computadores (funciona como interruptor). Para obtener corriente de drenado, se tiene que aplicar un voltaje positivo en el graduador compuerta.

Polarización de mosfet del tipo de enriquecimiento:

Con un MOSFET del tipo de enriquecimiento, VGS tiene que ser mayor que VGS (th) para obtener corriente. Esto elimina la auto polarización, la polarización por corriente de surtidor y, la polarización cero, ya que todas ellas operan en el modo de empobrecimiento. Los MOSFET del tipo de enriquecimiento trabajan con las siguientes polarizaciones:  

Polarización con graduador. Polarización por divisor de voltaje (tensión).



Retroalimentación de drenador: compensa cambios en las características de los FET.

“Si ID(enc) trata de incrementarse por alguna razón, VD (enc) decrece.

CONFIGURACIONES DE LOS MOSFET. MOSFET De tipo decremental, polarización

Fija.

VGSQ = + VGG VDS = VDD - IDRS

MOSFET De tipo decremental polarización mediante divisor de voltaje.

VG = R2 VDD/(R1 + R2) VGS = VG - ISRS VDS =VDD - ID(RD + RS)

MOSFET De tipo incremental Configuración por retroalimentación. VGSQ = VDS

VDS = VDD - IDRS

MOSFET De tipo incremental Polarización mediante divisor de voltaje.

VG = R2 VDD/(R1 + R2) VGS = VG - IDRS

Ejercicios: Para la siguiente red tipo incremental, determine: a) b) c) d)

IDQ VGSQ y VDSQ VD y vS VDS

(

(

) ⁄ (

VGS (v) 3 4 5 6 7

ID(mA) 0 0.556 2.22 5 8.9

)

)

(

Determinar lo siguiente para la red de la figura mostrada a continuación: a) IDQ y VGSQ b) VD

Datos

IDSS = 8 mA VP = - 8 V IDQ = IDSS / 4 VGSQ = VP / 2 IDQ = 8 mA / 4 = 2 mA VGSQ = -8 v / 2 = - 4 v VD = VDD - IDRD = 20 V - (2 mA)(6.2 k!) = 20 V - 12.4 V VD = 7.6 V IDSS = 12mA VP = -5 V

)

CONCLUSIONES 

Se ha llegado a conocer los transistores MOSFET



Se ha analizado el funcionamiento de los transistores MOSFET



Se ha determinado las diferentes configuraciones de los transistores MOSFET

BIBLIOGRAFIA 

Teoría de Componentes y Circuitos Electrónicos Boylestad. 8va edit.