• Author / Uploaded
• Luigui López

Citation preview

DIODOS SEMICONDUCTORES

Copyright Tecsup 2011

LEY DE OHM

Ing. Baker Carpio

• La Ley de Ohm, postulada por el físico y matemático alemán Georg Simon Ohm, es una de las leyes fundamentales de la electronica, electricidad.

El flujo de corriente en ampere que circula por un circuito eléctrico cerrado, es directamente proporcional a la tensión o voltaje aplicado, e inversamente proporcional a la resistencia en ohm de la carga que tiene conectada.

2

Tecsup 2012-I

Ing. Baker Carpio

3

Tecsup 2012-I

Ing. Baker Carpio

4

Tecsup 2012-I

Ing. Baker Carpio

5

Tecsup 2012-I

Ing. Baker Carpio

6

Tecsup 2012-I

Ing. Baker Carpio

7

Tecsup 2012-I

Ing. Baker Carpio

ley de nodos o primera ley de Kirchhoff

• “En cualquier nodo, la suma de las corrientes que entran en ese nodo es igual a la suma de las corrientes que salen. De forma equivalente, la suma de todas las corrientes que pasan por el nodo es igual a cero”

8

Tecsup 2012-I

Ing. Baker Carpio

• Esta fórmula es válida también para circuitos complejos:

• La ley se basa en el principio de la conservación de la carga donde la carga en couloumbs es el producto de la corriente en amperios y el tiempo en segundos.

9

Tecsup 2012-I

Segunda ley de Kirchhoff, ley de lazos de Kirchhoff oCarpio ley Ing. Baker de mallas de Kirchhoff

• “En un lazo cerrado, la suma de todas las caídas de tensión es igual a la tensión total suministrada. De forma equivalente, la suma algebraica de las diferencias de potencial eléctrico en un lazo es igual a cero.”

10

Tecsup 2012-I

Ing. Baker Carpio

• De igual manera que con la corriente, los voltajes también pueden ser complejos, así:

• Esta ley se basa en la conservación de un campo potencial de energía. Dado una diferencia de potencial, una carga que ha completado un lazo cerrado no gana o pierde energía al regresar al potencial inicial.

11

Tecsup 2012-I

Ing. Baker Carpio

12

Tecsup 2012-I

Ing. Baker Carpio

13

Tecsup 2012-I

Ing. Baker Carpio

INTRODUCCIÓN La electrónica trata de la teoría y de la aplicación de los dispositivos que controlan la corriente, en ellos están incluidos los dispositivos de semiconductor y hasta hace algunos años los tubos de vacío. Los semiconductores son sólidos, cuya resistividad es intermedia entre la de los conductores eléctricos y la de los aislantes.

14

Tecsup 2012-I U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad

15

Ing. Baker Carpio

Materiales semiconductores

• Conductor: material que soporta un gran flujo de carga/corriente. – Material que permite el flujo de carga cuando una fuente de voltaje se aplica entre sus terminales.

• Aislante: material con nivel bajo de conductividad de corriente. – Presenta un nivel de paso e corriente muy bajo(Conductividad)

• Semiconductor: material que posee un nivel de conductividad entre los extremos de un aislante y un conductor. 16

Ing. Baker Carpio

Los mejores conductores tienen un electrón de valencia, mientras que los mejores aislantes tienen 8 electrones de valencia.

Un semiconductor es un elemento con propiedades eléctricas entre las de un conductor y un aislante por tanto los mejores semiconductores tienen 4 electrones de valencia. Por efectos de temperatura en estos materiales hay electrones que se desligan de sus átomos quedando un electrón libre. La salida del electrón deja un vacío en el orbital de valencia que se denomina hueco (átomo sin electrón) estos huecos se constituyen en portadores de carga positiva. recombinación es la unión de un electrón libre y un hueco.

