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• Anita Sichique

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Memoria RAM TIPOS DE MEMORIA

Definición  Memoria de lectura aleatoria (Read Aleatory

Memory)  Almacenar datos e instrucciones de manera temporal (que pierde los datos almacenados una vez apagado el equipo)  Muy alta velocidad para realizar la transmisión de la información

 Depende de la capacidad de la memoria RAM el

numero de programas en ejecución sin inconvenientes.  La velocidad con la que se envían los datos hacia el procesador se expresan en Hertzios.  Dos tipos básicos: 

DRAM: RAM Dinamica Mayor capacidad y densidad  Menor consumo de potencia  Velocidad de acceso baja 



SRAM: RAM Estatica Velocidad de acceso alta  Menor capacidad  Mayor costo por bit y mayor consumo de potencia 

Tipos VRAM PB SRAM

SIMM

EDO

DIMM

FPM

DIP

SDRA M

RAM DISK

DRAM SRAM

RAM CACH É

VRAM – Video RAM  Propósito especial: adaptadores de video  Mejor rendimiento grafico  Acceso dos dispositivos simultáneamente:  Monitor: actualizaciones de pantalla  Procesador grafico: suministrar nuevos datos

SIMM - Single In line Memory Module  Tipo de encapsulado de ciruito impreso que

almacena chips de memoria.  Fáciles de instalar  Formato:72 contactos y almacena hasta 64 megabytes de RAM  Ordenadores antiguos

DIMM- Dual In Line Memory Module  Tipo encapsulado de circuito impreso que almacena

chips de memoria que se inserta en un sócalo DIMM  Usa un conector de 168 contactos.  Ordenadores modernos, pueden transmitir 64 hasta 72 bits.

DIP - Dual In Line Package  Un tipo de encapsulado consistente en almacenar un

chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado.

RAM DISK  Simular un disco duro  Mil veces más rápido que el disco duro  Aplicaciones que precisan frecuentes accesos a disco

 Pierde contenido cuando se apaga la pc  Copiar ficheros desde disco real al inicio de sesión y

al apagarlos.

Memoria Caché o RAM Caché  Sistema de almacenamiento de alta velocidad

 Dos tipos de caché:  memoria caché: parte de memoria RAM estática de alta velocidad, más lenta y barata RAM dinámica  caché de disco: mejorar el rendimiento de las aplicaciones, acceder a un byte de datos de RAM es mil veces más rápido

SRAM: Static RAM  Más rápida y fiable que la más común DRAM  Necesita ser refrescada menos veces que la RAM

dinámica.  Tiempos de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos, mientras que las RAM dinámicas están por encima de 30.  Las RAM precisan más espacio y usan más energía, debido a su alta velocidad

DRAM-Dynamic RAM  Gran capacidad pero precisa ser constantemente

refrescada (re-energizada) o perdería su contenido.  Usa un transistor y un condensador para representar un bit los condensadores debe de ser energizados cientos de veces por segundos.

SDRAM - Synchronous DRAM  Es casi un 20% más rápida que la RAM EDO.  Entrelaza dos o más matrices de memoria interna:  mientras que se está accediendo a una matriz,  la siguiente se está preparando para el acceso.  DDR SDRAM o SDRAM II:  Más rápida: leer y escribir datos a dos veces la velocidad bus  Conocido como Double Data Rate DRAM

FPM - Fast Page Mode  Memoria en modo paginado, el diseño más común

de chips de RAM dinámica.  El acceso a los bits se realiza por medio de coordenadas: fila y columna.  La fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso.

EDO - Extended Data Output  Un tipo de chip de RAM dinámica que mejora el

rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%.  Puede ser substituida por chips de modo Fast Page.  Elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo.

 BEDO (Burst EDO): más rápido de EDO que mejora la

velocidad usando un contador de dirección para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa las operaciones

PB SRAM - Pipeline Burst SRAM  Pipeline: categoría de técnicas que proporcionan

un proceso simultáneo, y se refiere a las operaciones de solapamiento moviendo datos o instrucciones en una 'tubería' conceptual con todas las fases del 'pipe' procesando simultáneamente.  Por ejemplo, mientras una instrucción se está ejecutando, la computadora está decodificando la siguiente instrucción.  Velocidades de entre 4 y 8 nanosegundos.

Módulos de memoria RAM.  SDR: 168 contactos: 1 bite por ciclo de

reloj  DDR: 168 contactos: 3 bites por ciclo de reloj (velocidad: 200 a 600 MHZ).  DDR2: 240 contactos: 4 bites por ciclo de reloj (velocidad: 400 a 800 MHZ).  DDR3: 240 contactos: 8 bites por ciclo de reloj.

 DDR (Double Data Race): Doble tasa de datos, la memoria es capaz

de procesar el doble de datos por cada ciclo de reloj

Gracias