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Encapsulados De Los Diodos Wainder Peinado Regalado, Ana María Osorio Velazco Pamplona Norte de Santander Universidad de Pamplona [email protected], [email protected] Resumen- Este documento presenta el encapsulado de los diodos, la curva característica de voltaje vs corriente de esté, tiempo de recuperación en inversa de esté, capacitancia de transición y difusión de esté, la idea es tener en cuenta todo lo referente a os diodos, como se forman y como es su corriente en directa como en inversa, ya que ellos se forman de una manera diferente en inversa que en directa,

Abstract- This document presents the encapsulation of the diode , the characteristic curve of voltage vs. current is , recovery time Reverse is , capacitance transition and diffusion of this , the idea is to consider everything about you diodes , as form and as its direct current and reverse , since they are formed in a different way than in direct inverse .

I.

INTRODUCCION

Es conocido generalmente en el campo de la electrónica, Como uno de los primeros componentes más importantes al momento de montar un circuito, y contiene ciertas características que se representaran en graficas e imágenes, este elemento tiene su característica al momento de diseñarse, como su polarización (inversa o directa), ya que para cada tipo de uso tiene un componente diferente, gracias a estos conceptos se implementara la aplicación de apartes teóricos vistos con anterioridad, la veracidad o verificación de los mismos mediante la práctica.

II.

MARCO TEORICO.

En dependencia de la tensión o voltaje que soportan, la intensidad de la corriente de trabajo, la función específica que tendrán asignada dentro de un circuito electrónico y la potencia que disipan en watt, los diodos se comercializan con diferentes tipos de encapsulados. Además, un diodo específico puede tener tamaño y características de trabajo diferentes, así como diferente forma de encapsulado.

Figura 1 En esta ilustración aparecen varios diodos de características y usos. Diferentes y con encapsulados también diferentes. El tipo de encapsulado de estos diodos se identifica con las. Siguientes. Siglas: 1.- DO35, 2.- DO-41, 3.- SOD-57, 4.- TO-3, 5.- TO-48, 6.- SOD-23, 7.- KBL, 8.- WOW. Además de estos ejemplos existen muchos. Tipos más de. Encapsulados. Muestra de dos diodos rectificadores de silicio de diferentes características y encapsulados también diferentes, ambos comparados con un céntimo de euro. El diodo de arriba, de menor tamaño, puede soportar una corriente de 1 ampere y trabajar con un voltaje de 1000 volt. A ese diodo le corresponde un encapsulado DO-41. El diodo de abajo, de mayor tamaño, puede soportar una corriente de 10 ampere y trabajar, igualmente, con un voltaje de 1000 volt, pero a diferencia del anterior a éste le corresponde un encapsulado R-6.

Figura 2

III. CURVA CARACTERÍSTICA. A. Polarización Directa.

Para el caso en que el diodo esta polarizado directamente, existirá una representación gráfica, esta representación está dada por una curva típica del diodo que relaciona valores representativos del mismo, estos comprenden como primera instancia la corriente en función de la tensión. Este suceso se puede evidenciar en la Fig. 4. En ella se observa como cuando el valor de tensión es 0,7 V aproximadamente (umbral), la intensidad de la corriente adopta un comportamiento de crecimiento progresivo, esto debido a que un aumento determinado de la tensión dará origen a un aumento en la corriente respectiva. Figura3,

polarización directa.

primera es la llamada Corriente de portadores minoritarios, la segunda Corriente superficial de fugas. La corriente de portadores minoritarios está dada debido a la energía térmica que crea pares de electrones libres y huecos, mientras que la corriente superficial de fugas se da debido a impurezas en la superficie e imperfecciones en la estructura interna del material.

IV. TIEMPO DE RECUPERACION EN INVERSA DEL DIODO.

El tiempo de recuperación en inversa de un Diodo es trr= 5µS y la velocidad de reducción de la corriente del Diodo es di/dt=80A/µs. trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb. trr= ta+ tb Por lo tanto, trr, representa el tiempo que durante el apagado del diodo, tarda la Intensidad en alcanzar su valor máximo (negativo) y retornar hasta un 25 % de dicho valor (Típicamente 10 μseg para los diodos normales y 1 μseg para los diodos de recuperación rápida), El tiempo de recuperación en sentido inverso se representa por trr. Cuando el diodo está polarizado directamente y el voltaje aplicado se invierte repentinamente, idealmente se debería observar que el diodo cambia en forma instantánea del estado de conducción al de no conducción. Sin embargo, debido a un número considerable de portadores minoritarios en cada material, el diodo se comportará como se muestra en la siguiente figura:

Figura 4. Curva característica directa e inversa del Diodo.

