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REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA EDUCACIÓN UNIVERSITARIA INSTITUTO UNIVERSITARIO DE TECNOLOGÍA “DR. FEDERICO RIVERO PALACIO” DEPARTAMENTO DE ELECTRICIDAD PROGRAMA NACIONAL DE FORMACION EN ELECTRICIDAD

INFORME DE LABORATORIO DE ELECTRONICA PRÁCTICA No.3

TRANSISTOR BJT POLARIZADO.

PUNTUACIÓN GRUPO N° 6- A1

PRESENTACIÓN

1

______

TRAYECTO: I

INTRODUCCIÓN

2

______

INTEGRANTES:

PARTE TEÓRICA

2.5

______

Lepoldo Romero

P. PRÁCTICA LAB. 5

C.I. 20.111.529

P. PRÁCTICA INF.

5

Glenn Tomassi

LISTA DE MAT.

0.5

C.I. 20.130.609

CONCLUSIONES

4

____ ____ _______ _______ _______

NOTA TOTAL

FECHA: 13/07/10

FECHA DE ENTREGA__________ _______________

______________

INDICE

1 .INTRODUCCION .......................................................................................................................................... 3 2. PARTE TEÓRICA ......................................................................................................................................... 4 2.1 CARACTERISTICAS DEL DIODO ....................................................................................................... 4 2.1.1 TABLA DE VALORES DE Id OBTENIDOS PARA DISTINTOS VOLTAJES Ve ........................... 4 E (V) ............................................................................................................................................................... 4 Id (mA) ........................................................................................................................................................... 4 Vak (V) ........................................................................................................................................................... 4 2.2 CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO A PARTIR DE LA VISUALIZACION DEL COMPORTAMIENTO EN EL OSCILOSCOPIO ......................................................................................... 5 2.3 CIRCUITO RECTIFICADOR CON Vu VARIABLE. ............................................................................ 5 2.4 CIRCUITO RECTIFICADOR ONDA CUADRADA ............................................................................. 5 2.5 CIRCUITO EQUIVALENTE A UNA COMPUERTA AND .................................................................. 6 2.5.1 TABLA DE LA VERDAD DE LA COMPUERTA “AND”: ............................................................... 6 2.6 RECTIFICADOR O PUENTE DE DIODOS ........................................................................................... 7 2.7 RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA POSITIVA ................................................................................. 7 2.8 RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA ............................................................................................ 8 3. LISTA DE MATERIALES: ....................................................................................................................... 9 4. CONCLUSION ........................................................................................................................................ 10 5. ANEXOS: ..................................................................................................................................................... 12

1 .INTRODUCCION El siguiente informe presenta los resultados obtenidos del análisis de un cicuito donde se polariza un transistor BJT de silicio modelo 2N222. Las prácticas fueron realizadas tomando en cuenta un mínimo margen de error dado por los instrumentos de medición que no ocasionaron gran diferencia entre los resultados teóricos y prácticos al ser comparados.

2. PARTE TEÓRICA Para el circuito n° 1 se calculó Rb y Rc para obtener un punto de polarización donde Icq=10mA y Vceq=5v.

2.1 CARACTERISTICAS DEL DIODO Se procedió a armar el circuito anexo en el pre laboratorio compuesto por una fuente variable DC, una resistencia de 1kΩ. De la variación de la fuente obtuvimos la corriente Id (mA) para cada valor de Ve necesarios para graficar.

2.1.1 TABLA DE VALORES DE Id OBTENIDOS PARA DISTINTOS VOLTAJES Ve

E (V) 0,5 1 1,5 2 3 5 10 15 20

Id (mA) 0,1 0,5 0,95 1,4 2,4 4,2 9,5 14 19,5

Vak (V) 0,42 0,51 0,56 0,57 0,59 0,62 0,66 0,68 0,69

Con los valores anteriores se procedió a trazar la curva característica del circuito.

