Laboratorio N˚ 1 Características y Circuitos con Diodos CARACTERÍSTICAS Y CIRCUITOS CON DIODOS 1. Prueba de diodos co
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Laboratorio N˚ 1
Características y Circuitos con Diodos
CARACTERÍSTICAS Y CIRCUITOS CON DIODOS 1.
Prueba de diodos con multímetro.La prueba de diodos requiere de 2 operaciones: medir en un sentido y en sentido opuesto, los diodos en buen estado solo deben medir en un solo sentido (conducción en sentido de polarización directa) y deben tener una resistencia infinita (medir infinito=no medir) en el sentido opuesto (sentido de polarización inversa).
Cuando el diodo está dañado puede medir en ambos sentidos o medir “cero” como si fuese un cable.
Electrónica I (ETN – 503)
Laboratorio N˚ 1
Características y Circuitos con Diodos
Los datos obtenidos de los Diodos utilizados en el laboratorio son los siguientes:
DIODO
Resistencia en Polarización directa
Resistencia en Polarización inversa
1N34
941 [Ω]
39 K[Ω]
1N4007
704 k[Ω]
∞
1N751
11.35 M[Ω]
∞
Tabla 1
Conclusiones.- De los datos obtenidos en el laboratorio verificamos que al polarizar un diodo rectificador directamente su resistencia interna es mínima tal como se muestra en la tabla y permite que circule corriente, mientras que sí polarizamos inversamente, su resistencia interna es demasiado grande por tanto no circular corriente por el circuito.
2.
Características de Polarización Directa.- DIODO 1N4007 El procedimiento que se uso para este punto fue armar el circuito de la figura 2 con el diodo rectificador polarizado directamente y se sacaron los datos de la tabla 2. Diodo 1N4007 (diodo rectificador) n
P
Rb
Id (mA)
Vd (v)
1
10%
100 Ω
12,21
0,19
2
20%
200 Ω
10,18
0,19
3
30%
300 Ω
8,52
0,18
4
40%
400 Ω
7,11
0,18
5 6
50% 60%
500 Ω 600 Ω
5,36 4,71
0,17 0,16
7
70%
700 Ω
3,59
0,16
8
80%
800 Ω
2,46
0,14
9
90%
900 Ω
1,26
0,13
10
100%
1000 Ω
0,04
0,01
Tabla 2
Electrónica I (ETN – 503)
Laboratorio N˚ 1
Características y Circuitos con Diodos
14
Corriente Diodo (mA)
12 10 8 6 4 2 0 0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
Voltaje Diodo (v) Figura1
El circuito utilizado fue:
D1 1N4007
DC A 68.95nA
R2 1k 99% + V1 15V
DC V 149.9mV
R1 1k
Figura 2
- DIODO 1N751 El procedimiento que se uso para este punto fue armar el circuito de la figura 4 con el diodo Zener polarizado directamente y se sacaron los datos de la tabla 3. Diodo 1N751(diodo zener)
Electrónica I (ETN – 503)
n
P
1
10%
2
20%
3
30%
4
40%
Rb 100 Ω 200 Ω 300 Ω 400 Ω
Id (mA)
Vd (v)
11,28
0,836
8,88
0,827
6,54
0,813
5,14
0,807
Laboratorio N˚ 1
Características y Circuitos con Diodos
5
50%
6
60%
7
70%
8
80%
9
90%
500 Ω 600 Ω 700 Ω 800 Ω 900 Ω
4,48
0,804
3,12
0,792
1,74
0,776
0,33
0,726
0
0,0048
Tabla 3
12
Corriente Diodo (mA)
10 8 6 4 2 0 0
0.2
0.4
0.6
0.8
Voltaje Diodo (v)
Figura 3
El circuito utilizado fue:
D1 1N751
DC A 14.05mA
R2 1k 0.5% + V1 15V
Figura 4
Electrónica I (ETN – 503)
A
DC V 800.2mV
R1 1k
1
Laboratorio N˚ 1
Características y Circuitos con Diodos
Conclusiones.- De acuerdo los datos obtenidos en el laboratorio podemos confirmar que las graficas resultantes son las esperadas ya que son similar a las graficas teoricas que aparecen en los datos del fabricante, tanto para el diodo rectificador como para el diodo zener polarizados directamente.
3.
