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• Miguel Angel Lara Nisttahuz

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UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRÉS FACULTAD DE INGENIERÍA INGENIERÍA ELECTRÓNICA – GESTIÓN II / 2017

ETN - 503 (LABORATORIO Nº 1) TIEMPO DE DESARROLLO DEL EXAMEN: 90MINUTOS

Nombre: ............................................................................ Nota: ......................... 1.- a) Determine Vo y ID del siguiente circuito:

Considere D1 y D2 diodos de Si b) Dibuje el diagrama de bandas y sus concentraciones de portadores de una juntura PN polarizada directamente y determine el sentido de las corrientes, explicando detalladamente cada caso c) En un rectificador de tensión, determinar el voltaje de rizado, corrientes máximas en los diodos, Potencia de disipación en la carga, Potencia entregada al circuito, Rendimiento y PIV. 2.- a) Dibuje un circuito fijador de tensión que proporcione para la entrada indicada la salida Vo

D1

110 C

Vrms 50 Hz

t

D2

t

b) Dibuje el diagrama de bandas y sus concentraciones de portadores de una juntura PN polarizada directamente y determine el sentido de las corrientes, explicando detalladamente cada caso c) En el diodo que corrientes se establecen y a que efectos se deben y en qué zonas se desarrollan, detalle las ecuaciones y sus zonas, dibuje el diagrama correspondiente 3.- a) Determine el margen de Vi que mantendrá VL=8V y que no exceda la potencia nominal del diodo zener, suponga rZ=0 RS

+ Vi -

DZ

+ Vo -

RL

Considere: Rs=91Ω, RL=220 Ω, Vz=8V y Pz max = 400 mW b) Como se define la electrónica para los solidos. Los semiconductores Tipo P y Tipo N tienen los niveles de Fermi en diferente valor energético antes de realizar la unión, para obtener un diodo, en que se transforma la diferencia de los niveles de Fermi en el diodo dibuje la estructura antes de la unión y después de la unión y explique razonadamente la transformación. c) Indique las diferencias entre diodos Rectificadores - Zener - Diodos Emisores de Luz y Schottky, especifique las mismas en función de sus características, materiales, etc.

RL