17

27/03/201 3

Ing. Baker Carpio

Los átomos de los semiconductores se organizan en un patrón definido que se repite continuamente. Un patrón completo se llama Cristal y el arreglo periódico se llama red. Cualquier material compuesto únicamente de estructuras cristalinas repetidas del mismo tipo se denomina: estructura monocristal.

Tecsup 2012-I 18

Ing. Baker Carpio

Semiconductores intrínsecos Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro, tienen el mismo número de electrones libres y el mismo número de huecos. A menudo a los electrones libres y huecos se denominan portadores. Una forma de incrementar la conductividad de un semiconductor es mediante el dopaje. El dopaje consiste en añadir átomos de impurezas a un cristal intrínseco Para incrementar el número de electrones libres se añaden pentavalentes al cristal puro.

átomos

Para incrementar el número de huecos se añaden átomos que tengan sólo tres electrones de valencia. El grado de impurezas llega hasta 1 parte por cada 10.000.000.000

19

A temperatura ambiente existen cerca de 1,5X1010portadores libres en un 1cm3 de material intrinseco de silicio 27/03/201 3

Ing. Baker Carpio

El germanio y el silicio en estado intrinseco son malos conductores

Tecsup 2012-I U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad

20

Ing. Baker Carpio

Semiconductores extrínsecos Un semiconductor se puede dopar para tener exceso de electrones libres o exceso de huecos, por tanto existen dos tipos de semiconductores dopados. Semiconductor tipo N El silicio que ha sido dopado con impurezas pentavalentes (antinonio, arsénico y fósforo) se denomina semiconductor tipo n, donde n hace referencia a negativo. Los electrones libres son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. Semiconductor tipo P El silicio que ha sido dopado con impurezas trivalentes (Boro, galio e indio) se denomina semiconductor tipo p, donde p hace referencia a positivo. Los huecos serán los portadores mayoritarios y Los electrones libres los portadores minoritarios.

21

27/03/201 3

Ing. Baker Carpio

Semiconductores

• Silicio y Germanio. • Valencia 4

22

Materiales semiconductores extrínsecos Tipo N Ing. Baker Carpio

Dopado de antimonio, arsénico y fósforo: • Tipo N. (adición + 5 electrones de valencia) • Las impurezas difundidas se denominan atomos donores. • La carga eléctrica es cero debido a que el numero de Electrones es igual al numero de protones en la estructura. • El electron libre aumenta la conductividad del material.

23

Ing. Baker Carpio

• El átomo pentavalente en un cristal de silicio (Si) produce un electrón libre y se puede representar como un signo "+" encerrado en un circulo y con un “–” (que sería el electrón) al lado.

24

Materiales semiconductores extrínsecos Tipo P: Ing. Baker Carpio

Boro, galio e indio: • Tipo P. (adición + 3 electrones de valencia) • Las impurezas difundidas se denominan atomos aceptores. • La carga eléctrica es cero debido a que el numero de Electrones es igual al numero de protones en la estructura. 25

Ing. Baker Carpio

• El átomo trivalente sería un signo "-" encerrado en un circulo y con un “+” sin rellenar al lado (que simbolizaría un hueco).

26

Ing. Baker Carpio

DIODO SEMICONDUCTOR (Diode)

P ÁNODO

ZONA TRANSICIÓN -

+

-

+

-

+

-

+

ÁNODO

SÍMBOLO

27

Zona libre de cargas. Solo quedan los iones fijos.

N CÁTODO

CÁTODO

Ing. Baker Carpio

• Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a través de las terminales del diodo: • No hay polarización (Vd = 0 V). • Polarización directa (Vd > 0 V). • Polarización inversa (Vd < 0 V).

28

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores Semiconductor extrínseco: TIPO N +

+ +

+ Electrones libres

+

+ +

+ +

+

+

+

+ +

+

Impurezas grupo V

+

300ºK

Átomos de impurezas ionizados

Los portadores de carga en un semiconductor tipo N son electrones libres

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores Semiconductor extrínseco: TIPO P -

-

Huecos libres

-

-

-

-

-

-

-

-

-

300ºK

Átomos de impurezas ionizados

Los portadores de carga en un semiconductor tipo P son huecos. Actúan como portadores de carga positiva.