Características de Polarización Inversa.El procedimiento que se uso para este punto fue armar los circuitos propuestos en el pre informe con el diodo rectificador polarizado inversamente y con el diodo zener polarizado inversamente posteriormente se obtuvieron los datos de laboratorio para cada diodo utilizado. -
DIODO 1N4007
Diodo 1N4007 (diodo rectificador) n
P
Rb
Id (nA)
Vd (v)
1
10%
100 Ω
-3,57
14,97
2
20%
200 Ω
-9,99
13,49
3
30%
300 Ω
-9,99
11,99
4
40%
400 Ω
-10
10,49
5
50%
500 Ω
-10
8,99
6
60%
600 Ω
-10
7,49
7
70%
700 Ω
-10
5,99
8
80%
800 Ω
-10
4,49
9
90%
900 Ω 1000 100% Ω
-10
2,69
-10 Tabla 4
1,49
10
0 0
5
10
Corriente Diodo (nA)
-2 -4 -6 -8 -10 -12
Voltaje Diodo (v)
FIGURA 5
Electrónica I (ETN – 503)
15
20
Laboratorio N˚ 1
Características y Circuitos con Diodos
EL CIRCUITO UTILIZADO: R1 1k
D1 DIODE
DC A 149.3nA
R2 1k 0.5% + V1 15V
DC V 14.92 V
A
FIGURA 6
-
DIODO 1N751
Diodo 1N751(diodo zener)
n 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
P 10% 20% 30% 40% 50% 60% 70% 80% 90% 100%
Rb 100 Ω 200 Ω 300 Ω 400 Ω 500 Ω 600 Ω 700 Ω 800 Ω 900 Ω 1000 Ω Tabla 5
Grafica:
Electrónica I (ETN – 503)
Id (mA)
Vd (v)
6,12 4,06 2,1 0,043 0 0 0 0 0 0
8,88 8,81 8,74 8,69 7,07 6,26 4,52 2,76 1,09 0,0048
Laboratorio N˚ 1
Características y Circuitos con Diodos
180
Corriente Diodo (mA)
160 140 120 100 80 60 40 20 0 0
0.2
0.4
0.6
0.8
Voltaje Diodo (v)
Figura 7
El circuito armado:
A D1 1N751
DC A 9.712mA
R2 1k 0.5% + V1 15V
DC V 5.165 V
R1 1k
Figura 8
Conclusiones.- Con los datos obtenidos y las graficas se puede afirmar que son lois resultados esperados por que se asemejan a los resultados teoricos.
4.
EFECTOS DE LA TEMPERATURA EN UN SEMICONDUCTOR.Polarización directa diodo rectificador 1N4007 CON EL CIRCUITO PROPUESTO POR EL PRE INFORME :
Electrónica I (ETN – 503)
Laboratorio N˚ 1
Características y Circuitos con Diodos
R1 1k
DC V 0.000 V
+ V1 15V
DC A 14.28mA
D1 DIODE
Fihura 9
Se obtuvo la siguiente tabla:
n 1 2 3 4 5 6 7 8 9
P 10% 20% 30% 40% 50% 60% 70% 80% 90%
Rb 100 Ω 200 Ω 300 Ω 400 Ω 500 Ω 600 Ω 700 Ω 800 Ω 900 Ω
Id (mA)
Vd (v)
22 27 30 33 36 80 82 87 157
0,69 0,66 0,64 0,63 0,61 0,56 0,52 0,52 0,4
10
100%
1000 Ω
159
0,36
Tabla 10
La grafica:
Electrónica I (ETN – 503)
Laboratorio N˚ 1
Características y Circuitos con Diodos
180
Corriente Diodo (mA)
160 140 120 100 80 60 40 20 0 0
0.2
0.4
0.6
0.8
Voltaje Diodo (v)
5.
RECORTADOR DE ONDA.-
V1 -10/10V A
R1 1k
D1 DIODE
D2 DIODE
D5 DIODE
D4 ZENER B
7us D3 ZENER
R2 1k
R3 1k
Grafica obtenida: A: v1_1 B: d2_k
10.00 V
5.000 V
0.000 V
-5.000 V
-10.00 V 0.000us
Electrónica I (ETN – 503)
1.000us
2.000us
3.000us
4.000us
5.000us
6.000us
7.000us
Laboratorio N˚ 1
6.
Características y Circuitos con Diodos
DIODO RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA.EL SIGUIENTE CIRCUITO FUE PROPUESTO Y SE OBTUVIERON LOS SIGUIENTES RESULTADOS.
+6 Volt Power Supply
C A
B
R1 680
B
C
A
10TO1
+
V1 -170/170V
D1 18DB10
C2 100uF
60 Hz
R2 5k
Su grafica correspondiente es:
A: v1_1
0.000 s
0.100 s
0.200 s
0.300 s
0.400 s
0.500 s
0.600 s
0.700 s
0.800 s
0.900 s
1.000 s 200.0 V
B: d1_3
-200.0 V 17.50 V
C: c2_1
-2.500 V 12.50 V
d1_3-c2_1
-2.500 V 17.50 -2.500
Measurement Cursors 1 v1_1 X: 4.1425m Y: 169.82
7.
MULTIPLICADOR DE TENSION.EL SIGUIENTE CIRCUITO FUE PROPUESTO:
Electrónica I (ETN – 503)
Laboratorio N˚ 1
Su grafica correspondiente:
Electrónica I (ETN – 503)
Características y Circuitos con Diodos
Laboratorio N˚ 1
Electrónica I (ETN – 503)
Características y Circuitos con Diodos
Laboratorio N˚ 1
Características y Circuitos con Diodos
UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRES FACULTAD DE INGENIERIA INGENIERIA ELECTRONICA
ETN-503 LABORATORIO#1 Integrantes : Docente
: Ing. Molina
Grupo
: “ A“
Fecha
: La Paz - Bolivia
Electrónica I (ETN – 503)