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• Juano Inga Ortega

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TRANSISTOR FET TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

ANALÓGICA I

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO CANAL N (JFET-N) UNIÓN

CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE CAMPO METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N) CANAL P (MOSFET-P)

Dr Julius Lilienfield (Alemania) en 1926 patentó el concepto de "Field Effect Transistor".

20 años antes que en los laboratorio Bell fabricarían el primer transistor bipolar. ANALÓGICA I

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

ANALÓGICA I

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

INTRODUCCIÓN: • Son dispositivos de estado sólido • Tienen tres o cuatro terminales

• Es el campo eléctrico el que controla el flujo de cargas • El flujo de portadores es de un único tipo ( o electrones ó huecos)

• Pueden funcionar en diferentes regiones de polarización • Según en que región de polarización se encuentren, funcionan como: Resistencias controladas por tensión Amplificadores de corriente ó tensión Fuentes de corriente Interruptores lógicos y de potencia ANALÓGICA I

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

• La corriente de puerta es prácticamente nula (func. Normal) es decir una ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA. 1MΩ • Tienen tres terminales denominados: Drenador Puerta Fuente ó surtidor

• Hay de bastantes tipos, pero los mas importantes son los: MOSFET (Metal-óxido semiconductor)

ANALÓGICA I

FET VS BJT

• Los FETs necesitan menos área en un CI, y menos pasos de fabricación • Los BJTs pueden generar corrientes de salida mas elevadas para conmutación rápida con cargas capacitivas. • Los FETs tiene una impedancia de entrada muy alta

• En los FETs el parámetro de transconductancia (gm) es menor que en los BJTs, y por lo tanto tienen menor ganancia. • LOS BJT SON CONTROLADOS POR CORRIENTE MIENTRAS QUE LOS JFET SON CONTROLADOS POR VOLTAJE ANALÓGICA I

FET VS BJT

• Para el FET las cargas presentes establecen un campo eléctrico que controla la conducción del circuito de salida. • Las ganancias de voltaje en CA son mayores para el FET

• Los FET son más estables ante los cambios de temperatura que los BJT. • Los FET son más sensibles a la manipulación. Inconvenientes • Los FET exhiben una pobre respuesta en frecuencia, debido a la alta capacidad de entrada. • Algunos FET tienen una pobre linealidad. • Los FET se dañan con el manejo debido a la electricidad estática. ANALÓGICA I

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE JUNTURA - JFET • Consiste en un canal de semiconductor tipo N o P dependiendo del tipo de JFET, con contactos óhmicos (no rectificadores) en cada extremo, llamados FUENTE y DRENADOR.  A los lados del canal existen

dos regiones de material semiconductor de diferente tipo al canal, conectados entre sí, formando el terminal de PUERTA.  Los JFET se utilizan preferiblemente a los MOSFET en circuitos discretos. ANALÓGICA I

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE JUNTURA - JFET • En el JFET de canal N, la unión puerta – canal, se encuentra polarizada en inversa, por lo que prácticamente no entra ninguna corriente a través del terminal de la puerta. • El JFET tienes dos uniones n-p sin polarización, obteniéndose una región de empobrecimiento en cada unión similar al diodo

ANALÓGICA I

JFET DE CANAL N • En la unión p-n, al polarizar en inversa la puerta y el canal, una capa del canal adyacente a la puerta se convierte en no conductora. • Cuanto mayor es la polarización inversa, más gruesa se hace la zona de deplexión; cuando la zona no conductora ocupa toda la anchura del canal, se llega al corte del canal. A la tensión necesaria para que la zona de deplexión ocupe todo el canal se le llama tensión puertafuente de corte (VGSoff ó Vto). Esta tensión es negativa en los JFET de canal n.

ANALÓGICA I

JFET DE CANAL N VGS=0V y variando VDS:

• Para valores pequeños de VDS, ID es proporcional a VDS (zona óhmica). • se obtiene una región de empobrecimiento en el extremo de cada material p. • Cuando se aplica VDD, los electrones son atraídos hacia el drenaje y se genera una ID, teniendo que ID =IS

ANALÓGICA I

JFET DE CANAL N VGS=0V y variando VDS: • Suponiendo que la resistencia del canal es uniforme, según como avance la corriente (sentido real) mayor oposición encontrara, y debido a que el extremo del canal próximo D se halla polarizado en inversa, al aumentar VDS, la zona de deplexión se hace más ancha. • El paso entre las dos zonas se produce en el valor de tensión de estrangulamiento Vp, para Vgs=0. ANALÓGICA I

JFET DE CANAL N • El paso entre las dos zonas se produce en el valor de tensión de estrangulamiento VP, para VGS=0. • Para valores de VDS pequeños, Id es proporcional a VDS (zona óhmica) • Al variar VGS. Si VGSVP IDSS corriente de drenaje maxima del JFET Para VGS=0V ANALÓGICA I

JFET DE CANAL N

ANALÓGICA I

JFET DE CANAL N Al variar VGS • La resistencia del canal es elevada. Esta es evidente para valores de Vgs próximos a VGSoff. Si (tensión de corte), la resistencia se convierte en un circuito abierto y el dispositivo está en CORTE.