La unión P-N La unión P-N en equilibrio -

-

-

-

-

-

-

-

+

+

+

-

+

+

-

-

+

+

-

Semiconductor tipo P

+

+ +

+

+

+

+

+

Semiconductor tipo N

+

La unión P-N La unión P-N en equilibrio

Zona de transición

-

-

-

-

-

-

-

-

Semiconductor tipo P

+

+

+

-

+

+

-

-

+

+

-

-

+

+

+ +

+

+

+

+

+

+

Semiconductor tipo N

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de carga espacial denominada ‘zona de transición’. Que actúa como una barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.

La unión P-N La unión P-N polarizada inversamente

P

-

-

-

-

-

-

-

-

-

+

+

+

-

+ +

+ +

+

+

N

+

+

-

-

+

+

+

+

+

+

La zona de transición se hace más grande. Con polarización inversa no hay circulación de corriente.

La unión P-N La unión P-N polarizada en directa

P

-

-

-

-

-

-

-

-

+

+

+

-

-

+

+ +

+ +

-

+

N

+

+

-

-

+

+

+

+

+

+

La zona de transición se hace más pequeña. La corriente comienza a circular a partir de un cierto umbral de tensión directa.

La unión P-N La unión P-N polarizada en directa

P

-

-

-

-

-

-

-

-

+

+

+

-

-

Concentración de huecos

+

+ +

+ +

-

+

N

+

+

-

-

+

+

+

+

+

Concentración de electrones +

La recombinación electrón-hueco hace que la concentración de electrones en la zona P disminuya al alejarse de la unión.

La unión P-N Conclusiones: Aplicando tensión inversa no hay conducción de corriente

Al aplicar tensión directa en la unión es posible la circulación de corriente eléctrica

P

N

DIODO SEMICONDUCTOR

Ing. Baker Carpio

El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si. En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos que están en, o cerca de, la región de "unión", se combinan y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la región cercana a la unión. Esta región de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Región de Agotamiento por la ausencia de portadores.

37

Ing. Baker Carpio

• Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a través de las terminales del diodo: • No hay polarización (Vd = 0 V). • Polarización directa (Vd > 0 V). • Polarización inversa (Vd < 0 V).

38

Vd=0V

Ing. Baker Carpio

Vd = 0 V. En condiciones sin polarización, los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N que se encuentran dentro de la región de agotamiento pasarán directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier dirección es cero para un diodo semiconductor. El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada "Barrera de Potencial" que a 25 ºC vale: 0.3 V para diodos de Ge. 0.7 V para diodos de Si.

39

POLARIZACION DIRECTA

Ing. Baker Carpio

• Se produce cuando se conecta el polo positivo de la bateria a la parte P de la unión P - N y la negativa a la N. En estas condiciones podemos observar que: – El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unión p-n. – El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n. – Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unión p-n. – Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batería.

» Id = I mayoritarios - Is

40

POLARIZACION INVERSA •

•

Ing. Baker Carpio

Condición de Polarización Inversa (Vd < 0 V). Bajo esta condición el número de iones positivos descubiertos en la región de agotamiento del material tipo N aumentará debido al mayor número de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El número de iones negativos descubiertos en el material tipo P también aumentará debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparán los huecos. El fenómeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocará que la región de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores mayoritarios no podrán superar, esto significa que la corriente Id del diodo será cero. Sin embargo, el número de portadores minoritarios que estarán entrando a la región de agotamiento no cambiará, creando por lo tanto la corriente Is. La corriente que existe bajo condiciones de polarización inversa se denomina corriente de saturación inversa,Is.

41

Ing. Baker Carpio

• El término "saturación" proviene del hecho que alcanza su máximo nivel (se satura) en forma rápida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarización inversa, hasta que al valor Vz o VPI, voltaje pico inverso.

