• Author / Uploaded
• Kevin Alvarado

• Categories
• Memoria de la computadora
• Memoria de acceso aleatorio
• Áreas de la informática
• Datos informáticos
• Almacenamiento de datos informáticos

Citation preview

CIRCUITOS DE MEMORIA 1. CONOCIMIENTO TEORICO REQUERIDO  

El estudiante deberá tener conocimientos de memorias UVPROM. Conocer software de grabación y edición de memorias.

2. COMPETENCIAS 

Al final de la práctica el estudiante: Empleara memorias EEPROM para usándolos en combinación con circuitos digitales MSI de uso específico para generar aplicaciones combinadas.

3. MATERIALES, REACTIVOS Y EQUIPOS       

1 Multímetro 1 Breadboard 1 Generador de señal 1 Fuente de alimentación 1 Circuito integrado 2816 EEPROM Resistencias de diseño Display BCD 7 Segmentos de diseño

4. TECNICA O PROCEDIMIENTO Extraer de una memoria EEPROM 2816 una secuencia numérica del 0 al 99 binario, la cual debe ser desplegada en dos display BCD 7 SEGMENTOS, directamente desde la memoria EEPROM. Un circuito contador binario de bucle cerrado proporcionará las direcciones a la memoria y los datos extraídos serán desplegados en los display, diseñar la lógica adicional para que este circuito funcione.

5. RESULTADOS Parte 5.1 Se verifico el comportamiento del circuito, introduciendo la posición de memoria en la que se encuentra el dato resguardado por el 2816 expresados en displays.

0 0 0 0

U1 8 7 6 5 4 3 2 1 23 22 19 21 18 20

A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 CE OE/VPP 2732

U2 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7

9 10 11 13 14 15 16 17

7 1 2 6 4 5 3

A B C D BI/RBO RBI LT

0 DISPLAY

13 12 11 10 9 15 14

7448

U3 7 1 2 6 4 5 3

A B C D BI/RBO RBI LT 7448

2816 EEPROM

QA QB QC QD QE QF QG

QA QB QC QD QE QF QG

13 12 11 10 9 15 14

6 CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES En la práctica realizada se logro exitosamente el diseño e implementación de los circuitos lógicos, con el diseño de la memoria 2816, permitiéndonos acceder y comprender las características que resguarda este CI, además de sabe manipular la información almacenada. 7. CUESTIONARIO

1. Explique el funcionamiento de los integrados usados y sus funciones. 

El CI 2816, es un dispositivo de memoria EEPROM con una capacidad de 16 Kbits igual a 16 384 bits, tamaño de palabra de 8 bits y 11 líneas de direccionamiento. En dicho CI posee almacenado los datos del 0 al 99, en sus respectivas posiciones, al momento de seleccionar la posición, nos muestra el dato almacenado en los displays.

2. Mencione aplicaciones reales de las experiencias realizadas. Los dispositivos de memoria, lograron facilitar y poder avanzar en el desarrollo de nuevas tecnologías, se los puede utilizar para almacenar cualquier tipo de dato en forma binaria, de la cual podemos extraer en la posición requerida. Por ejemplo como circuito de aplicación se puede utilizar para poder mostrar valores con un tamaño de palabra de ocho bits, utilizado en la aplicación de un termómetro digital y la aplicación de un ADC0808 que nos permita interpretar esta señal analógica y pueda ser traducida de forma eficiente por la memoria. 8. TRABAJO DE INVESTIGACION: CIRCUITOS DE MEMORIA Las características más importantes de las memorias son: Tiempo de escritura: Es el tiempo que transcurre entre el momento en que se presenta la información a almacenar en la memoria y el momento en que la información queda realmente registrada. Tiempo de lectura: Es el que transcurre entre la aplicación de la orden de lectura, y el momento en que la información está disponible en la salida.