• La zona donde Id depende de VDS se llama REGIÓN LINEAL U ÓHMICA, y el dispositivo funciona como una resistencia. El valor de esta resistencia (pendiente de recta) varía con Vgs. • La zona donde Id se hace constante (fuente de Intensidad cte) es la REGIÓN DE SATURACIÓN. Id es máxima para Vgs = 0 (Idss), y es menor cuanto más negativa es Vgs. Para Vgs=0 la región comienza a partir de Vp.

• Siempre se cumple que Vgsoff = -Vp. Idss y Vp (ó Vgsoff)son datos dados por el fabricante. • Vgsoff = Vgs de corte = Voltaje de estrangulamiento ANALÓGICA I

JFET DE CANAL N

ANALÓGICA I

CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA

ANALÓGICA I

RESISTOR CONTROLADO POR VOLTAJE Cuando |VDS| < |VP|, son una función del voltaje aplicado VGS, si VGS se hace más negativo, la pendiente de la curva se hace más horizontal, lo que significa una resistencia mayor ro = Resistencia con VGS =0V rd = Para un valor en particular de VGS

|VGSoff|=|VP| ANALÓGICA I

RUPTURA DEL JFET Cuando la polarización inversa entre puerta y canal se hace demasiado grande, la unión sufre una ruptura inversa, y la corriente de drenador aumenta rápidamente. ro = Resistencia con VGS =0V rd = Para un valor en particular de VGS

La polarización inversa de mayor magnitud tiene lugar en el extremo correspondiente al drenador. La ruptura se producirá cuando VDG exceda de la tensión de ruptura. Como VDG= VDS – VGS, la ruptura tendrá lugar a valores más pequeños de VDS a medida que VGS se aproxime a VP.

ANALÓGICA I

RUPTURA DEL JFET

ANALÓGICA I

DISPOSITIVOS DE CANAL P

El JFET de canal p, tiene una estructura inversa a la de canal n; siendo por tanto necesaria su polarización de puerta también inversa respecto al de canal n.

ANALÓGICA I

VALORES MÁXIMOS Y NOMINALES • Los valores máximos especificados para VDS y VDG no deben ser excedidos en cualquier punto de operación. • VDD puede exceder los valores marcados en las hojas de especificaciones, pero en los terminales del circuito no. • La disipación total de potencia a temperatura ambiente será:𝑃𝐷 = VDS ⋅ 𝐼𝐷. • Características comerciales: IDSS y VP

ANALÓGICA I

POLARIZACIÓN DEL JFET

• La variable de control de entrada es un voltaje (VGS) y de salida será una corriente (ID). • Parámetros importantes: 𝐼𝐺 ≅ 0𝐴 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆

ANALÓGICA I

𝑉𝐺𝑆 1− 𝑉𝑃

2

CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA

Analizando en CC

𝐼𝐺 = 0 𝑉𝐺𝐺 + 𝑉𝐺𝑆 = 0 𝑉𝐺𝑆 =−𝑉𝐺𝐺 𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝐼𝐷 𝑅𝐷 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ANALÓGICA I

𝑉𝐺𝑆 1− 𝑉𝑃

2

CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA

EJERCICIO VDD =12V, IDSS = 10mA, Vp=-4V −2 𝐼𝐷 = 10𝑚𝐴 1 − −4 𝐼𝐷 = 2,5𝑚𝐴

𝑉𝐷𝑆

ANALÓGICA I

2

𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝐼𝐷 𝑅𝐷 12 = = 9𝑉 0,0025 ∗ 1200

CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA

EJERCICIO Con VDD =12V, Vp=-2,5V, calcular VGS y RD tomando , IDSS = 7mA, ID = 3,5mA, VD𝑆 = 6𝑉 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆

𝑉𝐺𝑆 1− 𝑉𝑃

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑃 1 −

𝑉𝐺𝑆

ANALÓGICA I

2

𝐼𝐷

𝐼𝐷𝑆𝑆

0,0035 = −2,5 1 − 0,007

𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝐼𝐷 𝑅𝐷 12 − 6 𝑅𝐷 = 0,0035 𝑅𝐷 = 1,714𝐾Ω → 1,8𝐾Ω

= −0,732𝑉

CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN

• Analizando en CC

𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆

𝑉𝐺𝑆 1− 𝑉𝑃

2

𝑉𝐺 =0V 𝑉𝐺𝑆 = −𝑉𝑅𝑆 𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 𝑅𝑆 𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝐼𝐷 𝑅𝐷 + 𝐼𝐷 𝑅𝑆 Donde la Rs puede o no existir lo que reduciría la ecuación previa a la misma de la configuración anterior. ANALÓGICA I

CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN

• Analizando en CC 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆

𝑉𝐺𝑆 1− 𝑉𝑃

2

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 −𝑉𝑆 𝑉𝐺𝑆 = −𝑉𝑅𝑆 𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 𝑅𝑆 𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝐼𝐷 𝑅𝐷 + 𝐼𝐷 𝑅𝑆 𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑆 =𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑅𝐷 𝑉𝑆 = 𝐼𝐷 𝑅𝑆 𝑉𝐺 = 0𝑉 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑉𝐷𝑆𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐷𝐷 𝑉𝐷 𝐼𝐷𝑚𝑎𝑥 = 𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 ANALÓGICA I

CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN

EJERCICIO IDSS  10mA VP  4 VGS   ID  RS VGS  100 ID

 100 ID  ID  10mA 1   4   ID  6.8mA

2

VDD  VDS  ID ( RD  RS ) VDS 

12 6.8mA 100  1.2k 

VDS  3.16V VDD  9.2mA RS  RD VDS max  VDD ID max 

Si RS aumenta, el punto de carga Q baja, es decir ID disminuye

ANALÓGICA I

CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN

EJERCICIO Con VDD =12V, Vp=-4V, calcular VGS, RD Y RS tomando , IDSS = 7mA, ID = 4mA, VD𝑆 = 6𝑉 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆

𝑉𝐺𝑆 1− 𝑉𝑃

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑃 1 −

𝑉𝐺𝑆

2

𝐼𝐷 𝐼𝐷𝑆𝑆

0,004 = −4 1 − 0,007

ANALÓGICA I

VGS = VG − VS -0,976V= 0 − VS → VS =0,976V VS = R S ⋅ ID → R S = 0,976 ⋅ 0,004 R S = 250Ω

= −0,976𝑉

𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝐼𝐷 𝑅𝐷 + 𝐼𝐷 𝑅𝑆 12 − 6 𝑅𝐷 = − 𝑅𝑆 0,004 𝑅𝐷 = 1,25𝐾Ω

CONFIGURACIÓN CON PARTIDOR DE TENSIÓN

• Analizando en CC 2

𝑉𝐺𝑆 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 − 𝑉𝑃 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑅𝑆 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆 𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝐼𝐷 𝑅𝐷 + 𝐼𝐷 𝑅𝑆 𝑅2 𝑉𝐺 = 𝑉 𝑉𝑆 = 𝑅𝑆 𝐼𝐷 𝑅1 + 𝑅2 𝐷𝐷 Cuando

𝑉𝐺𝑠 = 𝑉𝐺

𝐼𝐷 = 0

𝑉𝐷𝑆𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐷𝐷 𝑉𝐷 𝐼𝐷𝑚𝑎𝑥 = 𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 ANALÓGICA I

entonces

𝐼𝐷1 = 𝐼𝐷2

𝑉𝐷 = 𝑅𝐷 + 𝑅𝑆

CONFIGURACIÓN CON PARTIDOR DE TENSIÓN

• Analizando en CC

ANALÓGICA I

CONFIGURACIÓN CON PARTIDOR DE TENSIÓN

• Analizando en CC

ANALÓGICA I

CONFIGURACIÓN CON PARTIDOR DE TENSIÓN EJERCICIO CONOCIENDO VALORES DE CADA RESISTENCIA VDD  12V IDSS  10mA VP  4 VGS  VG  ID  RS

1M VG  *12  6V 1M  1M VGS  6  100 ID

6  1100 ID   ID  10mA 1   4   ID  6.22mA

2

VDD  VDS  ID ( RD  RS ) VDS  12  6.22mA 1100  150  VDS  4.225V VDD  9.6mA RS  RD VDS max  VDD ID max 

Para efectos de diseño se puede asumir RS = RD, ó R1=R2 lo que significa que VG=VDD/2 ANALÓGICA I