42

Ing. Baker Carpio

INCISO: Representación del componentes eléctricos en diagrama V-I I

V

I

I

+

V V

-

+ V

V

Resistencia (R)

I

V V

Batería

V

-

I

+

-

I

+

Corto (R = 0)

I

43

I

-

Abierto (R = ∞)

V

I

I

+ V

Fuente Corriente

Ing. Baker Carpio

POLARIZACIÓN DIRECTA: LA CONSIDERACIÓN INTUITIVA ES BASTANTE CIERTA

Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios se ven empujados a "invadir" la zona de transición.

I

P

N

La zona de transición se ve reducida drásticamente. La corriente se debe a mayoritarios y la corriente directa puede llegar a ser importante. La aproximación de una resistencia pequeña (idealmente un cable es razonable)

+ 44

P

N

-

Ing. Baker Carpio

POLARIZACIÓN INVERSA: FALLA LA INTUICIÓN.

Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios se ven empujados a "escapar" de la zona de transición.

I

P

La zona de transición aumenta drásticamente. La corriente se debe a minoritarios y la corriente directa será muy pequeña (idealmente nula).

N

La mejor aproximación es un cable roto (falla la intuición)

45

P

N -

-

+

+

-

-

+

+

-

-

+

+

-

-

+

+

+

Ing. Baker Carpio

CARACTERÍSTICA DEL DIODO (CONCLUSIONES) Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto) I +

P

V -

I

¡¡ PRESENTA UN COMPORTAMIENTO NO LINEAL !!

N V

SEMEJANZA Un símil hidráulico podría ser una válvula anti-retorno, permite pasar el agua (corriente) en un único sentido. 46

1ª Aproximación (el diodo ideal)

Ing. Baker Carpio

La exponencial se aproxima a una vertical y una horizontal que pasan por el origen de coordenadas. Este diodo ideal no existe en la realidad, no se puede fabricar por eso es ideal.

Polarización directa: Es como sustituir un diodo por un interruptor cerrado.

Polarización inversa: Es como sustituir el diodo por un interruptor abierto.

47

Ing. Baker Carpio

EJEMPLO:

En polarización directa:

48

2ª Aproximación

Ing. Baker Carpio

La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal que pasan por 0,7 V (este valor es el valor de la tensión umbral para el silicio, porque suponemos que el diodo es de silicio, si fuera de germanio se tomaría el valor de 0,2 V). El tramo que hay desde 0 V y 0,7 V es en realidad polarización directa, pero como a efectos prácticos no conduce, se toma como inversa. Con esta segunda aproximación el error es menor que en la aproximación anterior

Polarización directa: La vertical es equivalente a una pila de 0,7 V.

Polarización inversa: Es un interruptor abierto. 49

Ing. Baker Carpio

EJEMPLO: Resolveremos el mismo circuito de antes pero utilizando la segunda aproximación que se ha visto ahora. Como en el caso anterior lo analizamos en polarización directa:

Como se ve estos valores son distintos a los de la anterior aproximación, esta segunda aproximación es menos ideal que la anterior, por lo tanto es más exacta, esto es, se parece más al valor que tendría en la práctica ese circuito.

Tecsup 2012-I U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad

50

3ª Aproximación

Ing. Baker Carpio

La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V y tiene una pendiente cuyo valor es la inversa de la resistencia interna.

El estudio es muy parecido a los casos anteriores, la diferencia es cuando se analiza la polarización directa:

Tecsup 2012-I U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad

51

Ing. Baker Carpio

EJEMPLO: En el ejemplo anterior usando la 3ª aproximación, tomamos 0,23 ohms como valor de la resistencia interna.

Tecsup 2012-I U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad

52

Ing. Baker Carpio

DIODO REAL ánodo p A

cátodo

1

n

Ge K

Símbolo

 I D  I S   e  53

i [mA]

Si V [Volt.]

