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• Christian Miller Sotelo

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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE

SDSSDSU

SAN MARCOS Universidad del Perú, Decana de América

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA E.A.P. INGENIERÍA ELÉCTRICA .

TEMA: TRANSISTOR BIPOLAR

CURSO: LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I ALUMNOS:

MEDINA CALDERÓN, Alfredo ALUMNOS: • PIZARRO NONALAYA, JANPIER CÓDIGO: 17190232

.

Ciudad Universitaria, Lima 2019

1. Antecedentes y objetivos: El transistor NPN es un dispositivo electrónico que está compuesto por tres regiones semiconductoras interconectadas N-P-N. Este elemento tiene por lo tanto tres pines de conexión. El transistor es bipolar. Las uniones PN o NP están compuestas por materiales semiconductor. El transistor NPN está compuesto por tres capas de materiales semiconductores. Estos materiales son cristales de silicio que se encuentran dopados de forma distinta. Un transistor NPN, que también se llama BJT, puede ser usado para dos cosas. El transistor puede funcionar como un interruptor controlado electrónicamente o como un amplificador con ganancia variable, la más usada es el uso del transistor NPN como interruptor electrónico, este funcionamiento, el transistor debe de operar en las zonas llamadas corte y saturación. Para un amplificador electrónico se utiliza una pequeña corriente en la base del transistor para controlar una corriente mayor entre el colector y el emisor. Para este tipo de transistores bipolares, la amplificación es entonces respecto de la corriente. La corriente del colector es proporcional a la corriente en la base multiplicada por la «beta» del transistor. Entonces este es el factor de ganancia en un transistor NPN. La polarización fija es la más sencilla y rápida para realizar, pero también la más inestable ante las variaciones de beta, por tanto también la menos usada. La polarización fija solo se usa en la configuración emisor común, ya que en la configuración base común cortocircuita la entrada, y en la configuración colector común cortocircuita la salida

2. Materiales: -Osciloscopio

-Generador de señales

- Multimetro digital

-Transformador de 12v-1ª

-2 diodos semiconductores

-Protoboard

-Resistencias de 1k(2) y 100k(1)

-Transistor 2n2222

-Conectores de diversos tipos

-Capacitor de 4700uf

3. Procedimientos: -Armamos el siguiente circuito en el protoboar:

En este caso nuestro “Vcc” fue hecho por un circuito rectificador de onda completa con 2 diodos con filtro por condensador. La cual el voltaje que nos da es: 16,37 v -Medimos con un voltímetro en DC, en este caso nuestro RB = 100KΩ - V1k = 10,92V (Voltaje en la resistencia del colector) 𝑉100𝑘 = 15,35V (Voltaje en la resistencia de la base) -Medimos con un amperímetro IC (Corriente colector) = 10,97mA IB (Corriente Base) = 156,8 uA Voltaje 𝑉𝐶𝐸 = 6 𝑉, 𝑉𝑐𝑐 – 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉1𝐾 → 𝑉1𝑘 = 16,37 – 6 → 𝑉1𝐾 = 10,37 𝑣 𝑉𝐵𝐸 = 0,7 𝑉 𝑉𝑐𝑐 – 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉100𝑘 → 𝑉100𝑘 = 16,37 – 0,7 → 𝑉100𝑘 = 15,67 𝑣 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝐼1𝑘 = 𝑉1𝑘 / 1𝑘Ω → 𝐼1𝑘 = 10,37 / 1𝑘Ω → 𝐼1𝑘 = 10,37𝑚𝐴 𝐼100𝑘 = 𝑉100𝑘 / 100𝑘Ω → 𝐼100𝑘 = 15, 67 / 100𝑘Ω → 𝐼100𝑘 = 156,7𝑢𝐴

Parámetros

Teórico

Experimental

V1k

10,28 v

10,92 v

V100k

15,16 v

15,35 v

VBE

0.73 v

0.7 v

VCE

5.89 v

6v

I1k

10,27mA

10,97mA

I100k

156,68 uA

156,8 uA