CONFIGURACIÓN CON PARTIDOR DE TENSIÓN

EJERCICIO - DISEÑO VDD  12V VDS  4V IDSS  10mA

6  0.003RS   0.003  10mA 1   4   RS1  2603.0366, RS 2  4063.63 2

VP  4V ID  3mA R1  R 2  1M 

1M VG  *12  6V 1M  1M VGS  6  0.003RS

CON RS1

VDD  VDS  ID ( RD  RS ) 12  4  0.003* 2603.0366 0.003 RD  63.603 RD 



CON RS2

VDD  VDS  ID ( RD  RS ) 12  4  0.003* 4063.63 0.003 RD  1396.963 RD 

ANALÓGICA I

CONFIGURACIÓN COMPUERTA COMÚN

𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆

ANALÓGICA I

𝑉𝐺𝑆 1− 𝑉𝑃

2

CONFIGURACIÓN COMPUERTA COMÚN 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆

𝐼𝐷 =

−𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑅𝑆 − 𝑉𝑆𝑆 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑆𝑆 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆

𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 ANALÓGICA I

𝑉𝑆𝑆 𝑅𝑆

𝑉𝐺𝑆 1− 𝑉𝑃

si 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑆𝑆 Si ID=0mA 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆

𝑉𝑆 = −𝑉𝑆𝑆 + 𝐼𝐷 𝑅𝑆

2

CONFIGURACIÓN COMPUERTA COMÚN

𝐼𝐷 = −𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑅𝑆 − 𝑉𝑆𝑆

ANALÓGICA I

si 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑆𝑆 Si ID=0mA

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑆𝑆 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆

𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷

𝑉𝑆𝑆 𝑅𝑆

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆

𝑉𝑆 = −𝑉𝑆𝑆 + 𝐼𝐷 𝑅𝑆

CONFIGURACIÓN COMPUERTA COMÚN

−𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑅𝑆 − 𝑉𝑆𝑆

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑆𝑆

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑆𝑆 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆

𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷

𝑉𝑆 = −𝑉𝑆𝑆 + 𝐼𝐷 𝑅𝑆

ANALÓGICA I

Si ID=0mA

CASO VGS=0V 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆

𝐼𝐷𝑄 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 ANALÓGICA I

𝑉𝑆 = 0𝑉

𝑉𝐺𝑆 1− 𝑉𝑃

2

TRANSISTOR MOSFET - canal N Drenador (Drain)

Puerta (Gate)

N

Aislante (Si O2) Fuente (Source)

N P

Substrato (Substrate)

SECCIÓN

Canal (Channel)

VISTA SUPERIOR

ANALÓGICA I

MOSFET de empobrecimiento

ANALÓGICA I

MOSFET: transistor de efecto de campo semiconductor de Óxido metálico • Se forma una placa de material tipo p a partir de una base de silicio y se conoce como substrato.

 En algunos casos, el

sustrato se conecta internamente a la terminal de fuente.  Muchos dispositivos

individuales cuentan con una terminal adicional etiquetada SS

ANALÓGICA I

MOSFET: transistor de efecto de campo semiconductor de Óxido metálico • La fuente y el drenaje están conectados mediante contactos metálicos a regiones tipo n dopadas vinculadas a un canal n  La compuerta está

conectada a una superficie de contacto metálica aunque permanece aislada del canal n por una capa de bióxido de silicio (SiO2) muy delgada ANALÓGICA I

MOSFET: transistor de efecto de campo semiconductor de Óxido metálico • El(SiO2) es un tipo de aislante conocido como dieléctrico, el cual establece campos eléctricos opuestos

 No hay una conexión

eléctrica entre la terminal de compuerta y el canal de un MOSFET.  La capa aislante de SiO2 en la construcción de un MOSFET es la responsable de la muydeseable alta impedancia de entrada del dispositivo. ANALÓGICA I

MOSFET: transistor de efecto de campo semiconductor de Óxido metálico • Si el voltaje de la compuerta a la fuente se ajusta a 0 V por la conexión directa de una terminal a la otra y se aplica un voltaje VDS del drenaje a la fuente  resultado es la atracción del

potencial positivo en el drenaje por los electrones libres del canal n y la corriente semejante a la que se establece a través del canal del JFET ANALÓGICA I

MOSFET: transistor de efecto de campo semiconductor de Óxido metálico • Si VGS =-1 V. El potencial negativo en la compuerta tenderá a ejercer presión en los electrones hacia el sustrato tipo p (las cargas semejantes se repelen) y a atraer los huecos del sustrato tipo p (las cargas opuestas se atraen)

