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• Hubert Vásquez Cueva

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• Ingenieria Eléctrica

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LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS- EL BJT COMO AMPLIFICADOR 1. OBJETIVOS:  





Aprender a colocar a un transistor en la región activa. Aprender que si se coloca un transistor en otras regiones, este se estaría malogrando. Aprender que la tensión de salida de pende de la corriente de base para que no se distorsione. Aprender que un transistor funciona como amplificador cuando esta en emisor común.

Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.

2. COMPONENTES O EQUIPOS A UTILIZAR:         

Fuente de alimentación (DC) Generador de señales 2 Condensadores de 47f Potenciómetro de 100K Transistor BJT npn 4 Resistencias: 100K, 500, 5K, 1M Multímetro digital Osciloscopio digital Un tablero de conexión

3. INTRODUCION: El transistor es uno de los dispositivos más importantes de la electrónica, se encuentra en todo circuito electrónico en la actualidad. Posee múltiples aplicaciones como la de amplificador, conmutador, entre otros. Por esta razón es muy importante conocerlo

El transistor:

Zonas de trabajo: CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor también es nula. La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensión de la batería se encuentra en la carga conectada en el Colector. ACTIVA.- Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o menos corriente.

Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación. En definitiva, como si fuera un interruptor. La ganancia de corriente es un parámetro también importante para los transistores ya que relaciona la variación que sufre la corriente de colector para una variación de la corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de características, también aparece con la denominación hFE. Se expresa de la siguiente manera: ß = IC / IB CURVAS CARACTERÍSTICAS Entendemos por curvas características de un transistor la representación gráfica de las relaciones entre sus corrientes y tensiones. Esta información es muy útil para el diseñador a la hora de elegir uno u otro transistor para un circuito, pues permite tanto observar todas las características del mismo, como realizar el diseño en sí. Las curvas características son representaciones gráficas de 3 variables. En los ejes X e Y se colocan dos de las variables, y se dibuja una curva para cada uno de los valores de la tercera variable. En el siguiente apartado se expondrá un ejemplo. En función de qué tres variables se elijan para representar una curva característica, y si se consideran curvas de entrada o salida, se pueden definir los siguientes tipos

de gráficas en los transistores bipolares:

Curvas caracteristi cas

Tipo

En emisor De común entrada

Variables que representa n

V BE

,

IB

Y

V CE De salida

IC

,

4. EXPERIMENTACION:

V CE

e

IB En base De común entrada

V BE

,

IE

y

V CB De salida

IC

,

V CB

e

IE En colector De comun entrada

V BE

,

IB y V BE DE salida

IC V CE IB

, e

Primero se armó el circuito:

Se comenzó a medir el

V0

por cada valor de resistencia del

potenciómetro RL(k) I(A) Vo(mv) AI AV AP 0.0039 2.7 692.3 744.2646 0.0474 35.28 0.56 43.332 77.4 83.2097 0.7602 63.26 7.18 278.09 38.7 41.6049 4.8788 202.98 12.02 334.512 27.8 29.8867 5.8686 175.39 15.53 359.718 23.2 24.9414 6.3108 157.4 20.4 380.409 18.6 19.9961 6.6738 133.45 27.55 402.126 14.6 15.6959 7.0548 110.73 34.5 414.952 12 12.9007 7.2799 93.92 42.4 425.38 10 10.7506 7.4628 80.23 50.3 432.068 8.6 9.2455 7.5801 70.08 Se tiene en cuenta que:

I i =930.18nA V i =57mV Ri =61.2k

Ganancia de voltaje versus Resistencia de prueba:

AV vs RL(K) 10

Ganancia de tension

5 0 0 204060

RL(K)

AV

Ganancia de corriente versus Resistencia de prueba:

AI

RL(K)

vs

800 600 AI 400 200

AI

0 0

10

20

30

40

50

60

RL(K)

Ganancia de potencia versus Resistencia de prueba:

AP vs RL(K) 250 200 150 AP 100

AP

50 0 0

10

20

30

40

50

60

RL(K)

5. CONCLUSIONES  Comprobamos el correcto funcionamiento del transistor BJT como amplificador de señal.  El transistor bipolar es controlado por corriente, siendo la amplificacion dependiente de la polarizacion correcta que se le haga, usando los valores resistivos correspondientes. 6. BIBLIOGRAFIA http://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor.php http://electronicavm.files.wordpress.com/2011/03/el-transistor-enamplificacic3b3n.pdf

http://ocw.uv.es/ciencias/1-4/clase54edit.pdf http://webs.uvigo.es/mdgomez/DEI/Guias/tema5.pdf http://www.unicrom.com/Tut_distorsion-amplitud-alinealidad-amplificadortransistor.asp