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• Miguel Guerrero

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UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO

FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES CUAUTITLÁN

INGENIERIA MECÁNICA ELÉCTRICA

LABORATORIO DE ELECTRONICA BASICA

PROFESOR: PETRA MEDEL ORTEGA

ALUMNO: CRUZ GUERRERO MIGUEL ANGEL

ACTIVIDAD PREVIA 6

GRUPO: 2551-C

SEMESTRE: 2020-II

Fecha de elaboración

Fecha de envió

26 de Marzo del 2020

2 de Abril del 2020

ACTIVIDADES PREVIAS A LA PRÁCTICA 1. El alumno deberá leer la práctica de laboratorio. 2. Encuentre los puntos de operación del circuito de la figura 6.3 para RP = 0kΩ, 2.5kΩ y 5kΩ, (para el valor de 𝜷 = hFE refiérase al apéndice B).

El transistor bipolar que opera en la región lineal tiene unas características eléctricas lineales que son utilizadas para amplificación. En estos circuitos, las señales de entrada son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un aporte de energía realizado a través de fuentes de tensión externas denominadas fuentes de alimentación o fuentes de polarización. Las fuentes de alimentación cubren dos objetivos: proporcionar las corrientes y tensiones en continua necesarias para que el transistor opere en la región lineal y suministrar energía al transistor de la que parte de ella va a ser convertida en potencia (amplificación). Los valores de corrientes y tensiones en continua en los terminales de un transistor se denomina punto de trabajo y se suele expresar por la letra Q (Quiescent operating point). En transistor del circuito está polarizado con dos resistencias y una fuente de tensión en continua VCC. En este circuito se verifica que:

Si suponemos que el transistor se encuentra en la región directa lineal, entonces se puede relacionar las intensidades de base y colector a través de la hFE y asignar una tensión base-emisor típica de 0.7 V. El cálculo de las tensiones e intensidades del transistor proporciona su punto de trabajo Q. Para este circuito, Q viene definido por las siguientes ecuaciones:

Obtención de valores de operación con software PROTEUS RP = 0kΩ,   

0 mA 9.98 V 0 mV

RP= 2.5kΩ   

7.638 mA 4.013 V 0.546 mV

RP= 5kΩ   

12.41 mA 0.106 V 0.675 mV

3. Realizar la simulación de todos los circuitos de la práctica.

Figura 6.1a

Figura 6.1b

Figura 6.2

Figura 6.3

BIBLIOGRAFIA DE CONSULTA   

https://unicrom.com/punto-trabajo-q-recta-carga-estatica-transistor/ https://www.electronicafacil.net/tutoriales/PUNTO-DE-TRABAJO-Q.html http://mrelbernitutoriales.com/polarizacion-del-bjt/