Tiempo de acceso Es a menudo, la media de los dos tiempos de lectura y escritura definidos anteriormente. Es la medida del tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la unidad de memoria hasta que esta lo entrega. Tiempo de ciclo Después de una operación de lectura o escritura, es posible que la memoria necesite un tiempo de reinscripción (memorias de núcleos de ferrita, por ejemplo), o de recuperación. El tiempo de ciclo es entonces la suma de este tiempo y del tiempo de acceso. También denominado ciclo de memoria, es el tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la memoria hasta que ésta se halla en disposición de efectuar una nueva operación de lectura o escritura. Acceso aleatorio Una memoria es de acceso aleatorio cuando el tiempo de acceso a cualquier posición de memoria es siempre el mismo. Cadencia de transferencia Es la velocidad a la cual la memoria acepta informaciones de lectura o escritura (Bits por segundo) Capacidad Es el número de palabras o de bits que la memoria puede almacenar. Se denomina también volumen. Densidad de información Es el número de informaciones por unidad de volumen físico. Volatilidad Es el defecto de una memoria que pierde la información almacenada, si se produce un corte de alimentación MEMORIAS. CLASIFICACION GENERAL Las memorias pueden clasificarse atendiendo a diversos parámetros:  Por el modo de acceso: Acceso Aleatorio (RAM) Acceso Secuencial Asociativas  Por el modo de almacenamiento: Volátiles No volátiles Por el tipo de soporte Semiconductoras Magnéticas De papel  Por su función o jerarquía Tampón o borrador: (LIFO,FIFO) Central o Principal De masas POR LA FORMA DE ACCESO Memorias de Acceso Aleatorio. Denominadas usualmente RAM (Ramdon Access Memory), son memorias en las que cualquier información puede leerse o escribirse con el mismo tiempo de acceso, cualquiera que sea la célula de memoria elegida. Memoria de acceso secuencial o serie.- Para la lectura o escritura de una determinada célula, espreciso leer todas las células que le preceden físicamente Memoria asociativa.- Es una memoria direccionable por su contenido, no por una dirección. POR EL MODO DE ALMACEAMIENTO Memoria volátil.- Es aquel tipo de memoria que pierde la información en ella almacenada, al cortar la alimentación. Memoria no volátil.- Retienen la información en modo permanente aún después de eliminar o cortar la alimentación

POR EL TIPO DE SOPORTE Memorias semiconductoras.- Son aquellas que utilizan dispositivos semiconductores para registrar la información Memorias magnéticas.- El registro de la información se realiza por magnetización de un soporte de este tipo. Memorias de papel.- No son propiamente memorias. Sin embargo, el papel (cinta perforada o tarjeta) permite almacenar una información en forma de marca o perforaciones.

POR SU FUNCION O JERARQUIA Memorias tampón.- Son generalmente de tipo semiconductor y se caracterizan porque la información en ellas se almacena durante un corto periodo de tiempo. Puede decirse que son memorias borrador, de paso o adaptadoras. Son memorias de baja capacidad y acceso rápido, puesto que normalmente se refieren a los registros generales incluidos dentro del propio sistema microcomputador. Su función será, pues, actuar como memorias de trabajo auxiliares en las transferencias de información entre el sistema y las unidades exteriores. Las memorias LIFO y FIFO son memorias especiales del tipo tampón cuyo nombre proviene de la forma de almacenar y extraer la información de su interior. FIFO (First in-firts out), primero en entrar - primero en salir, es decir, es lo que se llama una fila de espera LIFO (Last in-first out), la última información introducida en la memoria es la primera en extraerse, es lo que se llama una pila o apilamiento. Memoria Central.- Es la que está incorporada en la Unidad Central de Proceso de un ordenador. Su misión consiste en almacenar los programas y los datos implicados en la ejecución de las sucesivas instrucciones. Hasta hace algunos años, las memorias centrales estaban formadas a partir de núcleos de ferrita o por hilos plateados. Actualmente, este tipo de memorias ha sido desplazado definitivamente por las memorias integradas a semiconductores. Y la memoria central del sistema está formada por la asociación de un número de chips de memoria RAM y ROM a semiconductores, mayor o menor, según la capacidad de almacenamiento requerida por el sistema. MEMORIAS SEMICONDUCTORAS DE ACCESO ALEATORIO (RAM) Usualmente se reserva el término RAM para aquellas memorias que permiten leer y escribir en ellas. Para aquellas que siendo del siendo del tipo RAM (Acceso aleatorio), solo permiten la lectura se reserva el término ROM o RPROM étc. En consecuencia, una "memoria RAM semiconductora", es una memoria de acceso aleatorio y que permite leer o escribir indistintamente, una información sobre ella.

32-Word x 8-Bit Static RAM ESQUEMA DE UNA MEMORIA RAM Las entradas de control C y R/W permiten inhibir la memoria y leer o escribir (Read-Write) respectivamente.

Fig. 1 

Situar en los terminales de DIRECCION la combinación adecuada a la célula de memoria a operar.



En el caso de lectura, poner el terminal R/W a "0", y por último permitir el funcionamiento de la memoria, es decir, validar el proceso con C="1". En la salida de datos obtendremos la información almacenada en la dirección de memoria correspondiente.



En el caso de escritura, además de la dirección adecuada es preciso situar en los terminales de "entrada de datos", el dato a almacenar o escribir. Ahora el terminal R/W deberá ponerse a "1". Por último, validar la operación con C="1", la información a la entrada de datos quedará registrada en la dirección de memoria indicada.

Diagrama de los tiempos de señales que intervienen en la operación.

Ciclo de lectura

Ciclo de escritura

9.BIBLIOGRAFIA



https://prezi.com/btsklcazpzgg/complejidad-de-los-circuitos-integrados



http://www.ecured.cu/index.php/Circuito_integrado



http://antares.itmorelia.edu.mx/~adrianat/index_archivos/EDI/Escint.pdf

   http://www.ecured.cu/index.php/electronica_memorias