ANALÓGICA I

MOSFET: transistor de efecto de campo semiconductor de Óxido metálico • Dependiendo de la magnitud de la polarización negativa establecida por VGS, ocurrirá un nivel de recombinación entre los electrones y huecos que reducirá el número de electrones libres en el canal n disponibles para conducción. • Por consiguiente, el nivel de la corriente de drenaje resultante se reduce con la polarización cada vez más negativa de VGS

ANALÓGICA I

MOSFET: transistor de efecto de campo semiconductor de Óxido metálico • Para valores positivos de VGS, la compuerta positiva atraerá más electrones (portadores libres) del sustrato tipo p debido a la corriente de fuga inversa y establecerá nuevos portadores a causa de las colisiones que ocurren entre las partículas de aceleración.

• Su aumenta el voltaje positivo en la compuerta, la corriente de drenaje

ANALÓGICA I

MOSFET de empobrecimiento de canal p

ANALÓGICA I

MOSFET de empobrecimiento de canal p

ANALÓGICA I

Polarización fija de MOSFET tipo empobrecimiento (y MESFET)

ANALÓGICA I

Polarización por medio del divisor de voltaje del MOSFET tipo empobrecimiento (y MESFET)

ANALÓGICA I

MOSFET: de Enriquecimiento • La curva de transferencia no está definida por la ecuación de Shockley. La corriente de drenaje ahora es la de corte hasta que el voltaje de la compuerta a la fuente alcance una magnitud específica.

 El control de corriente en un

dispositivo de canal n ahora se ve afectado por un voltaje positivo de la compuerta a la fuente

ANALÓGICA I

MOSFET: de Enriquecimiento • Si VGS se ajusta a 0 V y se aplica un voltaje entre el drenaje y la fuente del dispositivo la ausencia de un canal n producirá una corriente de 0 A  Con un cierto voltaje positivo

de VDS, VGS de 0 V y la terminal SS directamente conectada a la fuente, hay dos uniones p-n polarizadas en inversa entre las regiones tipo n dopadas  el sustrato que se oponen a cualquier flujo entre el drenaje y la fuente.

ANALÓGICA I

MOSFET: de Enriquecimiento • Si tanto VDS como VGS se ajustaron a un determinado voltaje positivo de más de 0 V, para establecer el drenaje y la compuerta a un potencial positivo con respecto a la fuente.

El potencial positivo en la compuerta ejercerá presión en los huecos en el sustrato p a lo largo del borde de la capa de SiO3 para que abandonen el área y lleguen a regiones más profundas del sustrato p,

ANALÓGICA I

MOSFET: de Enriquecimiento • Para valores de VGS menores que el nivel de umbral, la corriente de drenaje de un MOSFET tipo enriquecimiento es de 0 mA.

El término k es una constante que es una función de la construcción del dispositivo

ANALÓGICA I

MOSFET: de Enriquecimiento

ANALÓGICA I

Polarización por medio del divisor de voltaje del MOSFET tipo enriquecimiento (y MESFET)

ANALÓGICA I

Polarización por medio del divisor de voltaje del MOSFET tipo enriquecimiento (y MESFET)

ANALÓGICA I

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) C G E

Combinación de MOSFET y transistor Bipolar que aúna las ventajas de los dos: La facilidad de gobierno del MOSFET El buen comportamiento como interruptor de BIPOLAR

Dispositivo reciente muy importante en Electrónica de Potencia Inventado por H.W. Becke y C.F. Wheatley en 1982 ANALÓGICA I

Con los MOSFET e IGBT para manejar corrientes elevadas se produce un cambio de tendencia importante. Un Transistor Bipolar de potencia es un solo dispositivo de dimensiones (Sección) suficiente para manejar la corriente elevada.

Un Transistor MOSFET o un IGBT de potencia, pensado para manejar corrientes elevadas, está formado por muchos transistores integrados colocados en paralelo

ANALÓGICA I

C N-

P

N+

B E BIPOLAR DE POTENCIA ANALÓGICA I

Cada punto representa un MOSFET

MOSFET DE POTENCIA (Muchos pequeños MOSFET en paralelo, realmente es un "Circuito Integrado")

BIBLIOGRAFÍA

• ROBERT BOYLESTAD. Electrónica: Teoría de Circuitos y dispositivos; Editorial, Prentice Hall Hispanoamericana S.A, Décima Edición. • FLOYD T, Electronics device, E. Prentice Hall, 2011