-0.25

VD  q K T

  1 

0

0.25

0.5

IS = Corriente Saturación Inversa K = Cte. Boltzman VD = Tensión diodo q = carga del electrón T = temperatura (ºK) ID = Corriente diodo

Ing. Baker Carpio

DIODO REAL (Distintas escalas)

i [mA] 1

Ge

Si V [Volt.]

-0.25

Marco Arcos Camargo 54

0

0.25

0.5

Ing. Baker Carpio

DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES

I

I

Solo tensión de codo Ge = 0.3 Si = 0.7

Ideal

V

Tensión de codo y Resistencia directa

V

I

V

I Corriente de fugas con Tensión de codo y Resistencia directa V

55

I

Curva real (simuladore s, análisis gráfico) V

Ing. Baker Carpio

CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ). Corriente máxima (Imax ). Corriente inversa de saturación (Is ) Corriente superficial de fugas. Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas. Tensión de ruptura (Vr )

Tecsup 2012-I U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad

56

CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO Voltajes Inversos Máximos

URmax  80-1500V Si

URmax  40-100V Ge

Corrientes Residuales en dirección inversa.

Iresid  5-500nA Si

Iresid  10-500uA Ge

Tecsup 2012-I U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad

57

Ing. Baker Carpio

DIODO: LIMITACIONES

Corriente máxima Tensión inversa máxima Ruptura de la Unión por avalancha

I

Límite térmico, sección del conductor

V

58

Ing. Baker Carpio

DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes id IOmax

VR = 1000V IOMAX (AV)= máxima VF = 1V IR = 50 nA

VR = 100V IOMAX (AV)= máxima VF = 1V IR = 25 nA 59

Tensión inversa máxima 1A Corriente directa Caída de Tensión directa Corriente inversa

Tensión inversa máxima 150mA Corriente directa

Caída de Tensión directa Corriente inversa

VR iS

Vd

NOTA: Se sugiere con un buscador obtener las hojas de características de un diodo (p.e. 1N4007). Normalmente aparecerán varios fabricantes para el mismo componente.

Ing. Baker Carpio

Tecsup 2012-I U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad

60

Ing. Baker Carpio

Tecsup 2012-I U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad

61

Ing. Baker Carpio

DIODOS ESPECIALES

Diodo Zener (Zener diode)

Tensión Zener (VZ)

En la zona Zener se comporta como una fuente de tensión (Tensión Zener).

I

Necesitamos, un límite de corriente inversa.

V

Límite máximo Normalmente, límite de potencia máxima 62

La ruptura no es destructiva. (Ruptura Zener).

Podemos añadir al modelo lineal la resistencia Zener. Aplicaciones en pequeñas fuentes de tensión y referencias.

Ing. Baker Carpio

DIODOS ESPECIALES

Diodo LED (LED diode)

Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unión PN polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta longitud de onda. (p.e. Luz roja)

A

63

K

Ing. Baker Carpio

DIODOS ESPECIALES Los diodos basados en compuestos III-V, presentan

Fotodiodos (Photodiode) una corriente de fuga proporcional a la luz incidente (siendo sensibles a una determinada longitud de onda).

i V 0

iopt

Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante. Siendo su aplicaciones principales: Sensores de luz (fotómetros) Comunicaciones

COMENTARIO Los diodos normales presentan variaciones en la corriente de fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser usados como sensores térmicos

El modelo puede ser una fuente de corriente dependiente de la luz o de la temperatura según el caso

64

i V

I = f(T)

T1 T2>T1

0

Ing. Baker Carpio

DIODOS ESPECIALES

Células solares (Solar Cell)

i

En este caso, el dispositivo puede usarse como generador.

VCA

V Zona uso

iCC Paneles de células solares

65

Cuando incide luz en una unión PN, la característica del diodo se desplaza hacia el 4º cuadrante.

