Electronicos 1 Labo 5 Final

Procedimiento Sea el circuito: R2 1k BAT1 10V Q1 R1 2N2222 300k Calculo teórico: 𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝑐𝑅𝑐 + 𝑉𝑐𝑒 10=Ic+Vce… (1) V

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Procedimiento Sea el circuito: R2 1k

BAT1 10V

Q1

R1

2N2222 300k

Calculo teórico: 𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝑐𝑅𝑐 + 𝑉𝑐𝑒 10=Ic+Vce… (1)

Vcc= IbRb+Vbe pero: Vbe=0.7 10= 300Ib+0.7 9.3=300Ib  Ib=31uA Como Ic=BIb  Ic=3.1mA Retomando (1) 10= 3.1+Vce  Vce=6.9V

Ic=BIb

Valor teórico 6.9 V 3.1mA 31 uA 0.7 V

𝑽𝑪𝑬 𝑰𝑪𝑸 𝑰𝑩 𝑽𝑩𝑬

Valor simulado 3.9 V 6.10 mA 31uA 0.7V

Valor experimental 5.41 V 4.76 mA 31.9 uA 0.646 V

R2 1k

mA

+6.10

BAT1 10V

R1 300k

Q1 +31.0

2N2222

µA

+3.90 Volts

+0.70 Volts

Sea el circuito: R4 1k

BAT2 10V

Q2

R3

2N2222 300k

Calculo teorico 𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝑐𝑅𝑐 + 𝑉𝑐𝑒 10=Ic+Vce… (1)

Vcc= IcRc+IbRb+Vbe pero: Vbe=0.7

Ic=BIb

10=BIbRc+IbRb+0.7 9.3= 400Ib+0.7 9.3=400Ib  Ib=23.25uA Como Ic=BIb  Ic=2.325mA Retomando (1) 10= 2.325+Vce  Vce=7.675V

𝑽𝑪𝑬 𝑰𝑪𝑸 𝑰𝑩 𝑽𝑩𝑬

Valor teórico 7.675 V 2.325mA 23.25 uA 0.7 V

Valor simulado 6.18 V 3.8 mA 18.3uA 0.69V

Valor experimental 5.52 V 4.59 mA 34 uA 0.65 V

R2 1k

mA

+3.80

BAT1 10V

Q1

R1

+18.3

300k

2N2222

+6.18

µA

Volts

+0.69 Volts

Sea el circuito:

R4 1k

R3 100k

BAT2 10V

Q2 2N2222

R5 1k

R6 0.1k

Calculo teorico: 𝑅𝑇 =

1𝐾 𝑥 10𝐾 10 = 𝐾 = 909.09Ω 1𝐾 + 10𝐾 11

𝑉𝑇 =

1𝐾 𝑥 10 = 0.9 𝑉 11𝐾

0.9 = 909.09𝐼𝑏 + 0.7 + 0.1𝐼𝑒 0.2 = 909.09𝐼𝑏 + 100𝑥0.1𝐼𝑏 𝐼𝑏 = 19.07 𝑢𝐴 𝐼𝑐 = 𝛽𝐼𝑏 𝐼𝑐 = 100𝑥19.07𝑢𝐴 = 1.93𝑚𝐴 10 = 1𝐾 𝑥 𝐼𝑐 + 𝑉𝐶𝐸 + 0.1 𝑥 𝐼𝑒 10 = 1𝐾 𝑥 𝐼𝑐 + 𝑉𝐶𝐸 + 0.1 𝑥 𝐼𝑐 10 = 𝑉𝐶𝐸 + (110 𝑥 𝐼𝑐 ) 𝑉𝐶𝐸 = 7.877 𝑉

𝑽𝑪𝑬 𝑰𝑪𝑸 𝑰𝑩 𝑽𝑩𝑬

Valor teórico 7.877 V 2.325mA 19.07 uA 0.7 V

Valor experimental 6.05 V 3.7 mA 19.2 uA 0.635 V

CUESTIONARIO 1. Defina un transistor bipolar. Explique su funcionamiento y sus principales características.

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.

La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

funcionamiento En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión basecolector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.

Caracteristicas Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones: Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal.

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2. Dar conceptos y destaque la importancia de: punto de operación, β, Icq, Vceq etc. La polarización del bjt se realiza mediante tensión continua y consiste en preparar el transistor para que trabaje en la región activa dentro de un circuito en el cual se le quiere utilizar, se busca que a través del colector circule una cantidad de corriente IC, y a su vez se obtenga una tensión entre el colector y el emisor VCE para esa cantidad de corriente IC, a esto se le llama obtener el punto de operación o punto Q del transistor. La corriente IC va depender de la corriente en la base IB que exista en la malla de entrada, esto porque IC=β*IB, la VCE dependerá de la malla de salida del circuito, para ver esto será de utilidad uso de las curvas características y la ecuación de recta de carga. Para realizar los circuitos de polarización del bjt es importante tener en cuenta siempre las siguientes características vistas anteriormente que son IC=β*IB, IE=IC+IB pero para los cálculos se asume que IE≈IC esto porque IB es muy pequeña en comparación con IC, y ademas que la tensión base emisor VBE=0,7V.

3. Explique las tres formas de polarización: polarización fija,colector- base, autopolarizacion. circuito de polarización fija: este circuito es el mas sencillo de todos los circuitos de polarización. La resistencia Rc limita la corriente máxima que circula por el transistor cuando este se encuentra en saturación, mientras que la resistencia de base RB regula la cantidad de co - rriente que ingresa a la base del transistor (IB), la cual determina en que zona se polarizará el transistor (saturación, activa o corte).

Circuito de Polarización Colector - Base Al utilizar este circuito, se obtiene una mejora en la estabilidad del punto de polarización: De él se puede deducir que si IC tiende a aumentar por aumento de la temperatura o porque el transistor se ha sustituído por otro con un coeficiente mayor, VCE disminuye pues aumenta VRC, lo que hace disminuir IB y como consecuencia IC no aumenta tanto como cuando se utiliza el circuito de polarización fija.

Circuito BTJ autopolarizado La característica principal del circuito autopolarizado es que la corriente que circula por el emisor es fijada en función de la resistencia que se conecte a el.



Las dificultades obtenidas en esta experiencia se presentaron debido a la mala calidad de las puntas de prueba y por un descuido de parte de nosotros mismos al no percatarnos de ello.



Las diferencias de los valores teóricos- prácticos y simulados se deben principalmente al B con el cual se ha trabajado. En nuestro caso utilizamos un B= 100.