Universidad Nacional Mayor De San Marcos: Eap: Ingenieria Electrica

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS Universidad del Perú, DECANA DE AMÉRICA FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA EA

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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS Universidad del Perú, DECANA DE AMÉRICA

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA

EAP: INGENIERIA ELECTRICA PROFESOR: MEDINA CALDERON ALFREDO TIPO DE INFORME: FINAL DEL INFORME 6 CURSO: LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS 1 HORARIO: VIERNES 8:00pm – 10:00pm

I.MARCO TEORICO

Constructivamente, el JFET, sólo tiene una unión P-N en vez de dos, como ocurre con el BJT. Al comparar al JFET con el BJT se aprecia que el drenador o drenaje (D) es análogo al colector, en tanto que la fuente o surtidor (S) es análoga al emisor, por último la puerta o compuerta (G), es análoga a la base.

La fuente y el drenaje de un JFET se pueden intercambiar sin afectar el funcionamiento del mismo. La diferencia fundamental que existe entre el transistor bipolar y el JFET en cuanto al control, radica en que en el primero, el control de la corriente entre colector y emisor se hace por medio de la base, es decir se trata de un control por corriente, mientras que en el JFET el pasaje de la corriente del drenador al surtidor es controlado por el gate y es un control por tensión. Otra diferencia notable entre ambos está dada en las impedancias de entrada, siendo mucho mayor la del JFET (Zi = 108 a 1012) comparada con la de un transistor bipolar (Zi = 102 a 106). La elevada impedancia de entrada del JFET constituye su principal ventaja, y se debe a que la unión P-N se encuentra polarizada en forma inversa. La corriente (IG) que circula por la compuerta equivale a una corriente de fuga, siendo su magnitud del orden de los nano amperes.

Su principio de funcionamiento se basa fundamentalmente en los efectos producidos por la región agotada que se crea en las proximidades de toda unión P-N cuando esta se polariza inversamente. Supongamos en primera instancia que aplicamos una diferencia de potencial VGS entre G y S, haciendo VDS = 0. La unión P-N queda polarizada en forma inversa, originándose una circulación de una corriente de fuga (IG) despreciable. Mientras la diferencia de potencial aplicada VGS sea pequeña, las regiones agotadas serán de pequeño espesor, luego y a medida que esta tensión aumenta, también aumenta el espesor de dichas regiones. Esto ocurre para un valor de VGS determinado que se denomina “tensión de estrangulamiento”, en inglés tensión “pinch off”, y que la simbolizaremos V (P) GS. A continuación, hacemos VGS = 0 y aplicamos una VDS entre D y S. Se produce entonces la circulación de una corriente ID a través del canal, que depende de la VDS aplicada, de la resistencia intrínseca del canal y de su geometría. La unión P-N también se polariza en forma inversa, pero ahora las regiones agotadas presentan la forma de cuña debido a que en su parte superior la unión está más inversamente polarizada que en la parte inferior, debido a que allí el gradiente del potencial es mayor, es decir la tensión va cayendo a lo largo del canal en forma progresiva (debido a la resistencia propia del canal). A medida que VDS aumenta, las regiones agotadas se hacen cada vez más grandes, haciendo que las junturas tiendan a tocarse cerca del D. Esto hace que el canal se vaya estrechando, restringiendo así el paso de portadores (en este caso electrones pues se trata de un JFET de canal N). Cuando VDS alcanza un determinado valor, se produce el estrangulamiento del canal, cerrándolo casi por completo y provocando la disminución de la corriente.

OBJETIVO

En el amplificador en el cual utilizamos el transistor JFET hallar el voltaje (Vgs) y la corriente (Id) variando o la resistencia Rs el Vg.

MATERIALES

 Protoboard  Resistencias (1M, 1K)  Diodo zenner (12v, 1w)  Transistor JFET K 30A  Cables conectores  Jumper  Multímetro  Amperímetro  Fuente DC

CIRCUITO DEL CON JFET

CIRCUITO EN EL PROTOBOARD

CONCLUSIONES Después de hacer las mediciones con el Vi constante y el RL constante nos podemos dar cuenta que se cumplen con todas las condiciones de los voltaje y corrientes del transistor BJT, y cuando variamos el Vi los voltajes y las corrientes cambian pero aun asi se siguen cumpliendo las condiciones del BJT también nos podemos percatar que a pesar de variar el Vi el voltaje del zenner se va a mantener constante por la tanto el voltaje que aumenta o disminuya será el Vri. Al retirar la resistencia de 330Ω y trabajar solo con la resistencia de 470Ω sigue funcionando, sin embargo al hacer que la corriente IL sea ceo deja de cumplir las condiciones de los voltajes en el transistor.

BIBLIOGRAFIA:

https://www.fceia.unr.edu.ar/eca1/files/clases/Clase%204%20%20FET.pdf http://orga.blog.unq.edu.ar/wpcontent/uploads/sites/71/2015/06/DEAJFET-2012.pdf http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema7.pdf