Ing. Baker Carpio

DIODOS ESPECIALES

Diodo Varicap

La unión PN polarizada inversamente puede asimilarse a un condensador de placas planas (zona de transición).

(Varicap , Varactor or Tuning diode)

-

P

N -

-

+

+

-

-

+

+

-

-

+

+

-

-

+

+

Esta capacidad se llama Capacidad de Transición (CT).

+

Notar, que al aumentar la tensión inversa aumenta la zona de transición. Un efecto parecido al de separar las placas de un condensador (CT disminuye).

Dieléctrico

Tenemos pues una capacidad dependiente de la tensión inversa. Un diodo Varicap tiene calibrada y caracterizada esta capacidad.

CT 30 pF

Uso en equipos de comunicaciones (p.e. Control automático de frecuencia en sintonizadores)

d

VI

10 V 66

Ing. Baker Carpio

DIODOS ESPECIALES

Diodo Schottky (Schottky diode) Unión Metal-semiconductor N. Produciéndose el llamado efecto schottky. La zona N debe estar poco dopada. Dispositivos muy rápidos (capacidades asociadas muy bajas). Corriente de fugas significativamente mayor. Menores tensiones de ruptura. Caídas directas mas bajas (tensión de codo  0.2 V, 0.4V). Aplicaciones en Electrónica Digital y en Electrónica de Potencia 67

Ing. Baker Carpio

ASOCIACIÓN DE DIODOS

Diodo de alta tensión (Diodos en serie)

Puente rectificador Monofásico

+

Trifásico

+

DISPLAY -

68

Ing. Baker Carpio

Display a 7 segmentos

69

Ing. Baker Carpio

APLICACIONES DE DIODOS

Detectores reflexión de objeto

Detectores reflexión de espejo 70

Detectores de barrera

Ing. Baker Carpio

APLICACIONES DE DIODOS

Sensores de luz: Fotómetros Sensor de lluvia en vehículos Detectores de humo Turbidímetros Sensor de Color LED

Fotodetector

Objetivo

LED azul LED

LED verde LED rojo

71

Fotodiodo

Ing. Baker Carpio

APLICACIONES DEL DIODO

Los diodos (y el resto de dispositivos electrónicos) son dispositivos no lineales. ¡Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposición! ¡Cuidado, no se puede aplicar el análisis con complejos

EJEMPLO TÍPICO:

VE

RECTIFICADOR

t

VE

-

VMAX R

VE t

72

VS

+

 VMAX

VS

t

ID

VD

PRUEBA DEL DIODO CON EL OHMIMETRO

Tecsup 2012-I U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad

73

PRUEBA DEL DIODO CON LA FUNC. DIODO

Tecsup 2012-I U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad

74

PRUEBA DEL DIODO EN FUNCIONAMIENTO

Tecsup 2012-I U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad

75

APLICACIONES

Tecsup 2012-I U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad

76

Ejercicio 1

• Para la siguiente configuración calcule ID, VR.

77

Ing. Baker Carpio

Ing. Baker Carpio

• Calcular la corriente a traves de la resistencia (VT=0.62).

78

Ing. Baker Carpio

79

Ejercicio 2

• Para la siguiente configuración calcule ID, VR.

80

Ing. Baker Carpio

Ing. Baker Carpio

Ejercicio 3 En la siguiente red determinar ID, Vo, voltaje en cada resistencia y potencia del diodo. Si

81

Ing. Baker Carpio

Ejercicio 4 Para el circuito mostrado determinar el valor de Vo

Uo 4,7k +20V

82

Si +5V

Ing. Baker Carpio

Ejercicio 4 A un estudiante de PFR se le pide demostrar aplicando las leyes de la electricidad si el diodo del circuito mostrado esta en conducción.

83

Ing. Baker Carpio

Ejercicio 5 Determinar ID , Vo y el voltaje en cada resistencia

84

Ing. Baker Carpio

Cual es el valor y su sentido de la corriente en R2

85

END

86