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1. Para la configuración de polarización fija de la figura 4.108, determine:

3. Dada la información que aparece en la figura 4.110, determine:

5. Dadas las características del transistor BJT de la figura 4.111: a. Trace una recta de carga en las características determinadas por E _ 21 V y RC = 3 kÆ para una configuración de polarización fija. b. Seleccione un punto de operación a la mitad entre el corte y la saturación. Determine el valor de RB para establecer el punto de operación resultante. c. ¿Cuáles son los valores resultantes de VCEQ y ICQ ? d. ¿Cuál es el valor de en el punto de operación? e. ¿Cuál es el valor de definido por el punto de operación? f. ¿Cuál es la corriente de saturación ICsat para el diseño? g. Trace la configuración de polarización fija resultante. h. ¿Cuál es la potencia de cd disipada por el dispositivo en el punto de operación? i. ¿Cuál es la potencia suministrada por VCC ? j. Determine la potencia disipada por los elementos resistivos tomando la diferencia entre los resultados de las partes (h) e (i).

7. Dada la información proporcionada en la figura 4.113, determine:

10. Utilizando las características de la figura 4.111, determine lo siguiente para una configuración de polarización de emisor si se define un punto Q en ICQ = = 4 mA y VCEQ = 10 V. a. RC si VCC = 24 V y RE = 1.2 kÆ. b. en el punto de operación. c. RB. d. Potencia disipada por el transistor. e. Potencia disipada por el resistor RC.

12. Para la configuración de polarización por medio del divisor de voltaje de la figura 4.115, determine:

16. Determine lo siguiente para la configuración del divisor de voltaje de la figura 4.118, utilizando el método aproximado si se satisface la condición establecida por la ecuación (4.33).

19. Utilizando las características de la figura 4.111, determine RC RE para una red de divisor de voltaje que tiene un punto Q de ICQ = 5 mA y VCEQ = 8 V. Use VCC = 24 V y RC = 3RE. b. Encuentre VE. c. Determine VB. d. Encuentre R2 si R1 = 24 kÆ suponiendo que bRE > 10R2 e. Calcule b en el punto Q. f. Pruebe la ecuación (4.33) y observe si la suposición de la parte (d) es correcta.

24. a. Determine los niveles de IC y VCE para la red de la figura 4.121. b. Cambie b a 135 (50% de incremento) y calcule los nuevos niveles de IC y VCE. c. Determine la magnitud del cambio en porcentaje de IC y VCE por medio de las siguientes ecuaciones:

d. Compare los resultados de la parte (c) con los del problema 11(c), 11(f) y 20(c). ¿Cómo se compara la red de realimentación de colector con las demás configuraciones en cuanto a sensibilidad a cambios de b?

27. Determine el nivel de VE e IE para la red de la figura 4.124.

30. Para la red de la figura 4.127, determine:

33. Diseñe una red estabilizada por emisor con ICQ. = ½ ICsat y VCEQ = = 4RE. Use valores estándar.

37. Calcule las corrientes del colector para Q1 y Q2 en la figura 4.130

1/2VCC.

Use VCC = 20 V, ICsat = 10 mA, b = 120, y RC

38. Calcule la corriente a través de la carga de 2.2-kÆ en el circuito de la figura 4.131.

40. Calcule la corriente I en el circuito de la figura 4.133.

45. Diseñe el inversor de transistor de la figura 4.138 para que opere con una corriente de saturación de 8 mA utilizando un transistor con una beta de 100. Use el nivel de IB igual al 120% de y valores de resistor estándar.

48. Las lecturas que aparecen en la figura 4.140 revelan que las redes no están funcionando correctamente. Sea específico al describir por qué los niveles obtenidos reflejan un problema con el comportamiento esperado de la red. En otros términos, los niveles obtenidos reflejan un problema muy específico en cada caso.

54. Para la red de la figura 4.115 determine: a. S(ICO). b. S(VBE). c. S(b), con T1 como la temperatura a la cual se especifican los valores de parámetro y b(T2) como 25% más que b(T1). d. Determine el cambio neto de si un cambio en las condiciones de operación hace que ICO se incremente de mA a 10 mA, que VBE se reduzca de 0.7 V a 0.5 V y que se incremente 25%.