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PRÁCTICA No. 6 PROGRAMACIÓN MEMORIA EEPROM Andrea Carolina Kryksman Valbuena, código:27451984 ​ Facultad de Ingeniería mecánica y mecatrónica Universidad Nacional de Colombia - Sede Bogotá.

OBJETIVO: ​Aprender a programar una memoria EEPROM en diferentes posiciones, de forma manual, tal que actúe como un publik de letras.

INTRODUCCIÒN. Entender cómo se programa y se lee en una memoria EEPROM de manera manual comprendiendo su funcionamiento desde su tabla de verdad, el circuito para ello será dividido en 3 partes o secciones, la primera seccion sera la localidad de memoria, la segunda de escritura y finalmente de lectura. MARCO TEÓRICO 1.Memoria EEPROM HM 6116. Es una memoria de acceso aleatorio, Random Access Memory (RAM), cuenta con una capacidad de 2048 palabras de 8 bits cada una, es una memoria estática de alta velocidad, está fabricada con la tecnología CMOS, opera con una fuente de alimentación de +5.0 Voltios y está dispuesta en una pastilla de 24 terminales.

OPERACIÓN DE LECTURA Un dato será leído del dispositivo de almacenamiento RAM 6116, mediante la aplicación de un nivel alto en la terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y estando en nivel bajo la terminal (OE)', con estas conexiones se dispone que se pueda leer la memoria RAM 6116, si se coloca un nivel alto en la terminales (OE)'. y/o (CS)' las líneas de E/S y/o la pastilla 6116 se ponen en estado de alta impedancia, respectivamente. (CS)' posee la función de controlar la activación de la pastilla, la cual puede ser usada por un sistema con microprocesadores para la selección del dispositivo. La terminal (OE)' habilita las salidas, o las pone en estado de alta impedancia, la cual puede ser habilitada cada vez que el microprocesador requiere leer la memoria. OPERACIÓN DE ESCRITURA Un dato es escrito en el dispositivo RAM 6116 mediante la aplicación de un nivel bajo en la terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y un nivel alto o bajo en la terminal (OE)'. La terminal (WE)' al ser activa provoca que las terminales E/S de la memoria RAM 6116 se habiliten para aceptar la información, en estas condiciones la terminal (OE)' posee la opción de ser colocada en estado de alto bajo, para realizar así la operación de escritura.

Figura 1. configuración pines EEPROM HM 6116

DESCRIPCIÓN DE LAS TERMINALES • A0-A10: Líneas de direcciones • E/S0- E/S7: Entrada y Salida de datos • CS Habilitador de la pastilla • OE Habilitador de salidas • WE Habilitador para la escritura • Vcc Voltaje de alimentación +5.0 Volts • GND Terminal de tierra 0.0 Volts

Tabla 1. tabla de verdad memoria EEPROM HM 6116

2. DM74LS126A (buffer 3-state) Este dispositivo contiene cuatro puertas independientes, cada una de las cuales realiza una función de búfer sin inversión. Las salidas tienen la característica 3-ESTADO. Cuando están habilitadas, las salidas exhiben las características de baja impedancia de una salida LS estándar con capacidad de accionamiento adicional para permitir la conducción de líneas de bus sin resistencias externas. Cuando está deshabilitado, los dos transistores de salida se apagan presentando un estado de alta impedancia a la línea de bus. Por lo tanto, la salida no actuará como una carga significativa ni como un controlador. Para minimizar la posibilidad de que dos salidas intenten llevar un bus común a niveles lógicos opuestos, el tiempo de desactivación es más corto que el tiempo de activación de las salidas.

Figura 3. Circuito simulado en multisim para programar memoria HM 6116.

Este circuito se diseñó con tres secciones, la primera sección es la localidad de memoria, la segunda de escritura y finalmente de lectura. la sección de la memoria está compuesta por un dip switch de 8 disposiciones el cual enviará estados altos o bajos, dependiendo de lo que se busque, a las entradas de la memoria de A0 a A7 qué son las localidades de la memoria en la que serán alojados estos estados. El resto de las entradas de la memoria deberán ser conectadas a tierra. La otra parte está formada por un display de tres segmentos con el que se grabara los datos en la memoria.

Figura 2. Diagrama lógico buffer 74126 .

MATERIALES ● ● ● ● ● ●

una Memoria EEPROM HM 6116. 4 Dip Switch de 4 disposiciones 16 Resistencias, 1 Display 7 segmentos. 4 Buffer tri-state 74126 Fuente DC, protoboard.

METODOLOGÍA Se realiza la simulación del circuito planteado para verificar la funcionalidad de este.

Figura 4. Sección localidad de memoria

La sección de escritura, cuando habilitamos esta sección con el dip-switch de 3 segmentos, encontraremos un dip-switch de ocho segmentos en la cual se escribirá el dato que se guardará en la memoria, estos están

conectados a buffer 3-state 74126, los cuales evitarán que se haga un corto circuito realizando ya sea la lectura o la escritura de datos.

https://www.idt.com/document/dst/6116saladata-sheet http://ltodi.est.ips.pt/lab-dee-et/datasheets/TT L/74126.pdf http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/vi ew/51031/FAIRCHILD/74126.html

Figura 5. Sección localidad de memoria

La sección de lectura está conectado nuevamente a 2 buffer 3-state 74216 y a su vez a un display de 7 segmentos, en el que se verán los datos guardados

Figura 6. Sección localidad de lectura.

CONCLUSIÓN. ●

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Los buffer 3-state 74126, evitarán que se haga un corto circuito realizando la lectura o la escritura de datos. Es necesario conocer las disposiciones de la memoria para poder armar el circuito de forma correcta. las compuertas de entrada sin utilizar en la memoria deben ir a tierra para un funcionamiento idoneo.

BIBLIOGRAFÍA. http://esime-ipn.blogspot.com/2015/10/manej o-de-una-memoria-Tram-6116.html