B. Polarización Inversa.

Cuando el diodo se encuentra polarizado en forma inversa, como primera medida se conoce que el voltaje de la fuente respectiva caerá directamente sobre el diodo en cuestión, por lo cual tendrá un comportamiento de circuito abierto, es decir, no se dará la circulación de corriente (cave aclarar que de forma práctica esta no es notoria, más sin embargo teóricamente existe una corriente ciertamente pequeña, que para el caso oportuno no se ha de considerar, esta corriente es denominada corriente inversa de fugas). Este suceso también se puede observar en la Fig. 4.

ts - Tiempo de almacenamiento. Tiempo requerido para que los portadores minoritarios regresen a su estado de portadores mayoritarios en el material opuesto. tt - Intervalo de Transición. Tiempo requerido para que la corriente inversa se reduzca al nivel asociado con el estado de no conducción.

C. Corrientes en el diodo polarizado inversamente.

Técnicamente el comportamiento del diodo polarizado de forma inversa ciertamente posee dos tipos de corrientes. La

V.

CAPACITANCIA DE TENSIÓN Y DIFUSIÓN.

Todo dispositivo electrónico o eléctrico es sensible a la frecuencia.

Es decir, las características terminales de cualquier dispositivo cambian con la frecuencia. Incluso la resistencia de un resistor básico, como el de cualquier construcción, es sensible a la frecuencia aplicada. A frecuencias de bajas a medias se puede considerar que la mayoría de los resistores tienen un valor fijo. No obstante, a medida que alcanzamos altas frecuencias, los efectos parásito capacitivos e inductivos empiezan a manifestarse y afectan el nivel de impedancia total del elemento. En el diodo los niveles de capacitancia parásita son los que tienen un mayor efecto. A bajas frecuencias y a niveles relativamente bajos de capacitancia, la reactancia de un capacitor, determinada por xc= 1/2pifC en general es tan alta que se le puede considerar de magnitud infinita, representada por un circuito abierto e ignorada. A altas frecuencias, sin embargo, el nivel de XC puede reducirse al punto de que creará una trayectoria de “puenteo” de baja reactancia. Si esta trayectoria de puenteo ocurre a través del diodo, en esencia puede evitar que éste afecte la respuesta de la red. En el diodo semiconductor p-n hay dos efectos capacitivos que tienen que ser considerados. Ambos tipos de capacitancia están presentes en las regiones de polarización en directa y en inversa, pero uno predomina sobre el otro en cada región por lo que consideramos los efectos de sólo uno en cada región. En la región de polarización en inversa tenemos la capacitancia de transición o de región de empobrecimiento (CT ) en tanto que en la región de polarización en directa tenemos la capacitancia de almacenamiento o difusión (CD ).

Por ejemplo los diodos de silicio marcaran una caída de voltaje de 0.7v y los de germanio de 0.6v; los diodos schottky tienen una caída de voltaje pequeña, de solo 0.3v. A continuación se describe la forma de probar los diodos comunes encontrados en los circuitos electrónicos,

1- Seleccione la escala Diodos en el multímetro. 2- Coloque la punta roja (positiva) en el ánodo del diodo y la punta negra (negativa) en el cátodo. 3- Observe la lectura en el display del multímetro, la prueba de diodos en general nos dará como resultado 400 a 700 v. 4- Ahora invierta el orden de las puntas de prueba, en esta prueba del diodo el multímetro no deberá registrar ningún valor. Conclusiones: Si al probar el diodo este no mide absolutamente nada, entonces el diodo se encuentra en circuito abierto, si el diodo nos registra un valor de 0 o cercano a él, entonces el diodo está en corto circuito. Si el diodo nos registra un valor en ambos sentidos, se debe a que el diodo tiene fugas y debe cambiarse. VII.

FORMAS DE PROBAR UN DIODO.

En este artículo se entendio el concepto de los diodos y sus direntntes tipos de encapsulados que existen, también se aprendio la manera de como probar un diodo si queda en corto o circuito abierto, y sus respectivas graficas, en inversa e directa y sus curvas de caracterista. VIII. BIBLIOGRAFIA

Capacitancias de transición y difusión contra polarización aplicada en un diodo de silicio.

Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. Décima edición Robert L. Boylestad Louis Nashelsky http://electronicacompleta.com/lecciones/el-diodo/attachment/diodo-12/ http://www.kitelectronica.com/2016/02/como-probar-un-diodo.html

Representación gráfica y analítica de la curva característica, del Diodo de germanio y silicio. Christofer J. Homen1 VI.

FORMAS DE PROBAR UN DIODO.

La prueba de diodos es muy simple; recuerde que un diodo conduce la corriente en un solo sentido. Además los diodos marcaran diferencias en los resultados de medidas dependiendo de su tipo y material de construcción.