Cuestionario Tema 1 Fisica de Semiconductores

INSTITUTO TECNOLOGICO DE MINATITLAN YAHIR BERNABE MEDINA ING. ELECTRONICA 3º SEMESTRE FISICA DE SEMICONDUCTORES CUE

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INSTITUTO TECNOLOGICO DE MINATITLAN

YAHIR BERNABE MEDINA

ING. ELECTRONICA

3º SEMESTRE

FISICA DE SEMICONDUCTORES

CUESTIONARIO

FISICA DE SEMICONDUCTORES

CICLO ESCOLAR 2021-2021

MINATITLÁN, VERACRUZ.

TEMA 1 NOMBRE: ___YAHIR BERNABE MEDINA_____________________________ FECHA: ___02/10/21___ Lee detalladamente y contesta correctamente las siguientes preguntas: 1. ¿Cuántos protones contiene el núcleo de un átomo de cobre? a. 1 b. 4 c. 18 d. 29 2. La carga neta de un átomo de cobre neutro es a. 0 b. +1 c. -1 d. -4 3. Suponiendo que se elimina el electrón de valencia de un átomo de cobre. La carga neta del átomo será a. 0 b. -1 c. -1 d. 4 4. ¿Qué tipo de atracción experimenta el electrón de valencia de un átomo de cobre hacia el núcleo? a. ninguna b. débil c. fuerte d. imposible saberlo 5. ¿Cuántos electrones de valencia tiene un átomo de silicio? a. 0 b. 1 c. 2 d. 4 6. ¿Cuál es el semiconductor cuyo uso está más extendido? a. Cobre b. Germanio c. Silicio d. Ninguno de los anteriores 7. ¿Cuántos protones contiene el núcleo de un átomo de silicio?

a. 4 b. 14 c. 29 d. 32 8. Los átomos de silicio se combinan formando un patrón ordenado denominado a. enlace covalente b. cristal c. semiconductor d. orbital de valencia 9. Un semiconductor intrínseco tiene algunos huecos a temperatura ambiente. ¿Qué causa estos huecos? a. dopaje b. electrones libres c. energía térmica d. electrones de valencia 10. Cuando un electrón se mueve a un orbital de nivel mayor, su nivel de energía con respecto al núcleo a. aumenta b. disminuye c. permanece igual d. depende del tipo de átomo 11. El tiempo transcurrido entre la creación de un hueco y su desaparición se denomina a. dopaje b. tiempo de vida c. recombinación d. valencia 12. A temperatura ambiente, un cristal de silicio intrínseco se comporta de manera similar a a. una batería b. un conductor c. un aislante d. un fragmento de cable de cobre 13. La unión de un electrón libre y de un hueco se denomina a. enlace covalente b. tiempo de vida c. recombinación d. energía térmica 14. El electrón de valencia de un conductor también se puede llamar

a. electrón de enlace b. electrón libre c. núcleo d. protón 15. Cuando se aplica una tensión a un semiconductor, los huecos fluyen a. alejándose del potencial negativo b. hacia el potencial positivo c. en el circuito externo d. Ninguna de las anteriores 16. En un semiconductor intrínseco, el número de huecos es a. igual al número de electrones libres b. mayor que el número de electrones libres c. menor que el número de electrones libres d. Ninguna de las anteriores 17. ¿Cuántos tipos de flujo tiene un conductor? a. 1 b. 2 c. 3 d. 4 18. En un material semiconductor, el orbital de valencia se satura cuando contiene a. 1 electrón b. Los mismos iones (+) y (-) c. 4 electrones d. 8 electrones 19. ¿Cuántos tipos de flujo tiene un semiconductor? a. 1 b. 2 c. 3 d. 4 20. La temperatura de cero absoluto es igual a a. -273°C b. 0°C c. 25°C d. 50°C 21. El flujo de los electrones de valencia hacia la derecha indica que los huecos se mueven hacia

a. la izquierda b. la derecha c. cualquier lado d. Ninguna de las anteriores 22. A temperatura ambiente, un semiconductor intrínseco tiene a. unos pocos electrones libres y huecos b. muchos huecos c. muchos electrones libres d. ningún hueco 23. El número de electrones libres y huecos en un semiconductor intrínseco disminuye cuando la temperatura a. disminuye b. aumenta c. no varía d. Ninguna de las anteriores 24. A la temperatura de cero absoluto, un semiconductor intrínseco tiene a. pocos electrones libres b. muchos huecos c. muchos electrones libres d. ni huecos ni electrones libres 25. Los huecos son como a. átomos b. cristales c. cargas negativas d. cargas positivas 26. ¿Cuántos electrones de valencia tienen los átomos trivalentes? a. 1 b. 3 c. 4 d. 5 27. ¿Cuántos electrones de valencia tiene un átomo aceptor? a. 1 b. 3 c. 4 d. 5 28. ¿Cuántos electrones libres contiene un semiconductor de tipo p? a. Muchos

