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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y ELECTRICA LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS II

RESPUESTA DE ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE UNA SOLA ETAPA INFORME PREVIO 1.-Definir rbb’, rb’e, rb’c, rce, Cb’e, Cb’c, gm, fB,fT.

rbb’=La resistencia distribuida de la base, se relaciona con el parámetro h, hie, que es la resistencia con la salida en corto. En el modelo hibrido π, esta se denomina a menudo como rπ si se aplica un corto circuito entre el emisor y colector,se obtiene:

hie =rπ= rbb’+( rb’e // rb’c) rb’e=La resistencia de entrada (rπ en el modelo hibrido) se aproxima por medio de la razón: rπ=

rb’c=Resistencia de retroalimentación. rce=Resistencia de salida del transistor. Cb’e y Cb’c= Son las capacitancias parásitas del transistor. Cb’c es la capacitancia de la unión colector-base a pesar de que es una capacitancia variable, suele considerarse constante en una región de operación particular del transistor. La capacitancia Cb’e, la cuales capacitor base- emisor. El valor de este capacitor aparece en las hojas de datos como Cib´. Esta capacitancia es la suma de la capacitancia de difusión del emisor y la capacitancia de la unión del emisor. Debido a que el primer capacitor es el más grande de los dos, Cb’e es aproximadamente iguala la capacitancia de difusión (conocida también como capacitancia de carga de la base).

gm= Es la relación de la corriente del colector y el voltaje térmico su unidad es Siemens ó 1/π

fB y fT= son frecuencias características, fB es la frecuencia para cuando el factor de ganancia del transistor empieza a variar. fT es la frecuencia máxima de operación del transistor se da cuando la ganancia es igual a cero.

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2. En el circuito del experimento, de acuerdo al modelo π del transistor en altas frecuencias, encontrar una expresión para fB y fT.

1.5 k

56 k

22 μ F 1k

22 μ F 2N2222

12 V

Vi 12 k

680

100 μ F

10 k

Del circuito mostrado: Ai =

=

Ai(jw) = Frecuencia de corte: WB =

Ai(jw) = √

(

)

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Despejando WT: √

WT =



 fT = Por lo tanto:

fT =

fB

3.-Considerando que Cb´c , Cb´e, rb´e=(VT*hfe)/IEQ , encontrar el punto de corte superior aproximado en nuestro circuito. Consideremos un β=100,RB=56k//12k,Ri=1k Ω,RL=10K Ω.La corriente de polarización el transistor IQ =1.99m A. rb’e=1.31 kΩ RTH= Rin//ri = 0.536 k Ω AV =80 Cb’c=10pF Cb’e=100pF

fT =  fT=0.326 M Hz. 4.-En altas frecuencias ¿Cuál de los modelos de transistor será más conveniente? ¿Por qué? La Configuración de emisor común porque es la única que presenta capacidad Miller, y debido a esta capacidad nosotros podemos hallar la frecuencia más cercana que está en el codo derecho del ancho de banda, ya que esta es mayor a las demás capacidades (parásitas). El modelo hibrido , es la más conveniente para altas frecuencias ya que cuenta con los parámetros que salen a relucir para altas frecuencias como las capacitancias parasitas. INFORME PREVIO: RESPUESTA DE ALTA FRECUENCIA DE UNA ETAPA

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