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• KevinNuñez

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Laboratorio JFET OBJETIVOS:  Analizar el comportamiento del transistor FET en circuitos de polarización.  A partir de las mediciones obtenidas, comparar los resultados teóricos con los resultados prácticos.  Utilizar herramientas de simulación para analizar el comportamiento de los circuitos implementados.

Marco Teórico El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que puede ser usado como interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia controlada por voltaje. Posee tres terminales, comúnmente llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G) y fuente (S). A diferencia del transistor de unión bipolar el JFET, al ser un dispositivo controlado por un voltaje de entrada, no necesita de corriente de polarización. La carga eléctrica fluye a través de un canal semiconductor (de tipo N o P) que se halla entre el drenaje y la fuente. Aplicando una tensión eléctrica inversa al terminal de puerta, el canal se "estrecha" de modo que ofrece resistencia al paso de la corriente eléctrica. Un JFET conduce entre los terminales D y S cuando la tensión entre los terminales G y S (V GS) es igual a cero (región de saturación), pero cuando esta tensión aumenta en módulo y con la polaridad adecuada, la resistencia entre los terminales D y S crece, entrando así en la región óhmica, hasta determinado límite cuando deja de conducir y entra en corte. La gráfica de la tensión entre los terminales D y S (V DS) en el eje horizontal contra la corriente del terminal D (I D o corriente de drenaje) es una curva característica y propia de cada JFET. Un JFET tiene una gran impedancia de entrada (que se halla frecuentemente en el orden de1010 ohmios), lo cual significa que tiene un efecto despreciable respecto a los componentes o circuitos externos conectados a su terminal de puerta.

Amplificadores de fuente común

El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. Está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidad entre sí. Los terminales de este tipo de transistor se llaman: Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La región que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado delos electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) Fuente(S). Ver el gráfico. La curva característica del FET

Este gráfico muestra que al aumentar el voltaje Vds (voltaje drenador -fuente), para un Vgs (voltaje de compuerta) fijo, la corriente aumentará pidamente (se comporta como una resistencia) hasta llegar a un punto A(voltaje de estricción), desde donde la corriente se mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra en la región de disrupción o ruptura), desde donde la corriente aumenta rápidamente hasta que el transistor se destruye.

Simulación proteus

Preguntas Que es un transistor fet? Durante su funcionamiento la señal de entrada crea un campo eléctrico que controla el flujo de corriente a través del dispositivo. Cuál es el funcionamiento principal de un JFET? Ensanchamiento y estrechamiento de un canal semiconductor a partir del aumento o disminución del ancho de la región de carga espacial de la juntura generada a ambos lados del canal. A que se debe que el circuito equivalente del JFET, el circuito de entrada(terminal de puerta), se deja abierto?

La resistencia de entrada es muy elevada Es preferible usar un canal de tipo n o tipo p? Por qué? Tipo n, porque para una tensión determinada el flujo de electrones es más rápido que el de huecos. Por qué es mayor el estrechamiento del canal cerca del drenador? Al encontrarse a un potencial mayor, en valor absoluto, que la fuente.

Bibliografía https://es.scribd.com/doc/97985212/Amplificador-Fuente-Comun https://es.wikipedia.org/wiki/JFET https://unicrom.com/fet-de-juntura-o-jfet-transistor-efecto-de-campo/ http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/JFET.html http://ingeniatic.euitt.upm.es/index.php/tecnologias/item/636-transistor-jfet