b. Ninguno (despreciable) c. Sólo los producidos por la energía térmica d. Los mismos que huecos 29. ¿En qué tipo de semiconductor los portadores minoritarios son electrones? a. extrínseco b. intrínseco c. tipo n d. tipo p 30. Para producir un semiconductor de tipo n, ¿qué utilizaría? a. Átomos aceptores b. Átomos donantes c. Impurezas pentavalentes d. Silicio 31. La plata es el mejor conductor. ¿Cuántos electrones de valencia cree que tiene? a. 1 b. 4 c. 18 d. 29 32. Suponiendo que un semiconductor intrínseco tiene 1000 de millones de electrones libres a temperatura ambiente, si la temperatura disminuye a 0°C, ¿cuántos huecos tendrá? a. Menos de 1000 millones b. 1000 millones c. Más de 1000 millones d. Imposible decirlo 33. Se aplica una fuente de tensión externa a un semiconductor de tipo p. Si el extremo izquierdo del cristal es positivo, ¿cómo fluyen los portadores mayoritarios? a. Hacia la izquierda b. Hacia la derecha c. No fluyen d. Imposible decirlo

34. ¿Cuántos electrones hay en el orbital de valencia de un átomo de silicio que está dentro de un cristal? a. 1

b. 4 c. 8 d. 14 35. ¿Cuál de las temperaturas siguientes es aproximadamente igual a la temperatura ambiente? a. 0°C b. 25°C c. 50°C d. 75° 36. ¿Cuál de las siguientes respuestas no se ajusta al grupo? a. Conductor b. Semiconductor c. Cuatro electrones de valencia d. Estructura de cristal 37. Los iones negativos son átomos que han a. ganado un protón b. perdido un protón c. ganado un electrón d. perdido un electrón 38. ¿Cuál de los siguientes términos describe a un semiconductor de tipo p? a. Neutro b. Positivamente cargado c. Negativamente cargado d. Tiene muchos electrones libres 39. Un semiconductor de tipo p contiene huecos y a. iones positivos b. iones negativos c. átomos pentavalentes d. átomos donantes 40. ¿Cuál de los siguientes términos describe a un semiconductor de tipo n? a. Neutro b. Positivamente cargado c. Negativamente cargado d. Tiene muchos huecos

41. La tensión a la que se produce el efecto de avalancha se denomina a. barrera de potencial b. zona de deplexión

c. tensión de codo d. tensión de disrupción 42. Al comparar las bandas prohibidas de los átomos de germanio y de silicio, un átomo de silicio tiene una banda prohibida a. aproximadamente igual b. menor c. mayor d. impredecible 43. ¿Qué es lo que genera la zona de deplexión? a. Dopaje b. Recombinación c. Barrera de potencial d. Iones 44. La banda prohibida de un átomo de silicio es la distancia entre la banda de valencia y a. el núcleo b. la banda de conducción c. la parte interna del átomo d. los iones positivos Un equipo de expertos en electrónica ha formulado estas preguntas. Es posible que en alguna ocasión se encuentre con algún término que no le sea familiar. En dicho caso, busque el término en un diccionario técnico. También puede haberse incluido alguna pregunta que no se haya cubierto, situación en la que podrá recurrir a consultar algunos otros textos en una biblioteca. 1. Dígame por qué el cobre es un buen conductor de la electricidad. - Porque el cobre tiene mayor conductividad eléctrica y térmica que la

mayoría de los metales, puede transportar electricidad y calor con una considerable eficacia y relativa seguridad, especialmente en comparación con otras alternativas tales como el aluminio. 2. ¿En qué se diferencia un semiconductor de un conductor? Incluya esquemas en su explicación.

-Los conductores son los materiales que permiten el paso de la corriente eléctrica y los semiconductores son los que se pueden comportar como conductores o como aislantes. 3. Hábleme sobre los huecos y en qué se diferencian de los electrones libres. Incluya algunos esquemas.

Un hueco de electrón , o simplemente hueco, es la ausencia de un electrón en la banda de valencia que estaría normalmente completa sin el hueco.

Los electrones de la órbita más apartada del núcleo de un átomo reciben el nombre de electrones libres y son los que determinan las propiedades eléctricas de los átomos, también tienen la propiedad de ser desalojados con relativa facilidad y convertirse en electrones activos para la producción de los fenómenos eléctricos.

4. Coménteme la idea básica del dopaje de semiconductores.

Me gustaría que hiciera algunos esquemas para apoyar su exposición.

Se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor (abreviadamente, SC) extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar.

5. Demuestre, mediante dibujos y explicaciones, por qué existe corriente en un diodo polarizado en directa.

Cuando el diodo se encuentra polarizado directamente, quiere decir que el ánodo está conectado al borne positivo (+) de la batería y el cátodo está conectado al borne negativo (-); por lo tanto, la corriente que fluye es la corriente de recombinación.