2.2 CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO A PARTIR DE LA VISUALIZACION DEL COMPORTAMIENTO EN EL OSCILOSCOPIO Se procedió a realizar el montaje de la figura 2B de la parte practica compuesta por una fuente en AC de Voltaje Medio 10v, una resistencia de 50Ω y un diodo de silicio. Se coloca el Canal 1 (CH1) en la entrada para medir Ve o el Voltaje de referencia y el Canal 2 (CH2) para visualizar la salida del circuito o el voltaje sobre la resistencia.

2.3 CIRCUITO RECTIFICADOR CON Vu VARIABLE. Se pide armar el circuito compuesto por dos diodos en serie, una resistencia de 10kΩ, una fuente AC de valor 6Vrms y una fuente DC variable de 3V. Paralelo a la resistencia se conecta el osciloscopio para observar el fenómeno del voltaje.

El circuito actúa como un rectificador de onda cuya tensión umbral Vu varía según el voltaje aplicado en la fuente de tensión DC.

2.4 CIRCUITO RECTIFICADOR ONDA CUADRADA Este circuito está compuesto por una fuente de tensión AC de valor 6Vrms, dos fuentes de tensión DC de 3V, una resistencia de 10kΩ y dos diodos de silicio, ambos en polarización Ánodo “NO” común entre sí. Se conectó un osciloscopio paralelo a la salida del circuito para observar el fenómeno.

Al variar el voltaje de las fuentes de tensión DC, se pudo observar que a medida que aumentaba el voltaje, el valor pico positivo iba disminuyendo por tanto; la función del circuito consiste en regular el voltaje pico positivo y aumentar (en escala muy pequeña) el tiempo de permanencia del valor pico.

2.5 CIRCUITO EQUIVALENTE A UNA COMPUERTA AND Compuesto por dos diodos de silicio, una resistencia de 1kΩ. Posee una terminal Vcc de valor +5V y dos entradas de tensión 5V en el Cátodo de cada diodo; entradas que se alternan para, en V0 o la salida del circuito, medir un valor que será asociado con los niveles lógicos de una compuerta.

Este circuito es el equivalente a un elemento importante en la electrónica digital llamado compuerta AND.

2.5.1 TABLA DE LA VERDAD DE LA COMPUERTA “AND”: V2(v) 0 0 5 5

V1(v) 0 5 0 5

V0(v) 0,6 0,65 0,65 4,98

2.6 RECTIFICADOR O PUENTE DE DIODOS Compuesto por una fuente de tensión AC, una carga conectada a un puente de diodos formado por cuatro diodos, dos con cátodo común y 2 con ánodo común. Para observar el comportamiento de la tensión en el circuito se conecta un osciloscopio en paralelo a la carga.

La función de este puente de diodo es rectificar la onda completa pasando el ciclo negativo a positivo. Es parte importante de los transformadores de tensión AC a DC.

2.7 RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA POSITIVA Compuesto por una fuente de tensión de valor 5V, un diodo de silicio y una resistencia de 10kΩ. Se conectaron dos canales. CH1 a la entrada del circuito y CH2 en paralelo a la resistencia.

El valor medio fue calculado de la siguiente manera:

2.8 RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA Compuesto por una fuente de tensión AC de voltaje máximo 5v, cuatro diodos en una configuración similar al puente rectificador con una carga de 1kΩ conectada en el centro de este. Es allí donde será medido el voltaje de salida.

3. LISTA DE MATERIALES: 

Fuente de tensión digital: DC POWER SUPPLY Modelo: GP3005-3



Osciloscopio digital: Digital Storage Oscilloscope Modelo: APS7102CA



Generador de funciones: Axxer



Cables con conectores banana y BNC-Caimán



4 Diodos de Silicio 1N4004



2 Cajas AOIP x10 x100

4. CONCLUSION El diodo es un elemento semiconductor que permite controlar la tensión en un circuito. Su función mas conocida es la rectificación de la onda. Mediante el uso de los diodos es posible transformar una tensión AC a DC con una configuración específica. También es posible manipular su tensión umbral aumentándola o disminuyéndola conectando dos diodos en serie antes de una fuente de tensión DC variable. Se observó que los componentes digitales como las compuertas se encuentran construidos internamente a base de diodos.

5. ANEXOS: